粗糖 度為其中表面要素從表面突出或嵌入的整個區(qū)域時，并且當在相同表面粗糖度下峰的高度 大并且谷的深度大時，可認為表面要素形成得尖銳。運可意味著當在相同表面粗糖度下峰 的高度小并且谷的深度小時，可認為表面要素形成得較純。
[0051] 在運種情況下，當析出面中谷的深度小并且示出于外部的暗部平均直徑大時，在 表面上表示為暗區(qū)的谷可進一步影響光澤度。即，運意味著，當谷的深度小并且暗區(qū)平均直 徑小時，示出于外部的暗區(qū)小，因此即使沒有額外的處理也可改善光澤度。
[0052] 因此，在光澤度方面，根據本發(fā)明的電沉積銅錐的析出面具有相對較大深度和較 小平均直徑的谷是優(yōu)選的。對于深度大并且平均直徑小的谷，需要表面要素的高度大并且 形成得尖銳。
[0053] 為此，根據本發(fā)明一個示例性實施方案的電沉積銅錐滿足W下表達式。
[0054] [表達式1]
[005引 1.5< (Rmax-Rz)/Ra<6.5
[0056] 在表達式1中，Ra意指析出面的中線平均粗糖度(μηι)，Rmax意指最大高度(μηι)，并 且Rz意指十點平均高度(皿）。
[0化7] 在該表達式中，當(Rmax-Rz)/Ra的值為6.5或更小時，可^在沒有后處理工藝的情 況下獲得高光澤度值。相比之下，當(Rmax-化)/Ra的值為1.5或更小時，Rmax與Rz之差太小， 表面要素從峰到谷的值普遍增加，因此整體表面粗糖度增加。
[0058] 由Rmax減去Rz獲得的值是由如下Rmax減去如下Rz獲得的值:Rz是由表面要素中五 個最高峰的高度和五個最深谷的深度相加獲得的值的平均值，Rmax是由表面要素中最高峰 至中線的高度和最深谷至中線的深度相加獲得的值。即，通過從Rmax中減去Rz獲得的值意 指基于表面要素之中線的最大垂直長度與五個峰和五個谷(包括最高峰和最低谷）的平均 值之差。差值大意味著最高峰與其余四個峰之間的高度差大，并且運意味著通常形成了具 有高度或深度偏差的表面要素。差值小意味著形成大量的高峰和深谷，并且表面要素的高 度偏差不大。然而，Rz表示五個峰和五個谷的值的平均值，從而可W通過將Ra代入表達式獲 得平均偏差。
[0059] 當在相同表面粗糖度下（Rmax-Rz)/Ra的值大時，析出面的表面要素的高度偏差 大，并且表面要素形成得較純。當（Rmax-Rz)/Ra的值小時，析出面的表面要素的高度偏差 小，并且表面要素形成得尖銳，從而改善表面光澤度。W下將參照示例性實施方案對(Rmax- Rz)/Ra的最大值和最小值進行進一步描述。
[0060] 在根據本發(fā)明示例性實施方案的電沉積銅錐中，析出面的表面粗糖度Rz為1.4μπι 或更小，熱處理之后的拉伸強度為40kgf/mm2，并且延伸率為4 %或更大。
[0061] 該電沉積銅錐是表面粗糖度為1.4WI1或更小的低粗糖度銅錐，并且具有40kgf/mm2 或更大的高拉伸強度，因此其機械強度高。此外，該電沉積銅錐即使在高溫熱處理之后仍具 有4%或更大的高延伸率。
[0062] 此外，根據本發(fā)明的電沉積銅錐的角部卷曲角度為0°至45°。角部卷曲角度意指當 將電沉積銅錐放置在平坦的面上時，在該電沉積銅錐的端部（即，角部或邊部)處彎曲的角。 已知當電沉積銅錐的內部能量不均勻時，發(fā)生電沉積銅錐的角部卷曲現象，并且當發(fā)生角 部卷曲現象時，如在PCB工藝中的例如沉積的工藝期間可產生多種缺陷（如角部撕裂），在裡 二次電池工藝中在涂覆活性材料期間角部可能被撕裂或折疊或者可產生權皺。當電沉積銅 錐的角部卷曲角度大時，難W在后續(xù)工藝中使用電沉積銅錐，所W角部卷曲角度可為0°至 45°。此外，將電沉積銅錐布置在平坦的底面上并切成X形，電沉積銅錐卷起切口部分的高度 稱為角部卷曲高度，并且角部卷曲高度可為0mm至40mm。在根據本發(fā)明的電沉積銅錐的情況 下，銅晶體內存在雜質，使得電沉積銅錐的強度高，因此預期角部卷曲程度大，但是雜質不 存在于銅晶界中，使得內部應力降低，因此角部卷曲程度減小。
[0063] 因此，電沉積銅錐可用于印刷電路板(PCB)/柔性PCB(FPC)和電池的集流體二者。
[0064] 在電沉積銅錐中，當析出面的表面粗糖度Rz大于1.4WI1時，用于負電極集流體的電 沉積銅錐的表面與活性材料之間的接觸面減小，使得充放電循環(huán)的壽命W及充電初始階段 的電容量可能減少。此外，當析出面的表面粗糖度Rz大于1.4WI1時，可能不容易在印刷線路 板上形成具有精細間距的局密度電路。
[0065] 電沉積銅錐具有拉伸強度為40kgf/mm2至70kgf/mm2的高強度特性。此外，即使在熱 處理之后，該電沉積銅錐的拉伸強度仍為40kgf/mm2至70kgf/mm2。熱處理可在例如150°C至 220°C下進行，并且特別地在180°C下進行。熱處理可進行30分鐘、1小時、2小時W及數小時。 進行熱處理是為了測量電沉積銅錐的拉伸強度，并且熱處理是在電沉積銅錐儲存或進入后 續(xù)工藝時為了獲得具有預定水平且不變的值的拉伸強度或延伸率而進行的處理。
[0066] 當熱處理之后電沉積銅錐的拉伸強度小于40kgf/mm2時，電沉積銅錐的機械強度 弱，使得電沉積銅錐難W處理。
[0067] 優(yōu)選的是，熱處理之后電沉積銅錐的拉伸強度與熱處理之前電沉積銅錐的拉伸強 度相似。熱處理之后電沉積銅錐的拉伸強度可為熱處理之前電沉積銅錐的拉伸強度的85% 至99%，并且當即使在熱處理之后強度仍保持不變時，在后續(xù)工藝中易于對電沉積銅錐進 行處理并且良品率增加。
[0068] 熱處理之前電沉積銅錐的延伸率可為2%至15%。此外，熱處理之后電沉積銅錐的 延伸率可為4%至15%，并且熱處理可在180°C下進行1小時。另外，熱處理之后電沉積銅錐 的延伸率可為熱處理之前電沉積銅錐的延伸率的1倍至4.5倍。
[0069] 當熱處理之后電沉積銅錐的延伸率小于4%時，當后續(xù)工藝為高溫工藝時可能產 生裂紋。例如，當電沉積銅錐用作二次電池的負電極集流體時，制造負電極集流體的工藝為 高溫工藝并且在充電/放電期間伴隨著活性材料層的體積變化，因此可能生成裂紋W及可 能導致缺陷。因此，需要電沉積銅錐在熱處理之后保持預定延伸率。
[0070] 在電沉積銅錐析出面的XRD譜中，可W看出，（200)晶面的衍射峰強度1(200)與 (111)晶面的衍射峰強度1(111)之比I(200VI(111)為0.5至1.0。
[0071] 例如，如圖6所示，析出面的XRD譜示出在衍射角（2目）為43.0° ±1.0°處的（111)晶 面的衍射峰和在衍射角（2Θ)為50.5° ±1.0°處的（200)晶面的衍射峰，并且其強度比I (200)/1(111)可為 0.5 至 1.0 或更大。
[0072] 例如，電沉積銅錐的強度比1(200 Vl(lll)可為0.5至0.8。在電沉積銅錐析出面的 XRD譜中，作為（200)晶面的取向指數(M(200))與（111)晶面的取向指數(M(lll))之比的Μ (200)/Μ(111)可為1.1至1.5。取向指數是通過W下獲得的值:預定樣品的特定晶面的相對 峰強度除w由對所有晶面無取向的標準樣品獲得的特定晶面的相對峰強度。例如，在電沉 積銅錐中，強度比M( 200) /M( 111)可為1.2至1.4。
[0073] 在180°C下熱處理1小時之后電沉積銅錐的延伸率可為10%或更大。即，在高溫熱 處理之后，電沉積銅錐可具有10%或更大的高延伸率。例如，高溫熱處理之后電沉積銅錐的 延伸率可為10%至20%。例如，高溫熱處理之后電沉積銅錐的延伸率可為10%至15%。例 如，高溫熱處理之后電沉積銅錐的延伸率可為10%至13%。熱處理之前電沉積銅錐的延伸 率可為2%或更大。例如，熱處理之前電沉積銅錐的延伸率可為2%至20%。例如，熱處理之 前電沉積銅錐的延伸率可為5%至20%。例如，熱處理之前電沉積銅錐的延伸率可為5%至 15%。例如，熱處理之前電沉積銅錐的延伸率可為5%至10%。術語"熱處理之前"意指25°C 至130°C，運是熱處理的高溫狀態(tài)之前的溫度。延伸率是由電沉積銅錐剛剛斷裂之前所延伸 的距離除W電沉積銅錐的初始長度獲得的值。
[0074] 電沉積銅錐的析出面的表面粗糖度Rz可為0.7μπι或更小。電沉積銅錐具有0.7μπι或 更小的表面粗糖度，使得電沉積銅錐可用于PCB/FPC的銅錐和用于二次電池之負電極集流 體的銅錐二者。例如，電沉積銅錐的析出面的表面粗糖度Rz可為0.5WI1或更小。例如，電沉積 銅錐的析出面的表面粗糖度Rz可為0.45μηι或更小。
[0075] 電沉積銅錐的析出面的表面粗糖度Ra可為0.15WI1或更小。電沉積銅錐具有0.15μπι 或更小的表面粗糖度，使得電沉積銅錐可用于PCB/FPC的銅錐和用于二次電池之負電極集 流體的銅錐二者。例如，電沉積銅錐的析出面的表面粗糖度Ra可為0.12μπι或更小。例如，電 沉積銅錐的析出面的表面粗糖度Ra可為0.11WI1或更小。
[0076] 熱處理之后電沉積銅錐的拉伸強度可為熱處理之前電沉積銅錐的拉伸強度的 85%或更大。例如，在180°C下熱處理1小時之后電沉積銅錐的拉伸強度可為熱處理之前電 沉積銅錐的拉伸強度的90%或更大。處理之前電沉積銅錐的拉伸強度是在沒有高溫熱處理 的情況下獲得的電沉積銅錐的拉伸強度。熱處理之前電沉積銅錐的拉伸強度可為40kgf/ mm2 至70k邑f/mm2〇
[0077] 在電沉積銅錐的析出面的寬度方向上的光澤度(Gs(60°))可為500或更大。例如， 在電沉積銅錐的析出面的寬度方向上的光澤度(Gs(60°))可為500至1000。光澤度是根據 JIS Z 871-1997測量的值。
[0078] 電沉積銅錐的厚度可為35WI1或更小。例如，電沉積銅錐的