用于制造光電器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造光電器件的方法。
[0002]本申請要求德國專利申請DE 10 2013 202 906.3的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容就此通過引用結(jié)合于本文中。
【背景技術(shù)】
[0003]公知的是:電子器件配設(shè)有殼體，該殼體實(shí)現(xiàn)多個不同的功能。已知的殼體例如能夠提供與電子器件所包含的半導(dǎo)體芯片的連接和通向電路載體的界面。已知的殼體也能夠用于熱量管理和用于防止由于靜電放電引起損壞。在光電器件、如發(fā)光二極管、傳感器或光伏會聚器中，殼體也能夠?qū)崿F(xiàn)其他的功能，如光耦合和脫耦、影響空間光分布或光波長轉(zhuǎn)換。
[0004]從DE 10 2009 036 621 Al中已知用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法，其中光電子半導(dǎo)體芯片布置在載體的上側(cè)處。光電半導(dǎo)體芯片利用成形體來改型，該成形體覆蓋了光電子半導(dǎo)體芯片的全部側(cè)面。光電子半導(dǎo)體芯片的上側(cè)和下側(cè)優(yōu)選地保持暴露。在移除載體之后，光電子半導(dǎo)體器件能夠被分割。在每個半導(dǎo)體芯片的上側(cè)和/或下側(cè)處能夠設(shè)置接觸部位。成形體例如能夠由基于環(huán)氧化物的制模材料構(gòu)造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種用于制造光電子器件的方法。該目的通過具有權(quán)利要求I的特征的方法來實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中給出。
[0006]用于制造光電子器件的方法包括:提供具有前側(cè)和后側(cè)的光電子半導(dǎo)體芯片的步驟；將犧牲層施加在后側(cè)上的步驟；用于構(gòu)造成形體的步驟，其中光電子半導(dǎo)體芯片至少部分地嵌入到成形體中；和移除犧牲層的步驟。有利地，通過該方法在成形體中放置腔室，該腔室自調(diào)節(jié)地以高精度對準(zhǔn)嵌入到成形體中的光電子半導(dǎo)體芯片。
[0007]在本方法的實(shí)施方式中，在移除犧牲層之前執(zhí)行部分地移除成形體的步驟，以便使?fàn)奚鼘幽軌虮挥|及。有利地，在該方法中，在部分移除成形體期間通過犧牲層來保護(hù)半導(dǎo)體芯片的后側(cè)，從而在部分地移除成形體期間防止損壞半導(dǎo)體芯片的后側(cè)。
[0008]在本方法的一個實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片如下地嵌入到成形體中，使得光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)與成形體的下側(cè)齊平。有利地，由此在將光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到成形體中之后，光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)露出。由此，光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)能夠有利地用作光電器件的輻射穿過面。
[0009]在本方法的一個實(shí)施方式中，在構(gòu)造成形體之前，執(zhí)行將光電子半導(dǎo)體芯片布置在載體上的另一步驟，其中光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)朝向載體的表面。有利地，光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)在將光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到成形體中期間被保護(hù)，由此使光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)隨后不由成形體覆蓋。
[0010]在本方法的一個實(shí)施方式中，載體的表面的第一側(cè)向部段相對于載體的表面的第二側(cè)向部段突起。有利地，載體的表面的側(cè)向結(jié)構(gòu)化在構(gòu)造成形體期間作為負(fù)模(Negative)傳遞到成形體的下側(cè)上。這有利地實(shí)現(xiàn)了，產(chǎn)生具有側(cè)向結(jié)構(gòu)化的下側(cè)的成形體。成形體的下側(cè)的側(cè)向結(jié)構(gòu)化隨后能夠有利地用于自調(diào)節(jié)地布置光電器件的附加組件。例如，成形體的側(cè)向結(jié)構(gòu)能夠用作光學(xué)反射器，以用于容納波長轉(zhuǎn)換材料或用于固定光學(xué)透鏡。
[0011 ] 在本方法的一個實(shí)施方式中，執(zhí)行將成形體從載體剝離的另外步驟。有利地，載體隨后能夠被再次使用。
[0012]在本方法的一個實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片的前側(cè)設(shè)置用于使電磁輻射穿過。有利地，光電子半導(dǎo)體芯片此時例如能夠是LED芯片或光伏芯片。
[0013]在本方法的一個實(shí)施方式中，提供具有布置在后側(cè)上的金屬化部的光電子半導(dǎo)體芯片。有利地，布置在后側(cè)上的金屬化部在部分地移除成形體期間通過布置在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)上的犧牲層來保護(hù)，并且由此在部分地移除成形體期間不被損壞。這允許了，在光電子半導(dǎo)體芯片還與另外的光電子半導(dǎo)體芯片位于晶片陣列中期間，金屬化部已經(jīng)布置在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)上。這有利地是簡單且成本低廉地可行的。在此，不必在將光電子半導(dǎo)體芯片嵌入到成形體中之后才將金屬化部布置在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)上，由此有利地能夠省略光刻工藝步驟。
[0014]在本方法的一個實(shí)施方式中，在移除犧牲層之后，執(zhí)行用于將金屬無電流地沉積在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)處的另外步驟。有利地，布置在半導(dǎo)體芯片的后側(cè)處的金屬化部能夠通過無電流地沉積金屬而以簡單且成本低廉的方式加厚。在此有利地充分利用了以下，即通過之前移除犧牲層在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)的區(qū)域中布置了在成形體中的腔室，該腔室用作用于金屬沉積的自調(diào)節(jié)的掩模。
[0015]在本方法的一個實(shí)施方式中，執(zhí)行對沉積在光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)處的金屬和成形體進(jìn)行平面磨削的另外步驟。有利地，由此獲得具有特別平坦的表面的成形體。
[0016]在本方法的一個實(shí)施方式中，在施加犧牲層和構(gòu)造成形體之間從晶片陣列中分離出光電子半導(dǎo)體芯片。這有利地實(shí)現(xiàn)了，在光電子半導(dǎo)體芯片還與另外的光電子半導(dǎo)體芯片位于晶片陣列中期間，犧牲層已經(jīng)施加到光電子半導(dǎo)體芯片的后側(cè)上。由此能夠簡單地且成本尤其低廉地施加犧牲層。
[0017]在本方法的一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電的傳導(dǎo)元件與布置在傳導(dǎo)元件上的傳導(dǎo)元件犧牲層連同光電子半導(dǎo)體芯片一起嵌入到成形體中。隨后。傳導(dǎo)元件犧牲層連同犧牲層一起移除。有利地，傳導(dǎo)元件能夠用作穿過光電器件的成形體的敷鍍通孔。
[0018]在本方法的一個實(shí)施方式中，多個光電子半導(dǎo)體芯片共同地嵌入到成形體中。在此，隨后分解該成形體，以獲得多個光電器件。有利地，該方法由此允許在一個共同的工序中并行地制造多個光電器件。由此，能夠急劇降低每個光電器件的制造成本。
【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的上述屬性、特征和優(yōu)點(diǎn)以及如何實(shí)現(xiàn)這些的方式和方法結(jié)合下面對實(shí)施例的聯(lián)系附圖更詳細(xì)闡述的說明而更清晰易懂。在此分別以極示意性的視圖示出:
[0020]圖1是載體的剖面圖；
[0021]圖2是具有布置在其上的增附層的載體的視圖；
[0022]圖3是具有布置在增附層上的光電子半導(dǎo)體芯片的載體的視圖；
[0023]圖4是具有構(gòu)造在其上的成形體的載體的剖面圖；
[0024]圖5是在部分移除其上側(cè)之后的成形體的剖面圖；
[0025]圖6是在移除犧牲層之后的成形體；
[0026]圖7是在沉積了金屬之后的成形體；
[0027]圖8是從載體剝離之后的成形體；
[0028]圖9是在分割成各個光電器件之后的成形體；
[0029]圖10是根據(jù)第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)化的載體的剖面圖；
[0030]圖11是具有布置在表面上的增附層和布置在其上的光電子半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)化的載體；
[0031]圖12是根據(jù)第二實(shí)施方式的成形體的剖面圖；和
[0032]圖13是成形體的從另外的觀察方向的其他視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]圖1示出了載體300的示意剖面圖。載體300例如能夠以晶圓的形式構(gòu)造為薄片。載體300例如能夠具有硅。然而載體300也能夠具有金屬或其他的材料。載體300具有基本上平坦的表面301。
[0034]圖2示出了載體300的示意剖面圖，該載體處于時間上在圖1的視圖之后的方法狀態(tài)中。在載體300的表面301上施加了增附層310。增附層310例如能夠作為薄膜來構(gòu)造，該薄膜在一側(cè)具有可熱分離的粘結(jié)層并且在另一側(cè)上具有常規(guī)