1.一種多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述多光譜隱身蒙皮(3)包括從上至下依次連接的低紅外發(fā)射層、微波吸收層以及加熱層(314)，所述微波吸收層中包括可見光隱身層，所述可見光隱身層為通過溫致變色膠囊與聚二甲基硅氧烷通過注塑工藝制備的環(huán)境擬態(tài)薄膜(306)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述微波吸收層包括從上至下依次連接的第一微波損耗層(304)、第二基底層(305)、環(huán)境擬態(tài)薄膜(306)、第一泡沫介質(zhì)層(307)、第二微波損耗層(308)、第三基底層(309)、第二泡沫介質(zhì)層(310)、第三微波損耗層(311)、第四基底層(312)、第三泡沫介質(zhì)層(313)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述第一泡沫介質(zhì)層(307)、第二泡沫介質(zhì)層(310)、以及第三泡沫介質(zhì)層(313)的材質(zhì)為聚甲基丙烯酰亞胺、可發(fā)性聚乙烯或聚甲基丙烯酰亞胺與可發(fā)性聚乙烯的復(fù)合材料；所述第二基底層(305)、第三基底層(309)、第四基底層(312)為pet基底。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述第一微波損耗層(304)、第二微波損耗層(308)和第三微波損耗層(311)的材質(zhì)為氧化銦錫、氧化錫銻和鋁參雜氧化鋅中的一種或氧化銦錫、氧化錫銻和鋁參雜氧化鋅的復(fù)合材料；所述第一微波損耗層(304)和第二微波損耗層(308)的方阻為220-280ω/sq；所述第三微波損耗層(311)的方阻為120-180ω/sq。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述低紅外發(fā)射層包括從上至下依次連接的紅外波攔截層(301)、第一基底層(302)、空氣介質(zhì)層(303)，所述紅外波攔截層(301)的材質(zhì)為氧化銦錫、氧化錫銻和鋁參雜的氧化鋅中的一種及復(fù)合材料，所述紅外波攔截層(301)的方阻為5-12ω/sq；所述第一基底層(302)為pet基底，所述空氣介質(zhì)層(303)通過在所述第一基底層(302)表面通過激光雕刻而得。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述紅外波攔截層(301)通過光刻工藝法和干法刻蝕法固定在所述第一基底層(302)上；所述第一微波損耗層(304)、第二微波損耗層(308)和第三微波損耗層(311)采用激光刻蝕工藝分別固定在所述第二基底層(305)、第三基底層(309)以及第四基底層(312)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述加熱層(314)為石墨烯加熱板、硅膠加熱板和陶瓷加熱板中的一種或石墨烯、硅膠與陶瓷的復(fù)合材料加熱板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多光譜隱身蒙皮，其特征在于，所述環(huán)境擬態(tài)薄膜的制備方法包括：
9.一種多光譜隱身蒙皮自適應(yīng)偽裝系統(tǒng)，其特征在于，所述自適應(yīng)偽裝系統(tǒng)包括：環(huán)境識別單元(1)、控制系統(tǒng)單元(2)以及權(quán)利要求1-8任意一項所述的多光譜隱身蒙皮(3)；
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多光譜隱身蒙皮自適應(yīng)偽裝系統(tǒng)，其特征在于，所述自適應(yīng)偽裝系統(tǒng)的工作過程包括：