封裝基板及其制法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝基板及其制法，尤指一種具有電子組件的封裝基板及其制法。
【背景技術(shù)】
[0002]如圖1所示,現(xiàn)有的模壓式內(nèi)部連接型系統(tǒng)(molded interconnect1n system,簡稱MIS)的封裝基板通過將多個第一導(dǎo)電部11連接多個金屬柱12，并將該多個金屬柱12連接多個第二導(dǎo)電部13，再以封裝體14包覆該第一導(dǎo)電部11與金屬柱12 ;然而，該金屬柱12的高寬比太大時，電鍍該金屬柱12的效果不佳，但現(xiàn)今的電容高度的規(guī)格通常都在110微米(Pm)以上，因此，如果要在前述封裝基板中嵌埋電容，則必須增加該金屬柱12的高度。
[0003]為了增加該金屬柱12的高度，業(yè)界遂進(jìn)行改良，如圖2所示，將金屬柱12分成第一子金屬柱121與第二子金屬柱122兩段并分開電鍍制作。但是，制作步驟越多，累積的制造公差就越多，為了維持第二導(dǎo)電部13的原有面積，該第一子金屬柱121的范圍就必須大于該第二子金屬柱122的范圍，以利該第一子金屬柱121提供該第二子金屬柱122足夠的對位裕度；同理，為了使該第一導(dǎo)電部11提供該第一子金屬柱121足夠的對位裕度,該第一導(dǎo)電部11的范圍也必須大于該第一子金屬柱121的范圍,這大幅增加該第一導(dǎo)電部11的面積，進(jìn)而限縮了可用的布線空間。
[0004]由于現(xiàn)今電子產(chǎn)品均有追求更加輕薄短小的趨勢，所以廠商不斷尋求能達(dá)到高密度設(shè)置電子組件與高布線密度的方式。因此，如何避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的種種問題，實(shí)為目前業(yè)界所急需解決的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的目的為提供一種封裝基板及其制法，以提高布線密度與其它電子組件的設(shè)置密度。
[0006]本發(fā)明的封裝基板包括:封裝體，其具有相對的頂面及底面；多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其嵌埋于該封裝體中，且各該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電部，其嵌埋于該封裝體中，且外露出該底面；及依序形成于該第一導(dǎo)電部上的金屬柱、對位層及導(dǎo)電盲孔，該導(dǎo)電盲孔的一端外露出該頂面，令各該對位層的垂直投影面積大于各該金屬柱的垂直投影面積，且令各該對位層的垂直投影面積大于各該導(dǎo)電盲孔的垂直投影面積；第二導(dǎo)電部，其形成于該導(dǎo)電盲孔與頂面上；以及電子組件，其包埋于該封裝體中。
[0007]本發(fā)明還提供一種封裝基板的制法，其包括:于一承載板上形成多個第一導(dǎo)電部；于該多個第一導(dǎo)電部上設(shè)置電子組件，并于各該第一導(dǎo)電部上形成金屬柱；于各該金屬柱的端面上形成對位層，令各該對位層的垂直投影面積大于各該金屬柱的垂直投影面積；于該承載板上形成封裝體，以包覆該第一導(dǎo)電部、金屬柱、電子組件與對位層，該封裝體具有連接該承載板的底面及與其相對的頂面；于各該對位層上的封裝體中形成導(dǎo)電盲孔，以由各該第一導(dǎo)電部、金屬柱、對位層及導(dǎo)電盲孔構(gòu)成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，并于該封裝體的頂面與各該導(dǎo)電盲孔上形成第二導(dǎo)電部，且各該對位層的垂直投影面積大于各該導(dǎo)電盲孔的垂直投影面積；以及移除該承載板，以外露該第一導(dǎo)電部。
[0008]由上可知，本發(fā)明通過于金屬柱與導(dǎo)電盲孔間設(shè)置對位層，該對位層對各該第一導(dǎo)電部的垂直投影面積大于該金屬柱對各該第一導(dǎo)電部的垂直投影面積，且該對位層對各該第一導(dǎo)電部的垂直投影面積大于該導(dǎo)電盲孔對各該第一導(dǎo)電部的垂直投影面積，所以該對位層能提供該導(dǎo)電盲孔足夠的對位所需裕度，而能縮小該金屬柱與第一導(dǎo)電部的范圍或維持該金屬柱與第一導(dǎo)電部原有的范圍大小，進(jìn)而能提高布線密度與電子組件的設(shè)置密度；此外，聚酰亞胺層的設(shè)置有助于盲孔的形成并增加與第二導(dǎo)電部間的粘著性，以提高整體良率。
【附圖說明】
[0009]圖1所示者為現(xiàn)有的模壓式內(nèi)部連接型系統(tǒng)的封裝基板的剖視圖。
[0010]圖2所示者為另一種現(xiàn)有的模壓式內(nèi)部連接型系統(tǒng)的封裝基板的剖視圖。
[0011]圖3A至圖3N所示者為本發(fā)明的封裝基板的制法的第一實(shí)施例的剖視圖。
[0012]圖4A至圖4D所示者為本發(fā)明的封裝基板的制法的第二實(shí)施例的剖視圖。
[0013]符號說明
[0014]11,32 第一導(dǎo)電部
[0015]12、34 金屬柱
[0016]121 第一子金屬柱
[0017]122 第二子金屬柱
[0018]13、40b、47 第二導(dǎo)電部
[0019]14、37 封裝體
[0020]30 承載板
[0021]31 第一阻層
[0022]310 第一開孔
[0023]32a 第一表面
[0024]32b 第二表面
[0025]33 第二阻層
[0026]330 二開孔
[0027]35 對位層
[0028]36 電子組件
[0029]37a 第三表面
[0030]37b 第四表面
[0031]370、450 盲孔
[0032]38 導(dǎo)電層
[0033]39 第三阻層
[0034]390 第三開孔
[0035]40a、46 導(dǎo)電盲孔
[0036]41 絕緣保護(hù)層
[0037]410絕緣保護(hù)層開孔
[0038]42第四阻層
[0039]43第五阻層
[0040]430開口
[0041]44表面處理層
[0042]45介電材。
【具體實(shí)施方式】
[0043]以下藉由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0044]須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀，并非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的用語也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0045]第一實(shí)施例
[0046]圖3A至圖3N所示者，為本發(fā)明的封裝基板的制法的第一實(shí)施例的剖視圖。
[0047]如圖3A所示，于一承載板30的頂面上形成具有第一開孔310的第一阻層31，并于該第一開孔310中形成具有相對的第一表面32a與第二表面32b的第一導(dǎo)電部32,令該第一導(dǎo)電部32以其第一表面32a連接該承載板30，該承載板30可為鋼板。
[0048]如圖3B所示，于該第一阻層31與第一導(dǎo)電部32上形成具有第二開孔330的第二阻層33，并于該第二開孔330中的該第一導(dǎo)電部32的第二表面32b上形成金屬柱34。
[0049]如圖3C所示，于該金屬柱34的端面與第二阻層33上形成可為任意圖案的對位層35，令該對位層35對各該第一導(dǎo)電部32的垂直投影面積大于該金屬柱34對各該第一導(dǎo)電部32的垂直投影面積。
[0050]如圖3D所示，移除該第一阻層31與第二阻層33，并于該第一導(dǎo)電部32的第二表面32b上設(shè)置電子組件36,該電子組件36為積層陶瓷電容器(Mult1-layer CeramicCapacitor,簡稱 MLCC)。
[0051]如圖3E所示，于該承載板30的頂面上形成封裝體37，以包覆該第一導(dǎo)電部32、金屬柱34、電子組件36與對位層35，該封裝體37具有連接該承載板30的第三表面37a (即該封裝體37的底面)及與其相對的第四表面37b (即該封裝體37的頂面)。
[0052]如圖3F所示，移除部分該封裝體37，以形成外露該對位層35的盲孔370，形成該盲孔370的方式為激光燒灼或機(jī)械鉆孔。
[0053]如圖3G所示，于該封裝體37與對位層35上形成導(dǎo)電層38。
[0054]如圖3H所示，于該導(dǎo)電層38上形成具有第三開孔390的第三阻層39。
[0055]如圖31所示，利用該導(dǎo)電層38為電流路徑進(jìn)行例如銅電鍍的電鍍步驟，進(jìn)而于該對位層35上的盲孔370中形成導(dǎo)電盲孔40a,以由各該第一導(dǎo)電部32、金屬柱34、對位層35及導(dǎo)電盲孔40a構(gòu)成多個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(未標(biāo)TK組件符號)，并于該第四表面37b與導(dǎo)電盲孔40a上形成第二導(dǎo)電部40b，以使該第二導(dǎo)電部40b電性連接該第一導(dǎo)電部32，令該對位層35對各該第一導(dǎo)電部32的垂直投影面積大于該導(dǎo)電盲孔40a對各該第一導(dǎo)電部32的垂直投影面積，且該對位層35位于該金屬柱34與導(dǎo)電盲孔40a之間，該導(dǎo)電盲孔40a與第二導(dǎo)電部40b為一體成形者,但不以此為限。
[0056]如圖3J所示，移除該第三阻層39