對活性能量線硬化性樹脂照射UV而使用的情況?；钚阅芰烤€硬化性樹脂優(yōu) 選為通過在光聚合引發(fā)劑的存在下照射UV進行聚合而硬化者。作為光聚合引發(fā)劑，例如可 列舉：各種安息香衍生物、二苯甲酮衍生物、苯基酮衍生物、鑰鹽光引發(fā)劑、有機金屬光引發(fā) 劑、金屬鹽陽離子光引發(fā)劑、光分解性有機硅烷、潛在性磺酸、氧化膦等。相對于活性能量線 硬化性樹脂100重量份，光聚合引發(fā)劑的添加量優(yōu)選為設為1重量份~5重量份。
[0096] 熱硬化性樹脂必須以所期望的硬化溫度（80°C~160°C )、時間（30秒鐘~180秒 鐘）迅速硬化。也可根據(jù)樹脂的種類而使用硬化反應引發(fā)劑或硬化反應促進劑。例如為環(huán) 氧系樹脂時，可列舉：脂肪族胺或芳香族胺的胺類、聚酰胺樹脂、三級胺及二級胺、咪唑類、 聚硫醇、酸酐類、路易斯酸絡合物，為三聚氰胺系樹脂時，可列舉：磺酸系催化劑，為氨基甲 酸酯系樹脂時，可列舉：有機金屬系氨基甲酸酯化催化劑及三級胺系氨基甲酸酯化催化劑 等。
[0097] 活性能量線硬化性樹脂與熱硬化性樹脂的混合比以重量比計優(yōu)選為80 : 20~ 30 : 70的比率。若熱硬化性樹脂為20重量％以上，則可發(fā)揮出耐熱性、耐溶劑性，若熱硬 化性樹脂為70重量％以下，則適于模內成形（特別是對于模具的追隨）。
[0098] 面涂層L2的膜厚優(yōu)選為0· 1 μ m~50 μ m，更優(yōu)選為1 μ m~20 μ m。若面涂層L2 的膜厚為〇. I ym以上，則容易形成熱硬化性樹脂的交聯(lián)結構，因此難以引起耐久性或耐化 學品性的降低。另外，若膜厚為50 μm以下，則可避免因溶劑干燥時的殘存溶劑量變多而硬 化后的涂膜的硬度或耐久性不充分。
[0099] 面涂層L2是通過在脫模層Ll上涂布以上述樹脂為主成分的涂布液，將所得的涂 膜加熱，并使其干燥及硬化而得以層疊。涂布液中除了上述樹脂以外，根據(jù)需要可混合蠟、 二氧化娃、塑化劑、流平劑（leveling agent)、表面活性劑、分散劑、消泡劑等各種添加劑或 溶劑。層疊中優(yōu)選為使用將涂布液均勻地涂布的濕式涂布法。
[0100] 在面涂層L2的形成中，只要使用利用加熱而使熱硬化性樹脂硬化的條件即可。例 如通常在80°C~160°C、優(yōu)選為120°C~150°C的加熱溫度下加熱即可。此時，在使用烘箱 時，加熱30秒鐘~180秒鐘即可。在加熱溫度低時、或加熱時間短時，有可能溶劑殘存，而 熱硬化性樹脂的交聯(lián)硬化不充分。另外，在加熱溫度高時、或加熱時間長時，基材膜會產生 熱波（heat wave)。優(yōu)選為根據(jù)樹脂的種類、混合比率而適當選定適合的加工條件。
[0101] 面涂層可具有表面改性功能。例如可使用硅酮化合物、氟化合物、含有氟倍半硅氧 烷的化合物等表面改性劑，而賦予拒水、拒油功能或防污功能。也可實施使用有機系、無機 系的低折射率材料、高折射材料的低反射處理（抗反射（Anti-Reflection，AR)處理），而 賦予抗反射功能。另外，還可使用含有有機、無機粒子等的防眩處理劑，賦予防眩功能。可 進一步調整拒水、拒油性，而賦予抑制、防止指紋的附著的功能等。面涂層的表面改性如圖 1(a)所示般，可通過在面涂層L2的涂布液中添加表現(xiàn)出表面改性功能的化合物來形成面 涂層L2而進行。或者如圖I (b)所示般，可形成包含表現(xiàn)出表面改性功能的化合物的表面改 性層L2a，而形成具有表面改性層L2a的面涂層L2'。表現(xiàn)出表面改性功能的化合物（樹 脂等）優(yōu)選為根據(jù)所要求的功能進行適當選擇。
[0102] 在形成具有表面改性層的面涂層L2'時，首先，制備以表現(xiàn)出表面改性功能的化 合物為主成分的涂布液，并涂布于脫模層Ll上，對所得的涂膜根據(jù)需要進行加熱、干燥，而 使其硬化（L2a的形成）。繼而，將面涂層L2的涂布液涂布于表面改性層L2a上，對所得的 涂膜進行加熱、干燥，而使其硬化（L2b的形成）。若如此，則因在轉印時將基材LO與脫模 層Ll自模內成形用轉印膜剝離而除去，故可在表面?zhèn)刃纬删哂斜砻娓男詫覮2a的面涂層 L2，。
[0103] 在對面涂層賦予作為表面改性功能的防污功能時，有使用使污垢的附著降低的防 污劑的方法。防污劑優(yōu)選為選自由硅酮化合物、氟化合物、氟倍半硅氧烷、W02008/072766及 W02008/072765所記載的氟倍半硅氧烷聚合物所組成的組群的一種以上的化合物。
[0104] 作為硅酮化合物，可列舉：BYK-UV3500、BYK-UV-3570(均為畢克化學 (BYK-Chemie)公司制造 ），TEGO Rad2100、TEGO Rad2200N、TEGO Rad2250、TEGO Rad2500、 TEGO Rad2600、TEGO Rad2700(均為德固賽（Degussa)公司制造），X-22-2445、X-22-2455、 X-22-2457、X-22-2458、X-22-2459、X-22-1602、X-22-1603、X-22-1615、X-22-1616、 X-22-1618、X-22-1619、X-22-2404、X-22-2474、X-22-174DX、X-22-8201、X-22-2426、 X-22-164A、X-22-164C(均為信越化學工業(yè)（股）制造）等。
[0105] 作為氟化合物，可列舉：大金工業(yè)（股）制造的奧普次（OPTOOL)DAC、奧普次 (0PT00L) DAC-HP、R-1110、R-1210、R-1240、R-1620、R-1820、R-2020、R-5210、R-5410、 R-5610、R-5810、R-7210、R-7310 等。
[0106] 而且，表現(xiàn)出表面改性功能的化合物例如可為：具有下述式（I)所示的分子結構 的氟倍半硅氧烷化合物或含有上述氟倍半硅氧烷化合物的聚合物（均聚物或共聚物）。 使用下述式（I)所示的化合物而聚合的聚合物由于是氟系硅酮化合物，因此可對面涂層 L2(L2')賦予使污垢的附著降低的功能。如實施例4、實施例5所示般，實際上可謀求高硬 度化，并且可利用低表面自由能化，而提高與防污、耐指紋功能的賦予相關的拒水、拒油性。
[0107] [化 1]
[0108]
【主權項】
1. 一種模內成形用轉印膜，其具備： 轉印層，其在模內成形中被轉印至轉印對象物，且在轉印后通過照射活性能量線而硬 化，以及 膜狀的基材； 所述轉印層具有： 面涂層，其層疊于所述基材上，且在模內成形后配置于成形體的表面，以及 導電體層，其層疊于所述面涂層的與所述基材側相反的一側，且層疊于所述面涂層 上； 所述面涂層由包含活性能量線硬化性樹脂與熱硬化性樹脂的混合組成來構成， 所述導電體層由選自由具有撓性的金屬、碳、導電性聚合物所組成的組群的至少一種 來形成。
2. 根據(jù)權利要求1所述的模內成形用轉印膜，其中所述轉印層通過轉印前的加熱而使 所述面涂層所含的熱硬化性樹脂硬化。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的模內成形用轉印膜，其中所述熱硬化性樹脂包含環(huán)氧系 樹脂、三聚氰胺系樹脂、氨基甲酸酯系樹脂的至少一種。
4. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的模內成形用轉印膜，其中所述面涂層包含表面 改性成分、或在成為所述成形體的表面的面具有表面改性層。
5. 根據(jù)權利要求4所述的模內成形用轉印膜，其中所述表面改性成分、或所述表面改 性層包含選自硅酮化合物、氟化合物及含有氟倍半硅氧烷的化合物的至少一種。
6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的模內成形用轉印膜，其中所述轉印層具有含有 經硬化的熱硬化性樹脂的增粘層，所述增粘層位于所述面涂層與所述導電體層之間，且直 接層疊于所述面涂層上，并提高所述面涂層與其他層的密接性； 所述面涂層與所述增粘層所含的熱硬化性樹脂的至少一種為相同種類。
7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的模內成形用轉印膜，其中所述轉印層還具有： 印刷層，其層疊于所述增粘層上、或所述導電體層上。
8. 根據(jù)權利要求1至7中任一項所述的模內成形用轉印膜，其中所述轉印層還具有： 粘接層，其在所述模內成形中與所射出的模內成形用樹脂密接。
9. 一種模內成形體的制造方法，其包括：以所述基材側成為模具側的方式，將根據(jù)權 利要求1至8中任一項所述的模內成形用轉印膜疊加配置于所述模具的步驟；及 對所述模內成形用轉印膜射出模內成形用樹脂的步驟。
10. -種成形體，其具備：根據(jù)權利要求1至8中任一項所述的模內成形用轉印膜的轉 印層；及 轉印了上述轉印層的轉印對象物。
【專利摘要】本發(fā)明獲得一種耐熱性、耐久性、成形性優(yōu)異，且抑制澆口溢流的產生，并可維持導電性的模內成形用轉印膜。本申請的模內成形用轉印膜具備：轉印層11，其在模內成形中被轉印至轉印對象物，且在轉印后通過照射活性能量線而硬化；及膜狀的基材L0。轉印層11具有：面涂層L2，其層疊于基材L0上，且在模內成形后配置于成形體的表面；及導電體層L4，其層疊于面涂層L2的與基材L0側相反的一側，且層疊于面涂層L2上。面涂層L2由包含活性能量線硬化性樹脂與熱硬化性樹脂的混合組成來構成，導電體層L4由選自由具有撓性的金屬、碳、導電性聚合物所組成的組群的至少一種來形成。
【IPC分類】B32B15-08, B32B7-02, B29C45-14
【公開號】CN104870185
【申請?zhí)枴緾N201380066593
【發(fā)明人】伊藤賢哉, 大熊康之
【申請人】捷恩智株式會社
【公開日】2015年8月26日
【申請日】2013年12月2日
【公告號】WO2014097876A1