顯示基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種顯示基板、一種顯示裝置和一種顯示基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在AMOLED(Active-matrixorganic light emitting d1de，有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體)顯示器領(lǐng)域，因其具有高響應(yīng)速度、高色域、高對比度，廣視角、超薄、低功耗等優(yōu)點成為現(xiàn)代顯示器研宄的熱點。
[0003]其中，頂發(fā)射結(jié)構(gòu)WOLED顯示器在有源矩陣的另一端發(fā)光，不存在金屬布線對OLED發(fā)光的遮擋，具有高開口率的優(yōu)點。頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的AMOLED可以通過在OLED上面直接做彩膜，打印工藝可以避免UV (紫外光)對OLED的影響。彩膜中BM(黑矩陣)的厚度高于lum，坡度角一般為30?60度之間(如圖1所示)，但是由于彩膜保證色飽和度時，厚度要達(dá)到微米級，相對于傳統(tǒng)的打印工藝制作OLED只需要200?300nm，打印彩膜時所用液滴體積更大，更易出現(xiàn)液滴沿BM的坡度角方向飛濺，容易對相鄰像素間造成污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，如何避免打印彩膜時的液滴對相鄰像素造成污染。
[0005]為此目的，本發(fā)明提出了一種顯示基板，包括:
[0006]設(shè)置在相鄰像素之間的黑矩陣，
[0007]所述黑矩陣的側(cè)壁為內(nèi)凹曲面。
[0008]優(yōu)選地，所述黑矩陣的材料包括負(fù)性光刻膠。
[0009]優(yōu)選地，所述黑矩陣包括:
[0010]第一絕緣層；
[0011]設(shè)置在所述第一絕緣層之上的第二絕緣層；
[0012]設(shè)置在所述第二絕緣層之上的第三絕緣層，
[0013]其中，所述第一絕緣層的刻蝕速度大于所述第二絕緣層的刻蝕速度，所述第二絕緣層的刻蝕速度大于所述第三絕緣層的刻蝕速度；
[0014]設(shè)置在所述第三絕緣層之上的遮光層。
[0015]優(yōu)選地，還包括:
[0016]設(shè)置在所述第一絕緣層之下的下部第二絕緣層；
[0017]設(shè)置在所述下部第二絕緣層之下的下部第三絕緣層。
[0018]優(yōu)選地，通過干刻蝕工藝刻蝕所述第一絕緣層、第二絕緣層和第三絕緣層。
[0019]優(yōu)選地，還包括:
[0020]封裝層，設(shè)置在所述黑矩陣下方，用于封裝有機(jī)發(fā)光二極管；
[0021]阻擋層，設(shè)置在所述黑矩陣和所述封裝層之間，用于防止干刻蝕工藝對所述封裝層刻蝕。
[0022]優(yōu)選地，還包括:
[0023]吸收層，設(shè)置在所述黑矩陣之上，用于吸收有機(jī)溶劑、水和形成子像素的液體。
[0024]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的顯示基板。
[0025]本發(fā)明還提出了一種顯示基板制作方法，包括:
[0026]形成相鄰像素之間的黑矩陣，使所述黑矩陣的側(cè)壁為內(nèi)凹曲面。
[0027]優(yōu)選地，所述形成相鄰像素之間的黑矩陣包括:
[0028]采用負(fù)性光刻膠形成黑矩陣層；
[0029]對所述黑矩陣層進(jìn)行加熱，以烘干所述黑矩陣層中的有機(jī)溶劑；
[0030]對所述黑矩陣層進(jìn)行曝光；
[0031]對所述黑矩陣層進(jìn)行顯影，形成所述黑矩陣。
[0032]優(yōu)選地，所述形成相鄰像素之間的黑矩陣包括:
[0033]形成第一絕緣層；
[0034]在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層；
[0035]在所述第二絕緣層之上形成第三絕緣層，
[0036]其中，所述第一絕緣層的刻蝕速度大于所述第二絕緣層的刻蝕速度，所述第二絕緣層的刻蝕速度大于所述第三絕緣層的刻蝕速度；
[0037]在所述第三絕緣層之上形成遮光層。
[0038]優(yōu)選地，在形成所述第一絕緣層之前還包括:
[0039]形成下部第三絕緣層；
[0040]在所述下部第三絕緣層之上形成下部第二絕緣層，
[0041]所述第一絕緣層形成于所述下部第二絕緣層之上。
[0042]優(yōu)選地，還包括:
[0043]在所述黑矩陣和封裝層之間形成阻擋層，用于防止干刻蝕工藝對所述封裝層刻蝕，
[0044]其中，所述封裝層設(shè)置于所述黑矩陣下方，用于封裝有機(jī)發(fā)光二極管。
[0045]優(yōu)選地，還包括:
[0046]在所述黑矩陣之上形成吸收層，用于吸收有機(jī)溶劑、水和形成子像素的液體。
[0047]根據(jù)上述技術(shù)方案，通過將黑矩陣的側(cè)壁制作為內(nèi)凹曲面，在形成彩膜時，一個亞像素中的彩膜液滴在飛濺到黑矩陣的側(cè)壁時，可以沿著曲面返回該亞像素中，避免液滴飛濺污染相鄰像素，保證基板良率。
【附圖說明】
[0048]通過參考附圖會更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0049]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)中液滴飛派的示意圖；
[0052]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的液滴飛濺的示意圖；
[0053]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖6示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明又一個實施例的黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板制作方法示意圖。
[0057]附圖標(biāo)號說明:
[0058]1-黑矩陣；11-第一絕緣層；12-第二絕緣層；13-第二絕緣層；14-遮光層；15_下部第二絕緣層；16_下部第三絕緣層；2_阻擋層；3_封裝層；4_吸收層；5_第一像素區(qū)域；6-第二像素區(qū)域。
【具體實施方式】
[0059]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0060]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0061]如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明一個實施例的顯示基板，包括:
[0062]設(shè)置在相鄰像素之間的黑矩陣1，
[0063]黑矩陣I的側(cè)壁為內(nèi)凹曲面。
[0064]由于黑矩陣的側(cè)壁為內(nèi)凹曲面，在形成彩膜時，第一像素區(qū)域5的亞像素中的彩膜液滴在飛濺到黑矩陣I的側(cè)壁時，可以沿著側(cè)壁返回該亞像素中，而不會進(jìn)入第二像素區(qū)域6的亞像素中，相應(yīng)地，也避免了向第二像素區(qū)域6的亞像素中滴入液滴時對第一像素區(qū)域5造成污染。
[0065]具體液滴飛濺如圖4所示，相對于現(xiàn)有技術(shù)中(如圖3所示)液滴飛濺范圍減小，且液滴飛濺高度也降低。保證了形成的彩膜中，每個亞像素的色彩純正，提高顯示效果，保證基板良率。
[0066]需要說明的是，本實施例中的顯示基板除了包括黑矩陣1，還包括薄膜晶體管，具體可以包括柵極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層、源極、漏極、鈍化層等，還可以包括有機(jī)發(fā)光層，在此不再贅述。
[0067]一般地，黑矩陣I的材料包括負(fù)性光刻膠。
[0068]黑矩陣I的圖形一般采用UV (紫外光)照射形成，而負(fù)性光刻膠被UV光照的區(qū)域會固化保留，在形成黑矩陣I時，掩膜上的曝光孔很小，會使得光線發(fā)生衍射，從而照射在較大面積的黑矩陣材料上，即固化較大面積(大于曝光孔面積)的黑矩陣I。而黑矩陣材料對于光線具有很強(qiáng)的阻隔作用，衍射光難以透射到較深的黑矩陣材料中，因此較深的黑矩陣材料僅能被固化為等同于曝光孔面積的黑矩陣。
[0069]最下部的黑矩陣材料由于接觸加熱板(在曝光過程中用于烘干有機(jī)溶劑)，熱量較高，有機(jī)溶劑揮發(fā)較快，剩余黑矩陣材料較多，因此經(jīng)過曝光可以形成較寬黑矩陣，從而形成上下較寬，中間較窄的曲面?zhèn)缺凇?br>[0070]如圖5所示，一般地，黑矩陣I包括:
[0071]第一絕緣層11 ；
[0072]設(shè)置在第一絕緣層11之上的第二絕緣層12 ;
[0073]設(shè)置在第二絕緣層12之上的第三絕緣層13，
[0074]其中，第一絕緣層11的刻蝕速度大于第二絕緣層12的刻蝕速度，第二絕緣層12的刻蝕速度大于第三絕緣層13的刻蝕速度；
[0075]設(shè)置在第三絕緣層13之上的遮光層14。
[0076]第一絕緣層11的材料可以是SiNx，刻蝕速度為30埃/秒，第二絕緣層12的材料可以是S1yNx，刻蝕速度在10埃/秒到30埃/秒之間，第三絕緣層13的材料可以是S1x，刻蝕速度為10埃/秒。由于對第一絕緣層11的刻蝕速度最快，對第三絕緣層13的刻蝕速度最慢，而