一種光伏組件層壓機(jī)及層壓工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光伏組件封裝裝置及封裝工藝,特別涉及一種光伏組件層壓機(jī)及層壓工藝,屬于光伏組件封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]光伏組件的封裝是光伏組件制造工藝的重要組成部分,光伏組件封裝通過(guò)將發(fā)電模塊封裝在玻璃、封裝膜和背板之間使發(fā)電模塊與外界的空氣隔離,保證其耐候性標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)現(xiàn),以占光伏組件最大比例的晶硅組件為例,封裝采用的主流設(shè)備為層壓機(jī),在層壓機(jī)內(nèi)通過(guò)抽真空將組件內(nèi)的空氣抽出,然后加熱使EVA熔化將電池、玻璃和背板粘接在一起,層壓機(jī)的主要結(jié)構(gòu)是由上下真空腔、硅膠板、加熱系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、加熱控制系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等構(gòu)成,封裝時(shí),首先將蓋板玻璃、連接好的晶硅電池片、EVA膜、背板膜(通常采用TPT或PET等材料)疊放好送入層壓機(jī)的下腔室,下腔室置放光伏組件的面為一水平面,水平面下方設(shè)置有加熱裝置,一般采用設(shè)置油管通過(guò)油路加熱。層壓時(shí)一般分為以下階段:組件進(jìn)入層壓機(jī)時(shí),下腔室充氣,上腔室真空;上蓋合上后,下腔室抽真空,同時(shí)對(duì)組件加熱,基本加熱到EVA融化溫度,上腔室充氣,此過(guò)程一般5min ;保壓層壓:上腔室的真空為零,保壓層壓一段時(shí)間,使EVA交聯(lián)固化,目前主流的太陽(yáng)能組件封裝均采用這種工藝,這種工藝在生產(chǎn)過(guò)程中主要的產(chǎn)品缺陷是氣泡,由于氣泡在組件使用過(guò)程中,由于受到光照和組件使用過(guò)程中溫度升高等因素的影響,氣泡會(huì)呈現(xiàn)擴(kuò)大化的趨勢(shì),長(zhǎng)期情況下,氣泡部位的EVA會(huì)與背板和玻璃脫層,導(dǎo)致水汽等侵蝕組件內(nèi)部,影響組件正常的使用,導(dǎo)致組件在使用過(guò)程中功率下降甚至報(bào)廢,在大規(guī)模光伏發(fā)電陣列中,一個(gè)組件的故障會(huì)在發(fā)電系統(tǒng)中形成很大的電阻,影響整個(gè)發(fā)電系統(tǒng)的正常運(yùn)行,所以組件封裝過(guò)程中對(duì)氣泡的要求非常嚴(yán)格,目前的太陽(yáng)能電池封裝工藝主要靠抽真空排氣,對(duì)真空、溫度、時(shí)間等工藝參數(shù)的配合要求很高,一旦出現(xiàn)工藝或設(shè)備上小的偏差,就會(huì)造成氣泡缺陷的發(fā)生。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的為克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷,提供一種光伏組件層壓機(jī)及層壓工藝。
[0004]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種光伏組件層壓機(jī),包括上腔室、下腔室、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng),層壓時(shí)置放光伏組件的下腔室內(nèi)的面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的端部處于該傾斜平面上的較高位置,進(jìn)一步的,所述的傾斜平面與水平方向的夾角為1°_3°,進(jìn)一步的,所述的傾斜平面與水平方向的夾角為1.5°-2.5°。
[0005]一種光伏組件層壓工藝,采用層壓機(jī)進(jìn)行層壓,所述的層壓機(jī)包括上腔室、下腔室、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng),層壓時(shí)置放光伏組件的下腔室面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的段處于該平面上的較高位置,包括以下步驟: A:光伏組件進(jìn)入層壓機(jī),傳輸系統(tǒng)將光伏組件傳輸?shù)綄訅簷C(jī)的下腔室內(nèi),置放光伏組件的下腔室內(nèi)的面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的端部處于該傾斜平面上的較高位置;
B:預(yù)抽真空預(yù)熱階段,合上層壓機(jī)上蓋,真空系統(tǒng)對(duì)下腔室進(jìn)行抽真空,同時(shí)加熱系統(tǒng)對(duì)組件進(jìn)行加熱,在這一過(guò)程中,上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣,使上腔室上的硅膠板施加給光伏組件瞬時(shí)壓力,該壓力由于傾斜面的存在,組件離引線口較近的端部先接受到短時(shí)壓力,組件離引線口較遠(yuǎn)的端部后接受到短時(shí)壓力,;
C:層壓階段;真空和溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí),合上上蓋對(duì)上腔室充氣保壓,硅膠板持續(xù)一定時(shí)間對(duì)組件施加壓力完成組件層壓。進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣在溫度不高于90°C時(shí)進(jìn)行,進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣在溫度不高于75V時(shí)進(jìn)行,進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣,充氣時(shí)上腔室與下腔室的壓力差控制在4000Pa以內(nèi),進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣,充氣狀態(tài)時(shí)的時(shí)長(zhǎng)不超過(guò)40秒。
[0006]本發(fā)明所具有的積極技術(shù)效果為:本發(fā)明在置放光伏組件的下腔室平面有一個(gè)小的傾斜度,在硅膠板充氣對(duì)光伏組件產(chǎn)生壓力時(shí),由于有這一小傾斜度的存在,組件沿層壓機(jī)長(zhǎng)度方向上受力是不同時(shí)的,接近引線口的端部首先受力,這種方式可以在組件內(nèi)部受到的壓力在時(shí)間軸上從前到后逐漸產(chǎn)生,能夠在組件內(nèi)部為氣體逃逸形成有效的通道,特別是由于組件內(nèi)部凸凹部位密封的氣體,在升溫階段的一定壓力下會(huì)被擠壓出來(lái),由于施加的壓力較小,時(shí)間較短,充氣施加壓力后還要馬上抽取真空,到一定時(shí)間后才對(duì)上室充氣,所以本工藝不會(huì)對(duì)EVA的固化產(chǎn)生影響,短時(shí)施加壓力還對(duì)組件內(nèi)部起到一定的均化作用,有利于消除組件內(nèi)部溫度、幾何位置等方面的差異,由于本發(fā)明中的置放組件的面的傾斜度非常小,不會(huì)在保壓過(guò)程中導(dǎo)致組件前后方向受力明顯差異而產(chǎn)生其它封裝質(zhì)量問(wèn)題。本發(fā)明所提供的層壓機(jī)及層壓工藝,能夠大幅的降低在太陽(yáng)能電池組件封裝過(guò)程中氣泡缺陷的發(fā)生,特別是匯流帶及引線口附近的氣泡缺陷采用本發(fā)明后大幅降低,本發(fā)明容易實(shí)現(xiàn),應(yīng)用在太陽(yáng)能組件封裝中能夠有效的提聞組件封裝質(zhì)量,提聞良品率。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1是本發(fā)明的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]為了更充分的解釋本發(fā)明的實(shí)施,提供本發(fā)明的實(shí)施實(shí)例,這些實(shí)施實(shí)例僅僅是對(duì)本發(fā)明的闡述,不限制本發(fā)明的范圍。
[0009]一種光伏組件層壓機(jī),包括上腔室、下腔室、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng),層壓時(shí)置放光伏組件的下腔室內(nèi)的面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的端部處于該傾斜平面上的較高位置,進(jìn)一步的,所述的傾斜平面與水平方向的夾角為1°_3°,進(jìn)一步的,所述的傾斜平面與水平方向的夾角為1.5°-2.5°。
[0010]一種光伏組件層壓工藝,采用層壓機(jī)進(jìn)行層壓,所述的層壓機(jī)包括上腔室、下腔室、真空系統(tǒng)、控制系統(tǒng),層壓時(shí)置放光伏組件的下腔室面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的段處于該平面上的較高位置,包括以下步驟:
A:光伏組件進(jìn)入層壓機(jī),傳輸系統(tǒng)將光伏組件傳輸?shù)綄訅簷C(jī)的下腔室內(nèi),置放光伏組件的下腔室內(nèi)的面為一傾斜平面,該傾斜平面與水平方向有一夾角,層壓時(shí)光伏組件的放置方向?yàn)殡x引線口較近的端部處于該傾斜平面上的較高位置;
B:預(yù)抽真空機(jī)余熱階段,合上層壓機(jī)上蓋,真空系統(tǒng)對(duì)下腔室進(jìn)行抽真空,同時(shí)加熱系統(tǒng)對(duì)組件進(jìn)行加熱,在這一過(guò)程中,上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣,使上腔室上的硅膠板施加給光伏組件瞬時(shí)壓力,該壓力由于傾斜面的存在,組件離引線口較近的端部先接受到短時(shí)壓力,組件離引線口較遠(yuǎn)的端部后接受到短時(shí)壓力,;
C:層壓階段;真空和溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí),合上上蓋對(duì)上腔室充氣保壓,硅膠板持續(xù)一定時(shí)間對(duì)組件施加壓力完成組件層壓。進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣在溫度不高于90°C時(shí)進(jìn)行,進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣在溫度不高于75°C時(shí)進(jìn)行,進(jìn)一步的,所述的步驟B中對(duì)上腔室進(jìn)行一次或多次充氣抽氣,充氣時(shí)上腔室與下腔室的壓力差控制在4000Pa以