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      自清潔玻璃的制作方法_2

      文檔序號(hào):8659135閱讀:來源:國知局
      渡層、所述自清潔層構(gòu)成一個(gè)整體。
      [0046]實(shí)施例3
      [0047]一種自清潔玻璃,在玻璃基底上設(shè)置多層薄膜,該自清潔玻璃結(jié)構(gòu)由玻璃基底向外設(shè)置的薄膜依次為:結(jié)合層、發(fā)光材料層、過渡層、自清潔層。
      [0048]進(jìn)一步給出,結(jié)合層材質(zhì)為SiCV薄膜,發(fā)光材料層為長余輝發(fā)光材料層,過渡層材質(zhì)為長余輝發(fā)光材料-T12薄膜,自清潔層材質(zhì)為T12薄膜。
      [0049]長余輝發(fā)光材料層材質(zhì)可以為Sr2MgSi2O7:Eu2+, Dy3+薄膜,則相應(yīng)的過渡層材質(zhì)為Sr2MgSi2O7: Eu2+, Dy3+和 T1 2混合材質(zhì)薄膜。
      [0050]結(jié)合層設(shè)置在玻璃基底上,長余輝發(fā)光材料層設(shè)置在結(jié)合層上,過渡層設(shè)置在長余輝發(fā)光材料層上,自清潔層設(shè)置在過渡層上。
      [0051]進(jìn)一步給出,結(jié)合層厚度為8nm。
      [0052]進(jìn)一步給出,長余輝發(fā)光材料層厚度為13nm。
      [0053]進(jìn)一步給出,過渡層厚度為18nm。
      [0054]進(jìn)一步給出,自清潔層厚度為14nm。
      [0055]所述玻璃基底可以為浮法玻璃。
      [0056]所述玻璃基底、所述結(jié)合層、所述長余輝發(fā)光材料層、所述過渡層、所述自清潔層構(gòu)成一個(gè)整體。
      [0057]本實(shí)用新型提供的自清潔玻璃可采用如下方法制備:
      [0058]采用溶膠凝膠法,分別制備S12溶膠鍍膜液、Sr 2MgSi207:Eu2+,Dy3+溶膠鍍膜液、Sr2MgSi2O7: Eu2+,Dy3+/Ti02溶膠鍍膜液、T1 2溶膠鍍膜液,采用旋轉(zhuǎn)涂覆法在玻璃基底上涂覆了 S12薄膜結(jié)合層、Sr2MgSi2O7: Eu2+,Dy3+長余輝發(fā)光材料層、Sr2MgSi2O7: Eu2+,Dy3+/Ti(V薄膜過渡層、TiCV薄膜自清潔層,薄膜與薄膜、薄膜與玻璃基底之間有很好的結(jié)合性,有良好的透過率,玻璃具有很好的自清潔性能。
      [0059]所述玻璃為所述自清潔玻璃基底,以普通鈉鈣硅系統(tǒng)玻璃作為玻璃本體層,使用前必須進(jìn)行清洗,清洗先采用氨水、雙氧水和去離子水的混合溶液煮沸處理,其中,氨水、雙氧水和去離子水體積比為1: 2: 5,煮沸1min ;再采用鹽酸、雙氧水和去離子水的混合溶液煮沸處理,其中,鹽酸、雙氧水和去離子水體積比為1:1: 6,煮沸1min;最后用去離子水沖洗干凈。
      [0060]所述SiCV薄膜結(jié)合層采用溶膠凝膠法制備,二氧化硅薄膜與玻璃有很好的結(jié)合性,讓薄膜與基底之間不存在因物理相容性差而產(chǎn)生的剝落現(xiàn)象。
      [0061]所述Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+長余輝發(fā)光材料薄膜層采用溶膠-凝膠法,以正硅酸乙脂、金屬硝酸鹽為原料,硼酸為燒結(jié)助劑,按照化學(xué)計(jì)量組成Sr2_x_yMgSi207: Eux, Dyy配比。
      [0062]所述Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+/Ti0^合薄膜的過渡層采用溶膠-凝膠法,以Sr2_x_yMgSi207:Eux,Dyy溶膠和 T12溶膠按 Sr 2MgSi207:Eu2+, Dy3+與 T1 2的質(zhì)量比為 1:1 ?
      1:4配比,過渡層讓Sr2MgSi2O7:Eu2+, Dy3+長余輝發(fā)光材料薄膜與T1 2光催化薄膜之間有良好的結(jié)合性。
      [0063]所述TiCV薄膜采用溶膠-凝膠法制備。
      [0064]所述所有薄膜都是將玻璃基底置于勻膠機(jī)上進(jìn)行旋轉(zhuǎn)鍍膜,旋轉(zhuǎn)鍍膜(制備緊貼玻璃基底的第一層Sicv薄膜時(shí))先采用一級勻膠程序,再采用二級勻膠程序(制備長余輝發(fā)光材料層、過渡層、自清潔層時(shí))。一級勻膠程序采用轉(zhuǎn)速SOOrod/min,時(shí)間10s,二級勻膠程序采用轉(zhuǎn)速2000rod/min,時(shí)間30s。第一層二氧化娃薄膜旋涂完畢后置于150°C的真空烘箱內(nèi)干燥30min,再置于箱式電阻爐內(nèi),以3°C /min的升溫速度升至500°C保溫lh,自然冷卻至室溫;再旋涂發(fā)光材料薄膜,旋涂完畢后置于150°C的真空烘箱內(nèi)干燥30min,再置于箱式電阻爐內(nèi),以3°C /min的升溫速度升至700°C保溫lh,自然冷卻至室溫;然后旋涂發(fā)光材料/ 二氧化鈦過渡層薄膜,旋涂完畢后置于150°C的真空烘箱內(nèi)干燥30min,再置于箱式電阻爐內(nèi),以3°C /min的升溫速度升至600°C保溫lh,自然冷卻至室溫;最后旋涂T12光催化薄膜,旋涂完畢后置于150°C的真空烘箱內(nèi)干燥30min,再置于箱式電阻爐內(nèi),以30C /min的升溫速度升至450°C保溫lh,自然冷卻至室溫。
      [0065]本實(shí)用新型提供的自清潔玻璃在光照的作用下即可分解附著玻璃表面上的污漬,在可見光照射后的暗環(huán)境下T12光催化薄膜仍然具有自清潔作用,在經(jīng)過雨水的沖刷作用下,無需人工擦洗,很好地實(shí)現(xiàn)了自清潔作用。
      [0066]以上所述,僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】,但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此,任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi),可輕易想到的變化或替換,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此,本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種自清潔玻璃,在玻璃基底(I)上設(shè)置多層薄膜,其特征在于:該玻璃結(jié)構(gòu)由玻璃基底(I)向外設(shè)置的薄膜依次為:結(jié)合層(2)、發(fā)光材料層(3)、過渡層(4)、自清潔層(5),所述結(jié)合層材質(zhì)為S12薄膜,所述發(fā)光材料層為長余輝發(fā)光材料層,自清潔層材質(zhì)為T12薄膜。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:結(jié)合層設(shè)置在玻璃基底上,發(fā)光材料層設(shè)置在結(jié)合層上,過渡層設(shè)置在長余輝發(fā)光材料層上,自清潔層設(shè)置在過渡層上。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:結(jié)合層厚度為4?10nm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:發(fā)光材料層厚度為8?15nm。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:過渡層厚度為10?18nm。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:自清潔層厚度為5?15nm。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:結(jié)合層厚度為7?10nm,長余輝發(fā)光材料層厚度為12?15nm,過渡層厚度為15?18nm,自清潔層厚度為10?15nm。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔玻璃,其特征在于:所述玻璃基底、所述結(jié)合層、所述長余輝發(fā)光材料層、所述過渡層、所述自清潔層構(gòu)成一個(gè)整體。
      【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種玻璃,尤其是涉及一種自清潔玻璃,屬于建筑材料領(lǐng)域。本實(shí)用新型的自清潔玻璃,其在玻璃基底上設(shè)置SiO2薄膜,可實(shí)現(xiàn)薄膜與基體之間的良好結(jié)合。最頂層設(shè)置有一層TiO2膜,由于TiO2薄膜具有良好的親水性和分解有機(jī)物的能力,因此具有自清潔功能。在長余輝材料薄膜與頂層TiO2薄膜之間設(shè)置過渡層,讓薄膜之間有更好的結(jié)合強(qiáng)度,過渡層與長余輝材料薄膜中的長余輝材料與頂層的TiO2薄膜發(fā)揮協(xié)同作用,在無光照射下TiO2光催化劑也能發(fā)揮凈化作用,從而使得TiO2薄膜能發(fā)揮出它最大的自清潔功效。
      【IPC分類】B32B17-00, B32B33-00, B32B9-04
      【公開號(hào)】CN204367497
      【申請?zhí)枴緾N201420706646
      【發(fā)明人】方志堅(jiān), 耿振搏, 張得全, 張雷, 柴媛, 付亞東
      【申請人】天津耀皮工程玻璃有限公司
      【公開日】2015年6月3日
      【申請日】2014年11月21日
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