膜的電子裝置殼體及其加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子裝置領(lǐng)域，具體是指表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體及其加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有電子產(chǎn)品的殼體涂覆有避免信號干擾的金屬層以獲得較好的操作強(qiáng)度和質(zhì)感，但金屬層不具備清潔功能，表面容易積聚灰塵、汗?jié)n等等，影響電子產(chǎn)品的使用。
[0003]二氧化鈦膜具有較好的光催化作用，在紫外線照射下可使部分有機(jī)物分解，具有一定的自清潔能力。
[0004]磁控濺射沉積是指具有足夠高能量的粒子轟擊靶材表面，使靶材中的原子通過碰撞獲得足夠的能量，從而從表面發(fā)射出來，再通過施加磁場而改變高能量粒子的運(yùn)動方向，并束縛和延長粒子的運(yùn)動軌跡，進(jìn)而提高粒子對工作氣體的電離效率和濺射沉積率。磁控濺射技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中最主要的技術(shù)之一，特別適合于大面積鍍膜的生產(chǎn)，其最突出的優(yōu)點是膜與基體的附著力更強(qiáng)；還具有成膜速率高、均勻性好等優(yōu)點?’另外，整個鍍膜過程中不產(chǎn)生其余有害廢氣、廢液，綠色環(huán)保。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體及其加工方法，有效解決電子裝置外殼容易積灰、受污的問題，提供一種便于清潔的電子裝置外殼及其加工方法。
[0006]表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體，包括基體、覆蓋基體外表面的納米T12膜和連接基體與納米T12膜的預(yù)置層；所述納米T12膜為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或銳鈦礦相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度為20-80nm ;所述基體為陶瓷基體，預(yù)置層為TiN預(yù)置層。
[0007]本發(fā)明提供的表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體，不干擾電子信號，且具有易清潔和自清潔的特性。納米T1J莫不僅可以使殼體呈現(xiàn)出金屬外觀，還可在可見光或紫外光的照射下分解掉粘附于殼體表面的灰塵、汗?jié)n或殘留有機(jī)污染物等，從而對殼體表面起到清潔保護(hù)的作用。另一方面，由于納米T1J莫具有較強(qiáng)的親水性，當(dāng)有水流流過殼體表面時，水流還會自動帶走殼體上被納米T1J莫分解之后殘留的污染物。如此，用戶在享受電子裝置高品質(zhì)外觀的同時，又可以時刻保持殼體表面的清潔，減少細(xì)菌的滋生或傳播，保證人體健康，提高產(chǎn)品競爭力。
[0008]所述TiN預(yù)置層既能增強(qiáng)陶瓷基體與納米T1J莫之間的結(jié)合度，又能夠隔離陶瓷基體與納米T1J莫，防止陶瓷基體被納米T1 J莫氧化分解。
[0009]所述納米T1J莫的厚度為20-8011111，在該厚度范圍內(nèi)，納米1102膜不會對電子信號的收發(fā)產(chǎn)生干擾。
[0010]表面覆蓋TiN-納米1102膜的電子裝置殼體的加工方法，包括以下步驟: 步驟SlOO:對陶瓷基體進(jìn)行表面處理；
步驟S200:將經(jīng)過表面處理的陶瓷基體穩(wěn)固置于磁控濺射機(jī)的托盤上，通過傳輸裝置將基體輸送至安裝有金屬鈦靶的真空室；
步驟S300:關(guān)閉真空室的出入口，抽真空至3x10 4— 5x10 4Pa,通入氬氣和氮氣的混合氣體；
步驟S400:在功率為50-200W，偏壓120-160V，靶距30_40mm，基體溫度30-300°C的工藝條件下進(jìn)行派射，控制派射時間為20-60min ；
步驟S500:緩慢開啟真空室使其與室外空氣連通，再重新抽取真空度至5x10 4—8x10 4Pa,通入氬氣和氧氣的混合氣體；
步驟S600:在功率為3000-4000W，無偏壓，靶距30-40mm的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時間為40-400min。
[0011]本方法通過磁控濺射實現(xiàn)在陶瓷基體上制備納米二氧化鈦薄膜的目的，通過TiN膜預(yù)置層，加強(qiáng)二氧化鈦膜與陶瓷基體的結(jié)合力。本方法可均勻控制整體膜厚在10nm以下，既能保證電子裝置外殼易清潔的性能，又可有效控制產(chǎn)品厚度而適用于微型化。
[0012]進(jìn)一步地，所述步驟SlOO具體是指以下流程:
步驟SllO:將陶瓷基體放入水溫60-80°C的水域中靜置l_2h ;
步驟S120:將陶瓷基體放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超聲波清洗10_20min ；
步驟S130:用流動的去離子水沖洗陶瓷基體，去除丙酮溶液；
步驟S140:取出陶瓷基體并用冷風(fēng)將其表面吹干，待用。
[0013]進(jìn)一步地，所述步驟S200具體是指操作人員佩戴無塵手套或使用潔凈取件器將經(jīng)過表面處理的陶瓷基體擺放在托盤中，由磁控濺射機(jī)配置的傳輸裝置將其運(yùn)輸至指定位置。
[0014]進(jìn)一步地，所述步驟S300具體是指先用機(jī)械栗抽真空至l_2Pa，然后用分子栗抽真空至3.8x10 4一4.2x10 4Pa,氬氣的分壓為0.4-1.6Pa，氮氣的分壓為0.02-0.02Pa。
[0015]進(jìn)一步地，所述步驟S400具體是指在功率115W，偏壓140V，靶距35mm，基體溫度2000C的工藝條件下進(jìn)行濺射，控制濺射時間40min。
[0016]進(jìn)一步地，所述步驟S500具體是指重新用機(jī)械栗抽真空至IPa，然后用分子栗抽真空至5.8x10 4一6.2x10 4Pa,氬氣的分壓為0.4-2.8Pa，氧氣的分壓為0.01-0.025Pa。
[0017]進(jìn)一步地，所述步驟S600具體是指在功率3500W，偏壓0V，靶距35mm的工藝條件下進(jìn)行派射，控制派射時間40-160min。
[0018]進(jìn)一步地，所述氬氣作為濺射氣體，其純度大于99.999% ;所述氮氣作為反應(yīng)氣，其純度大于99.99% ;所述氧氣作為反應(yīng)氣，其純度大于99.9%。
[0019]進(jìn)一步地，所述金屬鈦靶的純度大于99.96%。
[0020]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點及有益效果:
(I)本發(fā)明提供一種表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體及其加工方法，使得電子裝置殼體具有易清潔和自清潔的特性，用戶在享受電子裝置高品質(zhì)外觀的同時，又可以時刻保持殼體表面的清潔，減少細(xì)菌的滋生或傳播，保證人體健康，提高產(chǎn)品競爭力。
[0021](2)加工過程中靶料利用率高，安全環(huán)保。
【附圖說明】
[0022]圖1為表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體的加工流程示意圖。
[0023]圖2為表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]其中:101—陶瓷基體，102 — TiN預(yù)置層，103—納米T1J莫。
【具體實施方式】
[0025]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0026]實施例1:
表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體，如圖2所示，包括基體、覆蓋基體外表面的納米T1J莫103和連接基體與納米T1 J莫103的預(yù)置層；所述納米T1 J莫103為金紅石相晶格結(jié)構(gòu)或銳鈦礦相晶格結(jié)構(gòu)或金紅石相與銳鈦礦相的混合晶格結(jié)構(gòu)，其厚度為20-80nm ;所述基體為陶瓷基體101，預(yù)置層為TiN預(yù)置層102。
[0027]本發(fā)明提供的表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體，不干擾電子信號，且具有易清潔和自清潔的特性。納米T1J莫103不僅可以使殼體呈現(xiàn)出金屬外觀，還可在可見光或紫外光的照射下分解掉粘附于殼體表面的灰塵、汗?jié)n或殘留有機(jī)污染物等，從而對殼體表面起到清潔保護(hù)的作用。另一方面，由于納米T1J莫103具有較強(qiáng)的親水性，當(dāng)有水流流過殼體表面時，水流還會自動帶走殼體上被納米T1J莫103分解之后殘留的污染物。如此，用戶在享受電子裝置高品質(zhì)外觀的同時，又可以時刻保持殼體表面的清潔，減少細(xì)菌的滋生或傳播，保證人體健康，提高產(chǎn)品競爭力。
[0028]所述TiN預(yù)置層102既能增強(qiáng)陶瓷基體101與納米T1j莫103之間的結(jié)合度，又能夠隔離陶瓷基體101與納米T1J莫103，防止陶瓷基體101被納米T1 J莫103氧化分解。
[0029]所述納米T1J莫103的厚度為20-8011111，在該厚度范圍內(nèi)，納米1102膜103不會對電子信號的收發(fā)產(chǎn)生干擾。
[0030]實施例2:
表面覆蓋TiN-納米T1J莫的電子裝置殼體的加工方法，如圖1所示，包括以下步驟: 步驟SlOO:對陶瓷基體101進(jìn)行表面處理；
步驟S2