消影增透透明薄膜、導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電玻璃及觸摸屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及導(dǎo)電薄膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種消影增透透明薄膜、導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電 玻璃及觸摸屏。
【背景技術(shù)】
[0002] 透明導(dǎo)電氧化物薄膜為電容式觸摸屏的主要部件，該薄膜位于顯示區(qū)域，一般由 ΙΤ0膜蝕刻而成，ΙΤ0膜與觸摸屏基板的折射率不同導(dǎo)致顯示區(qū)內(nèi)電極（ΙΤ0)與電極縫隙的 可見光反射與透射光譜有較大區(qū)別，使電極與縫隙清晰可見（色差A(yù)f與大于1)，并 且顏色不呈中性（顏色值Ia"與Ib"大于1)。另外觸摸屏尺寸越大，要求ΙΤ0層的 面電阻越小，所需的ΙΤ0層的厚度就越厚，導(dǎo)致電極與縫隙的色差越明顯，可見光透過率也 降低，嚴重影響視覺效果，降低觸摸屏品質(zhì)。
[0003] 消影增透透明導(dǎo)電薄膜是目前國內(nèi)外解決色差問題、提高可見光透過率的主要手 段之一。消影增透透明導(dǎo)電薄膜一般由高、低折射率材料依次疊加外加最表面的ΙΤ0薄膜 組成，其中高折射率材料主要包括五氧化二鈮（Nb205)或者二氧化鈦（Ti02)薄膜等，低折 射率材料一般為Si02、MgF2薄膜等。但是由于Nb205 (折射率2. 3左右）或者Ti02 (折射率 2. 55-2. 76)薄膜的折射率較高，物理厚度微小改變將導(dǎo)致薄膜光學(xué)厚度（折射率X物理厚 度）發(fā)生明顯的變化，為了獲得消影效果，對高折射率材料的厚度控制要求非?？量?；另外 Nb、Ti材料的金屬、陶瓷靶材價格較高，也增加了消影增透透明導(dǎo)電薄膜的制造成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種消影增透透明薄膜，主要目的是提高消隱效果， 并且降低了工藝制作的難度，同時擴展消影膜對高折射率材料的選擇范圍。
[0005] 為達到上述目的，本發(fā)明主要提供如下技術(shù)方案：
[0006] -方面，本發(fā)明實施例提供了一種消影增透透明薄膜，設(shè)于基板上，所述消影增透 透明薄膜為至少一組復(fù)合膜層，其中每組復(fù)合膜層由高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層與SiOj莫層組 成，每組復(fù)合膜層中的高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層靠近基板一側(cè)，所述高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層 的折射率為1.75-2. 1。
[0007] 作為優(yōu)選，每組復(fù)合膜層中所述高折射率光學(xué)介質(zhì)薄膜選自以下ZnO薄膜、Si3N4 薄膜、Sn02薄膜或A1 203薄膜。
[0008] 另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種消影增透透明導(dǎo)電薄膜，設(shè)于基板上，包括消 影增透透明薄膜和ΙΤ0層，其中消影增透透明薄膜位于靠近基板一側(cè)，所述消影增透透明 薄膜為上述實施例所述的消影增透透明薄膜。
[0009] 另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種導(dǎo)電玻璃，包括基板、消影增透透明薄膜和 ΙΤ0層，其中基板的第一表面和與第一表面相對的第二表面分別設(shè)有消影增透透明薄膜，基 板的第一表面和/或第二表面的消影增透透明薄膜的表面設(shè)有ΙΤ0層，其中所述消影增透 透明薄膜為上述實施例所述的消影增透透明薄膜。
[0010] 作為優(yōu)選，所述基板的厚度為0. 1~1. 1mm;基板的第一表面一側(cè)的高折射率光學(xué) 介質(zhì)膜層的厚度為15~51nm，第一表面一側(cè)的SiOj莫層的厚度為11~70nm;基板的第二 表面一側(cè)的高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層的厚度為9~90nm，第二表面一側(cè)的SiOj莫層的厚度為 40~180nm;ΙΤ0層的厚度為13~70nm。
[0011] 另一方面，本發(fā)明實施例提供了一種觸摸屏，所述觸摸屏的導(dǎo)電玻璃為上述實施 例的導(dǎo)電玻璃。
[0012] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果在于：
[0013] 本發(fā)明實施例的消影增透透明薄膜采用折射率在1. 75-2. 1范圍內(nèi)的高折射率光 學(xué)介質(zhì)膜層與SiOj莫層組合構(gòu)成具有增透減反功能的復(fù)合膜層，該復(fù)合膜層單獨或組合形 成消影增透透明薄膜，通過光學(xué)干涉相消原理使得消影增透透明薄膜與ΙΤ0層組合形成導(dǎo) 電薄膜時，ΙΤ0層受蝕刻與未受蝕刻區(qū)域在D65光源條件下透過率大于85%，色值相近，且 均呈中性，有效降低膜層厚度對膜系顏色變化的影響，降低了對高折射率材料鍍膜控制工 藝的精度要求，使得消影效果更容易控制，并擴展了消影膜對高折射率材料的選擇范圍，降 低了生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0014] 圖1是本發(fā)明一實施例的導(dǎo)電玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖2是本發(fā)明實施例一、二、三、四中上高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層厚度變化時反射光 譜顏色a*、b*的變化趨勢圖。
【具體實施方式】
[0016] 下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。在 下述說明中，不同的"一實施例"或"實施例"指的不一定是同一實施例。此外，一或多個實 施例中的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特點可由任何合適形式組合。
[0017] 實施例一
[0018] 參見圖1，本實施例中的導(dǎo)電玻璃包括：基板1，基板1的第一表面上依次設(shè)有ZnO 材質(zhì)的第一高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層2、第一SiOj莫層3和ΙΤ0層6 ;基板1的第二表面上 依次設(shè)有ZnO材質(zhì)的第二高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層4和第二SiOj莫層5 ;Ζη0的折射率為為 2. 1 (波長550nm);基板1的厚度為0. 6mm;第一高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層2的厚度為16nm;第 一SiOj莫層3的厚度為30nm;第二高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層4的厚度為12nm;第二SiOJ莫 層5的厚度為100nm;IT0層6面電阻為120Ω/ □，厚度為23nm〇
[0019] 本實施例中的消影增透透明導(dǎo)電薄膜在D65光源條件下的可見光波段透過率及 反射率見下表1，透射顏色色值與反射顏色色值見下表2。
[0020] 將現(xiàn)有技術(shù)的以Nb205為消影透明導(dǎo)電薄膜作為對比例，其中的Nb205層的厚度變 化對顏色L、a*、b*值的影響與本實施例中以ZnO為材質(zhì)的高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層的厚度變 化對顏色L、a*、b*值的影響作對比，對比結(jié)果詳見圖2a和圖2b。
[0021] 實施例二
[0022] 如圖1所不，本發(fā)明實施例的導(dǎo)電玻璃與實施例一不同在于：第一高折射率光學(xué) 介質(zhì)膜層2和第二高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層4均為Si3N4膜層；Si3N4的折射率為1. 99 (波 長550nm);基板1的厚度為1. 1mm，第一高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層2的厚度為15nm，第二高 折射率光學(xué)介質(zhì)膜層4的厚度為10nm，第二Si02膜層5的厚度為90m，ITO層6面電阻為 140Ω/ □，厚度為 19nm。
[0023] 本實施例中的消影增透透明導(dǎo)電薄膜在D65光源條件下的可見光波段透過率及 反射率見下表1，透射顏色色值與反射顏色色值見下表2。
[0024] 將現(xiàn)有技術(shù)的以Nb205為消影透明導(dǎo)電薄膜作為對比例，其中的Nb205層的厚度變 化對顏色L、a*、b*值的影響與本實施例中以Si3N4為材質(zhì)的高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層的厚度 變化對顏色L、a*、b*值的影響作對比，對比結(jié)果詳見圖2a和圖2b。
[0025] 實施例三
[0026] 本實施例的導(dǎo)電玻璃與實施例一不同在于：第一高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層2和第 二高折射率光學(xué)介質(zhì)膜層4均為SnOj莫層；SnO2的折射率為