氣體阻隔性膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及氣體阻隔性膜。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及保存穩(wěn)定性?xún)?yōu)異的氣體阻隔 性膜。
【背景技術(shù)】
[0002] 以往，在食品、包裝材料、醫(yī)藥品等的領(lǐng)域中，為了防止水蒸汽、氧等的氣體的透 過(guò)，使用具有在樹(shù)脂基材的表面設(shè)有金屬、金屬氧化物的蒸鍍膜等的無(wú)機(jī)膜的比較簡(jiǎn)易的 構(gòu)造的氣體阻隔性膜。
[0003] 近年來(lái)，這樣的防止水蒸汽、氧等的透過(guò)的氣體阻隔性膜也一直被利用于液晶顯 示元件（LCD)、太陽(yáng)能電池（PV)、有機(jī)電致發(fā)光（EL)等的電子器件的領(lǐng)域。為了對(duì)這樣的 電子器件賦予柔性和輕而不易破裂的性質(zhì)，并不需要硬而容易破裂的玻璃基板，而是需要 具有高氣體阻隔性的氣體阻隔性膜。
[0004] 作為用于得到可應(yīng)用于電子器件的氣體阻隔性膜的計(jì)策，已知有在樹(shù)脂基材上通 過(guò)等離子體CVD法（Chemical Vapor Deposition :化學(xué)氣相生長(zhǎng)法、化學(xué)蒸鍍法）在膜等 的基材上形成氣體阻隔層的方法、將以聚硅氮烷為主要成分的涂布液涂布在基材上后、實(shí) 施表面處理（改性處理）而形成氣體阻隔層的方法。
[0005] 例如在日本特開(kāi)2009-255040號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)有為了實(shí)現(xiàn)用于得到高氣體阻隔性 的氣體阻隔層的厚膜化和抑制厚膜化氣體阻隔層的開(kāi)裂的兼顧而將含有聚硅氮烷的液體 使用濕式涂布法形成聚硅氮烷膜的工序和對(duì)該聚硅氮烷膜照射真空紫外線的工序分別重 復(fù)進(jìn)行2次以上而在基材上層疊薄膜的技術(shù)。
[0006] 另外，在日本特開(kāi)2012-148416號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)有通過(guò)在含硅膜中添加過(guò)渡金屬 來(lái)提高耐擦傷性的阻隔膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 在日本特開(kāi)2009-255040號(hào)公報(bào)及日本特開(kāi)2012-148416號(hào)公報(bào)中記載的氣體阻 隔性膜中，氣體阻隔層通過(guò)對(duì)聚硅氮烷膜照射真空紫外線進(jìn)行改性來(lái)形成。但是，氣體阻 隔層由于自照射真空紫外線的表面?zhèn)缺桓男?，因此氧、水分不進(jìn)入到氣體阻隔層內(nèi)部，殘留 可通過(guò)水解而產(chǎn)生氨的未反應(yīng)（未改性）區(qū)域。該未反應(yīng)（未改性）區(qū)域在高溫、高濕環(huán) 境下緩慢反應(yīng)，由此產(chǎn)生副產(chǎn)物，因該副產(chǎn)物的擴(kuò)散，氣體阻隔層有時(shí)受到變形、破壞，其結(jié) 果，存在氣體阻隔性緩慢下降的問(wèn)題。
[0008] 因此，本發(fā)明是鑒于上述實(shí)際情況而完成的，其目的在于提供保存穩(wěn)定性、特別是 嚴(yán)酷的條件（高溫高濕條件）下的保存穩(wěn)定性?xún)?yōu)異的氣體阻隔性膜。
[0009] 本發(fā)明人為了解決上述問(wèn)題進(jìn)行了潛心研宄。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)：通過(guò)含有具有特定組 成的含硅膜的氣體阻隔性膜可解決上述課題，以至完成了本發(fā)明。
[0010]即，本發(fā)明為氣體阻隔性膜，其含有：基材；和具有由下述化學(xué)式（1)所示的化學(xué) 組成、且滿(mǎn)足下述數(shù)學(xué)式1及下述數(shù)學(xué)式2的關(guān)系的含硅膜。
[0011] [化 1]
[0012] SiOxNyMz ... (I)
[0013] [數(shù) 1]
[0014] 0. 001 ^ Y/(X+Y) ^ 0. 25 …數(shù)學(xué)式 I
[0015] 3. 30 彡 3Y+2X 彡 4. 80 …數(shù)學(xué)式 2
[0016] 上述化學(xué)式（1)中，M表示選自由長(zhǎng)式元素周期表的第2~第14族的元素組成的 組中的至少一種（但不包括硅及碳），χ為氧相對(duì)于硅的原子比，y為氮相對(duì)于硅的原子比， z為M相對(duì)于硅的原子比，為0.01~0.3，
[0017] 上述數(shù)學(xué)式1及所述數(shù)學(xué)式2中，X = x/(l+(az/4))、Y = y/(l+(az/4))，其中，a 為元素 M的價(jià)數(shù)。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 圖1為表示為了制造本發(fā)明涉及的阻隔層而可優(yōu)選利用的制造裝置的一個(gè)例子 的示意圖，1為氣體阻隔性膜，2為基材，3為阻隔層，31為制造裝置，32為送出輥，33、34、35、 及36為輸送輥，39及40為成膜輥，41為氣體供給管，42為等離子體發(fā)生用電源，43及44 為磁場(chǎng)發(fā)生裝置，45為卷繞輥。
【具體實(shí)施方式】
[0019] 本發(fā)明為氣體阻隔性膜，其含有：基材；和具有由下述化學(xué)式（1)所示的化學(xué)組 成、且滿(mǎn)足下述數(shù)學(xué)式1及下述數(shù)學(xué)式2的關(guān)系的含硅膜。
[0020] [化 2]
[0021] SiOxNyMz ... (1)
[0022] [數(shù) 2]
[0023] 0. 001 ^ Y/(X+Y) ^ 0. 25 …數(shù)學(xué)式 1
[0024] 3. 30 彡 3Υ+2Χ 彡 4. 80 …數(shù)學(xué)式 2
[0025] 上述化學(xué)式（1)中，M表示選自由長(zhǎng)式元素周期表的第2~第14族的元素組成的 組中的至少一種（但不包括硅及碳）（以下，也簡(jiǎn)稱(chēng)為"添加元素")，X為氧相對(duì)于硅的原子 比，y為氮相對(duì)于娃的原子比，ζ為M相對(duì)于娃的原子比，為0. 01~0. 3，
[0026] 上述數(shù)學(xué)式1及所述數(shù)學(xué)式2中，X = x/(l+(az/4))、Y = y/(l+(az/4))，其中，a 為元素 M的價(jià)數(shù)。
[0027] 為了得到更高的氣體阻隔性，需要增加對(duì)聚硅氮烷膜進(jìn)行改性的紫外線的光量、 層疊多個(gè)氣體阻隔層。然而，還存在如下問(wèn)題：改性的進(jìn)行度、層疊數(shù)越增加，膜厚越變大， 越會(huì)使生產(chǎn)率降低，并且膜中的內(nèi)部收縮應(yīng)力增加，作為柔性氣體阻隔性膜的特征即柔軟 性（撓性）降低，相對(duì)于彎曲等物理應(yīng)力的耐久性降低。
[0028] 與此相對(duì)，本發(fā)明的氣體阻隔性膜，具有基材和具有由上述化學(xué)式（1)所示的化 學(xué)組成、且同時(shí)滿(mǎn)足上述數(shù)學(xué)式1及數(shù)學(xué)式2的關(guān)系的含硅膜。具有這樣的構(gòu)成的本發(fā)明的 氣體阻隔性膜維持高的氣體阻隔性，同時(shí)保存穩(wěn)定性、特別是嚴(yán)酷的條件（高溫高濕條件） 下的保存穩(wěn)定性?xún)?yōu)異。另外，本發(fā)明的氣體阻隔性膜具有優(yōu)異的柔軟性（撓性）。
[0029] 為什么本發(fā)明的氣體阻隔性膜保存穩(wěn)定性?xún)?yōu)異？詳細(xì)的理由尚未明確，但考慮 為如下所述的理由。
[0030] 本發(fā)明涉及的含硅膜通過(guò)具有添加元素（化學(xué)式（1)中的元素 M)，膜的規(guī)整性 降低，熔點(diǎn)下降，因制膜工序中的熱或光，膜的柔軟性提高或膜熔解。認(rèn)為通過(guò)該膜的柔軟 性的提高或膜的熔解而修復(fù)缺陷，含硅膜成為致密的膜，氣體阻隔性提高。另外，認(rèn)為通過(guò) 膜的柔軟性的提高或膜的熔解使流動(dòng)性變高，由此供給氧至含硅膜的內(nèi)部，成為改性進(jìn)行 至膜內(nèi)部的含硅膜（阻隔膜），成為在制膜結(jié)束的狀態(tài)下抗氧化性高的含硅膜（阻隔膜）。 進(jìn)而，在不含添加元素的阻隔膜中，照射活性能量線時(shí)，懸掛鍵增加或250nm以下的吸光度 增大，活性能量線不易緩慢侵入至膜內(nèi)部，僅對(duì)膜表面進(jìn)行改性。與此相對(duì)，本發(fā)明的含硅 膜的理由尚未明確，但認(rèn)為隨著照射活性能量線，低波長(zhǎng)側(cè)的吸光度減少，因此，從含硅膜 (阻隔膜）的表面進(jìn)行改性至內(nèi)部，成為耐受高溫高濕環(huán)境的膜。
[0031] 予以說(shuō)明，上述的機(jī)制是通過(guò)推定而得到的，本發(fā)明并不受上述機(jī)制任何限定。
[0032] 以下，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。予以說(shuō)明，本發(fā)明并不僅限定于以下 的實(shí)施方式。
[0033] 另外，在本說(shuō)明書(shū)中，表示范圍的"X~Y"是指"X以上Y以下"，"重量"和"質(zhì)量"、 "重量％ "和"質(zhì)量％ "及"重量份"和"質(zhì)量份"作為同義詞處理。另外，只要沒(méi)有特別說(shuō)明， 操作及物性等的測(cè)定在室溫（20~25°C )/相對(duì)濕度40~50%的條件下測(cè)定。
[0034] 〈氣體阻隔性膜〉
[0035] 本發(fā)明的氣體阻隔性膜具有基材和含硅膜。本發(fā)明的氣體阻隔性膜可以進(jìn)一步含 有其它部件。本發(fā)明的氣體阻隔性膜例如可以在基材和含硅膜之間、在含硅膜上或未形成 有含硅膜的基材的另一面具有其它部件。在此，作為其它部件沒(méi)有特別限制，現(xiàn)有的氣體阻 隔性膜中所使用的部件可同樣或者適宜修飾后使用。具體而言，可以舉出：含有硅、碳、及氧 的阻隔層、平滑層、錨涂層、滲出防止層、以及保護(hù)層、吸濕層或防靜電層的功能化層等。
[0036] 予以說(shuō)明，在本發(fā)明中，含硅膜可以以單一層的形式存在，或者也可以具有2層以 上的層疊結(jié)構(gòu)。
[0037] 進(jìn)而，在本發(fā)明中，含硅膜只要形成于基材的至少一面即可。因此，本發(fā)明的氣體 阻隔性膜包含在基材的一面形成有含硅膜的形態(tài)、及在基材的兩面形成有含硅膜的形態(tài)兩 者。
[0038] [基材]
[0039] 本發(fā)明的氣體阻隔性膜通?？墒褂盟芰夏せ蚱淖鳛榛模蓛?yōu)選使用由無(wú)色透 明的樹(shù)脂構(gòu)成的膜或片材。所使用的塑料膜只要為可保持含硅膜等的膜，其材質(zhì)、厚度等沒(méi) 有特別限制，可根據(jù)使用目的等適宜選擇。作為上述塑料膜，具體而言，可以舉出：聚酯樹(shù) 月旨、甲基丙烯酸樹(shù)脂、甲基丙烯酸-馬來(lái)酸共聚物、聚苯乙烯樹(shù)脂、透明氟樹(shù)脂、聚酰亞胺、 氟化聚酰亞胺樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚酰胺酰亞胺樹(shù)脂、聚醚酰亞胺樹(shù)脂、纖維素?；飿?shù)脂、 聚氨酯樹(shù)脂、聚醚醚酮樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、脂環(huán)式聚烯烴樹(shù)脂、聚芳酯樹(shù)脂、聚醚砜樹(shù)脂、 聚砜樹(shù)脂、環(huán)烯烴共聚物、芴環(huán)改性聚碳酸酯樹(shù)脂、脂環(huán)改性聚碳酸酯樹(shù)脂、芴環(huán)改性聚酯 樹(shù)脂、丙烯?；衔锏葻崴苄詷?shù)脂。
[0040] 在將本發(fā)明涉及的氣體阻隔性膜作為有機(jī)EL元件等電子器件的基板來(lái)使用的情 況下，優(yōu)選上述基材由具有耐熱性的材料形成。
[0041] 基材的Tg、線膨脹系數(shù)可通過(guò)添加劑等來(lái)調(diào)整。作為可作為基材來(lái)使用的熱塑性 樹(shù)脂的更優(yōu)選的具體例，例如可以舉出：聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET :70°C )、聚萘二甲酸 乙二醇酯（PEN:120°C )、聚碳酸酯（PC:140°C )、脂環(huán)式聚烯烴（例如日本七'才 >株式會(huì) 社制、七'才y 7 (注冊(cè)商標(biāo)）1600 :160°C )、聚芳酯（PAr :210°C )、聚醚砜（PES :220°C )、 聚砜（PSF :190°C )、環(huán)烯烴共聚物（COC:日本特開(kāi)2001-150584號(hào)公報(bào)中記載的化合物： 162°C )、聚酰亞胺（例如三菱力'只化學(xué)株式會(huì)社制、冬才7° y A (注冊(cè)商標(biāo)）：260°C )、芴 環(huán)改性聚碳酸酯（BCF-PC :日本特開(kāi)2000-227603號(hào)公報(bào)中記載的化合物：225°C )、脂環(huán)改 性聚碳酸酯（IP-PC :日本特開(kāi)2000-227603號(hào)公報(bào)中記載的化合物：205°C )、丙烯?；?合物（日本特開(kāi)2002-80616號(hào)公報(bào)中記載的化合物：300°C以上）等（括號(hào)內(nèi)表示Tg)。 [0042] 本發(fā)明涉及的氣體阻隔性膜中所使用的基材的厚度可根據(jù)用途適宜選擇，因此沒(méi) 有特別限制，典型而言為1~800 μ m，優(yōu)選為10~200 μ m。這些塑料膜也可以具有透明導(dǎo) 電層、底漆層等的功能層。對(duì)于功能層，除上述以外，還可以?xún)?yōu)選采用日本特開(kāi)2006-289627 號(hào)公報(bào)的段落編號(hào)"0036"~"0038"中記載的功能層。
[0043] 基材優(yōu)選表面的平滑性高。作為表面的平滑性，優(yōu)選平均表面粗糙度（Ra)為2nm 以下。下限沒(méi)有特別限定，實(shí)用上為〇. Olnrn以上。也可以根據(jù)需要對(duì)基材的兩面、至少設(shè) 置含硅膜的側(cè)進(jìn)行研磨來(lái)提高平滑性。
[0044]另外，使用了上述所舉出了的樹(shù)脂等的基材，可以為未拉伸膜，也可以為拉伸膜。
[0045] 本發(fā)明中所使用的基材可通過(guò)以往公知的一般的方法來(lái)制造。例如將作為材料的 樹(shù)脂通過(guò)擠出機(jī)來(lái)熔融、通過(guò)環(huán)狀模頭、T型模頭擠出而驟冷，由此可制造實(shí)質(zhì)上無(wú)定形的 未取向的未拉伸的基材。
[0046] 也可以對(duì)基材的至少設(shè)置本發(fā)明涉及的含硅膜側(cè)進(jìn)行用于密合性提高的公知的 各種處理、例如電暈放電處理、火焰處理、氧化處理、或等離子體處理、后述的底漆層的層疊 等，優(yōu)選根據(jù)需要組合進(jìn)行上述處理。
[0047] [含硅膜]
[0048] 本發(fā)明涉及的含硅膜為在基材的一面所形成的具有氣體阻隔性的膜（阻隔膜）、 具有由上述化學(xué)式（1)所示的化學(xué)組成。進(jìn)而，該含硅膜同時(shí)滿(mǎn)足上述數(shù)學(xué)式1及數(shù)學(xué)式 2所不的關(guān)系。
[0049] 上述化學(xué)式（1)中，X為氧相對(duì)于硅的原子比。該X優(yōu)選為I. 1~3. 1，更優(yōu)選為 1. 2~2. 7,最優(yōu)選為1. 3~2. 6,在含硅膜的厚度方向的平均值方面，也優(yōu)選為這樣的范圍。 [0050] 上述化學(xué)式（1)中，y為氮相對(duì)于硅的原子比。該y優(yōu)選為0.001~0.51，更優(yōu)選 為0. 01~0. 39,最優(yōu)選為0. 03~0. 37,在含硅膜的厚度方向的平均值方面，也優(yōu)選為這樣 的范圍。
[0051] 上述化學(xué)式（1)中，M為選自由除碳及硅以外的長(zhǎng)式元素周期表的第2~第14族 元素組成的組中的至少一種元素（添加元素）。認(rèn)為含有這些添加元素的本發(fā)明的含硅膜 的膜的規(guī)整性降低，熔點(diǎn)下降，因制膜工序中的熱或光而熔解，由此修復(fù)缺陷，成為更致密 的膜，氣體阻隔性提高。另外，認(rèn)為因熔解使流動(dòng)性變高，由此供給氧至含硅膜的內(nèi)部，成 為氧化進(jìn)行至膜內(nèi)部的含硅膜（阻隔膜），成為在制膜結(jié)束的狀態(tài)下抗氧化性高的含硅膜 (阻隔膜）。另外，在未添加上述添加元素的阻隔膜中，若照射活性能量線，則懸掛鍵增大或 250nm以下的吸光度增大，活性能量線不易緩慢侵入至含硅膜（阻隔膜）內(nèi)部，僅對(duì)含硅膜 (阻隔膜）的表面進(jìn)行改性。與此相對(duì)，本發(fā)明的含硅膜的理由尚未明確，但認(rèn)為隨著照射 活性能量線，低波長(zhǎng)側(cè)的吸光度減少，因此，從含硅膜（阻隔膜）的表面進(jìn)行改性至內(nèi)部，成 為耐受高溫高濕環(huán)境的膜。另外，認(rèn)為上述添加元素也具有作為聚硅氮烷的活性能量線照 射的改性中的催化劑的功能，認(rèn)為通過(guò)添加添加元素，可更高效地進(jìn)行后述的改性反應(yīng)。
[0052] 作為含硅膜中所含的添加元素的例子，例如可以舉出：鈹（Be)、硼（B)、鎂（Mg)、 鋁（Al)、鈣（Ca)、鈧（Sc)、鈦（Ti)、釩（V)、鉻（Cr)、錳（Mn)、鐵（Fe)、鈷（Co)、鎳（Ni)、銅 (Cu)、鋅（Zn)、鎵（Ga)、鍺（Ge)、鍶（Sr)、釔（Y)、鋯（Zr)、鈮（Nb)、鉬（Mo)、锝（Tc)、釕（Ru)、 銠（Rh)、鈀（Pd)、銀（Ag)、鎘（Cd)、銦（In)、錫（Sn)、鋇（Ba)、鑭（La)、鈰（Ce)、鐠（Pr)、 釹（Nd)、钷（Pm)、釤（Sm)、銪（Eu)、釓（Gd)、鋱（Tb)、鏑（Dy)、鈥（Ho)、鉺（Er)、銩（Tm)、鐿 (Yb)、镥（Lu)、鉿（Hf)、鉭（Ta)、鎢（W)、錸（Re)、鋨（Os)、銥（Ir)、鉑（Pt)、金（Au)、水銀 (Hg)、鉈（Tl)、鉛（Pb)、鐳（Ra)等。
[0053] 這些元素中，優(yōu)選硼（B)、鎂（Mg)、鋁（Al)、鈣（Ca)、鈦（Ti)、鉻（Cr)、錳（Mn)、鐵 (Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、鋅（Zn)、鎵（Ga)、鋯（Zr)、銀（Ag)、銦（In)，更優(yōu)選硼⑶、鎂（Mg)、 鋁（Al)、鈣（Ca)、鐵（Fe)、鎵（Ga)、銦（In)，進(jìn)一步優(yōu)選硼（B)、鋁（Al)、鎵（Ga)、銦（In)。 硼（B)、鋁（Al)、鎵（Ga)、銦（In)等IIIA元素為3價(jià)的原子價(jià)，與作為硅的原子價(jià)的4價(jià)相 比，價(jià)數(shù)不足，因此，膜的柔軟性變高。通過(guò)該柔軟性的提高而修復(fù)缺陷，含硅膜成為致密的 膜，氣體阻隔性提高。另外，通過(guò)柔軟性變高，供給氧至含硅膜的內(nèi)部，成為氧化進(jìn)行至膜內(nèi) 部的含硅膜（阻隔膜），成為在制膜結(jié)束的狀態(tài)下抗氧化性高的含硅膜（阻隔膜）。
[0054] 另外，添加元素可單獨(dú)使用1種或以2種以上的混合物的形態(tài)存在。
[0055] 上述化學(xué)式（1)中，z為氮相對(duì)于娃的原子比，為0· 01~0· 3。若z低于0· 01，則 不宜表現(xiàn)出添加的效果。另一方面，若z超過(guò)0. 3,則含硅膜的氣體阻隔性降低，根據(jù)元素的 種類(lèi)不同也會(huì)產(chǎn)生著色的問(wèn)題。該z優(yōu)選為〇. 02~0. 25,更優(yōu)選為0. 03~0. 2。
[0056] 進(jìn)而，本發(fā)明的含硅膜滿(mǎn)足上述數(shù)學(xué)式1及上述數(shù)學(xué)式2的關(guān)系。
[0057] 上述數(shù)學(xué)式1及上述數(shù)學(xué)式2中的X、Y認(rèn)為以所謂硅及添加元素作為主骨架，表 示硅及氧原子相對(duì)于該主骨架的比率及氮原子的比率。因此，上述數(shù)學(xué)式1中的ΥΛΧ+Υ) 表示氮相對(duì)于氧及氮的合計(jì)量的比例，對(duì)含硅膜的氧化穩(wěn)定性、透明性、撓性等造成影響。
[0058] 該ΥΛΧ+Υ)為0. 001以上且0. 25以下的范圍。若ΥΛΧ+Υ)低于0. 001，則撓性降 低，可能是由于無(wú)法應(yīng)對(duì)基材的變形，從高溫高濕環(huán)境下的時(shí)刻起顯示急劇的阻隔性降低。 另一方面，若超過(guò)0.25,則可能是由于氮大量存在，在高溫高濕下氮部分被氧化，阻隔性降 低。為了在高溫高濕環(huán)境下更穩(wěn)定，ΥΛΧ+Υ)為〇. 001~〇. 25,優(yōu)選為0. 02~0. 20。
[0059] 另外，上述數(shù)學(xué)式2的3Y+2X為3. 30以上且4. 80以下的范圍。若3Y+2X低于 3. 30,則顯示氧原子及氮原子相對(duì)于主骨架不足，認(rèn)為氧原子、氮原子不足量的硅成為不穩(wěn) 定的Si自由基而存在。該Si自由基由于與水蒸汽反應(yīng)，因此，含硅膜經(jīng)時(shí)變化，耐濕熱性降 低。另一方面，若3Y+2X超過(guò)4. 80,則氧原子、氮原子過(guò)量，在由硅及添加元素構(gòu)成的主骨架 中，-OH基、_順2基等末端基團(tuán)大量存在，分子間網(wǎng)絡(luò)未緊密連接，氣體阻隔性降低。3Y+2X 為3. 30~4. 80,優(yōu)選為3. 32~4. 40。
[0060] 另外，表示X及Y中的添加元素的價(jià)數(shù)的a直接采用后述的含硅膜的形成方法中 所使用的含有添加元素的化合物（以下，也簡(jiǎn)稱(chēng)為添加元素化合物）中的添加元素的價(jià)數(shù)。 在添加元素多個(gè)存在的情況下，采用基于添加元素的摩爾比進(jìn)行加權(quán)而得到的總和。
[0061] 具有如上所述的組成的含硅膜浸漬于溫度25°C的0. 125重量％氫氟酸水溶液的 蝕刻速度優(yōu)選為0. 1~40nm/min，更優(yōu)選為1~30nm/min。若在該范圍，則成為氣體阻隔 性和撓性的平衡優(yōu)異的含硅膜。另外，蝕刻速度的測(cè)定方法可通過(guò)日本特開(kāi)2009-111029 號(hào)公報(bào)中記載的方法進(jìn)行測(cè)定，更具體而言，可通過(guò)后述的實(shí)施例中記載的方法來(lái)測(cè)定。 [0062] 關(guān)于上述化學(xué)式（1)所示的化學(xué)組成以及上述數(shù)學(xué)式1及數(shù)學(xué)式2的關(guān)系，可通 過(guò)形成含硅膜時(shí)使用的硅化合物及添加元素化合物的種類(lèi)及量、以及對(duì)含有硅化合物及添 加元素化合物的層進(jìn)行改性時(shí)的條件來(lái)控制。以下，對(duì)含硅膜的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0063][含硅膜的形成方法]
[0064] 接著，對(duì)形成本發(fā)明的含硅膜的優(yōu)選的方法進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明的氣體阻隔性膜可 通過(guò)在上述基材的至少一方的表面上形成含硅膜來(lái)制造。作為在上述基材的表面上形成本 發(fā)明的含硅膜的方法沒(méi)有特別限制，例如可以舉出：對(duì)含有硅化合物和添加元素化合物的 層進(jìn)行加熱而改性的方法；對(duì)含有硅化合物和添加元素化合物的層照射活性能量線而改性 的方法等。
[0065] 含有硅化合物和添加元素化合物的層涂布含有硅化合物的涂布液而形成。
[0066](硅化合物）
[0067] 作為硅化合物，只要可制備含有硅化合物的涂布液就沒(méi)有特別限定。具體而言，例 如可以舉出：全氫聚硅氮烷、有機(jī)聚硅氮烷、倍半硅氧烷、四甲基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、 二甲基二甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、甲基 三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、1，1-二甲 基-1-硅雜環(huán)丁烷、三甲基乙烯基硅烷、甲氧基二甲基乙烯基硅烷、三甲氧基乙烯基硅烷、 乙基三甲氧基硅烷、二甲基二乙烯基硅烷、二甲基乙氧基乙炔基硅烷、二乙酰氧基二甲基硅 烷、二甲氧基甲基-3, 3, 3-三氟丙基硅烷、3, 3, 3-三氟丙基三甲氧基硅烷、芳基三甲氧基硅 烷、乙氧基二甲基乙烯基硅烷、芳基氨基三甲氧基硅烷、N-甲基-N-三甲基甲硅烷基乙酰 胺、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙烯基硅烷、二乙酰氧基甲基乙烯基硅烷、甲基三乙 酰氧基硅烷、芳氧基二甲基乙烯基硅烷、二乙基乙烯基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、3-氨基丙 基二甲基乙氧基硅烷、四乙烯基硅烷、三乙酰氧基乙烯基硅烷、四乙酰氧基硅烷、3-三氟乙 酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二芳基二甲氧基硅烷、丁基二甲氧基乙烯基硅烷、三甲基-3-乙 條基硫基丙基硅烷、苯基二甲基硅烷、^甲氧基甲基苯基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、3-丙條 酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二甲基異戊氧基乙烯基 硅烷、2-芳氧基乙硫基甲氧基三甲基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-芳基氨基 丙基三甲氧基硅烷、己基三甲氧基硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、二甲基乙氧基苯基硅 烷、苯甲酰氧基三甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基二甲氧基甲基硅烷、3-甲基丙烯酰氧 基丙基三甲氧基硅烷、3-異氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、二甲基乙氧基-3-環(huán)氧丙氧基丙基 硅烷、二丁氧基二甲基硅烷、3- 丁基氨基丙基三甲基硅烷、3-二甲基氨基丙基二乙氧基甲 基硅烷、2-(2-氨基乙硫基乙基）三乙氧基硅烷、雙（丁基氨基）二甲基硅烷、二乙烯基甲 基苯基硅烷、二乙酰氧基甲基苯基硅烷、二甲基-對(duì)甲苯基乙烯基硅烷、對(duì)苯乙烯基三甲氧 基硅烷、^乙基甲基苯基硅烷、芐基^甲基乙氧基硅烷、^乙氧基甲基苯基硅烷、癸基甲基 二甲氧基硅烷、二乙氧基-3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基硅烷、辛氧基三甲基硅烷、苯基三乙烯 基硅烷、四芳氧基硅烷、十^烷基二甲基硅烷、^芳基甲基苯基硅烷、^苯基甲