.0lmm-0.05m厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得聚偏氟乙烯雜化薄膜。
[0021]實(shí)施例5:
根據(jù)實(shí)施例.2或3或4所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，所述的鈦酸鋇改性處理中，所述所述的PVP單體與鈦酸鋇粉末的物質(zhì)的量之比為0.04:1。
[0022]實(shí)施例6:
根據(jù)實(shí)施例.2或3或4或5所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，中層純聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末溶于50mL N，N二甲基甲酰胺中，在60°C溫度下超聲震蕩2h，得純聚偏氟乙烯溶膠。
[0023]實(shí)施例7:
根據(jù)實(shí)施例.2或3或4或5或6所述的一種的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，將純?nèi)苣z進(jìn)行抽濾和抽氣泡，然后用鋪膜機(jī)在改性鈦酸鋇摻雜的聚偏氟乙烯雜化薄膜上鋪一層0.0lmm-0.05m厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得底層為改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜中層為純聚偏氟乙烯薄膜的雙層雜化薄膜。
[0024]實(shí)施例8:
根據(jù)實(shí)施例.2或3或4或5或6或7的一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，用鋪膜機(jī)在底層為改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜的雙層雜化薄膜上鋪0.0lmm-0.05m厚度的改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜，將該雜化薄膜在80°C下烘干得底層為聚偏氟乙烯雜化薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜上層為聚偏氟乙烯雜化薄膜的三層雜化薄膜。
[0025]實(shí)施例9:
根據(jù)實(shí)施例.2或3或4或5或6或7或8所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，將三層雜化薄膜用平板硫化機(jī)在170-180°C的溫度下，在10-20MPa的壓力下進(jìn)行壓片，半個(gè)小時(shí)后得高介電和高力學(xué)性能的聚偏氟乙烯三層雜化薄膜。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜，其組成是:純聚偏氟乙烯層，其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層，所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層。
2.—種權(quán)利要求1所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯采用聚乙烯吡咯烷(PVP)改性鈦酸鋇溶膠制成，即將改性后的鈦酸鋇溶于50mL N，N 二甲基甲酰胺中超聲震蕩lh，加入10.25g聚偏氟乙烯粉末，在60°C溫度下超聲溶解反應(yīng)2h，得摻雜改性鈦酸鋇溶膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:所述的改性鈦酸鋇粉體的制備中，所述PVP的分子量為10000，改性后的鈦酸鋇與聚偏氟乙烯的質(zhì)量之比為 0.1:1-0.5:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:將所述的改性鈦酸鋇摻雜的溶膠進(jìn)行雜質(zhì)過濾和抽氣泡，然后用鋪膜機(jī)鋪一層0.0lmm-0.05m厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得聚偏氟乙烯雜化薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:所述的鈦酸鋇改性處理中，所述的PVP單體與鈦酸鋇粉末的物質(zhì)的量之比為0.04:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:中層純聚偏氟乙烯由10.25g聚偏氟乙烯粉末溶于50mL N，N 二甲基甲酰胺中，在60°C溫度下超聲震蕩2h，得純聚偏氟乙烯溶膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5或6所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:將純?nèi)苣z進(jìn)行抽濾和抽氣泡，然后用鋪膜機(jī)在改性鈦酸鋇摻雜的聚偏氟乙烯雜化薄膜上鋪一層0.0lmm-0.05m厚度的薄膜，將該薄膜在80°C下烘干得底層為改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜中層為純聚偏氟乙烯薄膜的雙層雜化薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5或6或7所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:用鋪膜機(jī)在底層為改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜的雙層雜化薄膜上鋪0.0lmm-0.05m厚度的改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯薄膜，將該雜化薄膜在80°C下烘干得底層為聚偏氟乙烯雜化薄膜中層為聚偏氟乙烯純膜上層為聚偏氟乙烯雜化薄膜的三層雜化薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3或4或5或6或7或8所述的三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法，其特征是:將三層雜化薄膜用平板硫化機(jī)在170-180°C的溫度下，在10-20MPa的壓力下進(jìn)行壓片，半個(gè)小時(shí)后得高介電和高力學(xué)性能的聚偏氟乙烯三層雜化薄膜。
【專利摘要】<b>一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法。傳統(tǒng)</b><b>聚偏氟乙烯是一種熱塑性聚合物，有限的介電常數(shù)滿足不了現(xiàn)代嵌入式電容器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件對(duì)材料高介電性能的要求，鈦酸鋇作為高介電常數(shù)的鐵電陶瓷廣泛應(yīng)用于聚合物中改善聚合物的介電性能；但是摻雜量較高時(shí)，隨著復(fù)合材料的介電性能的提高時(shí)其力學(xué)性能也急劇下降，達(dá)不到高容量電器元件對(duì)聚合物介電性能和力學(xué)性能的要求</b><b>。一種三層介電聚偏氟乙烯薄膜，其組成是：純聚偏氟乙烯層，所述的純聚偏氟乙烯層（</b><b>2</b><b>）的上面具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層（</b><b>3</b><b>），所述的純聚偏氟乙烯層的下面也具有改性鈦酸鋇雜化聚偏氟乙烯層（</b><b>1</b><b>）。本發(fā)明應(yīng)用于三層介電聚偏氟乙烯薄膜的制備方法。</b>
【IPC分類】C08K9-04, C08L27-16, B32B27-06, B32B27-18, B32B37-02, C08K3-24, B32B37-06, B32B27-32
【公開號(hào)】CN104553199
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510022447
【發(fā)明人】翁凌, 李紅霞, 劉立柱, 鞠培海, 王婷, 閆利文
【申請(qǐng)人】哈爾濱理工大學(xué)
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日