一種微孔霧化片的制備方法、微孔霧化片及微孔霧化裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及霧化技術(shù)，尤其涉及一種微孔霧化片的制備方法、微孔霧化片及微孔霧化裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]霧化片廣泛地應(yīng)用于空氣加濕器、熏香器、美容機(jī)、肺部給藥裝置、消毒機(jī)、浴缸造霧機(jī)等儀器設(shè)備上面。
[0003]目前主要的霧化片有金屬霧化片、陶瓷霧化片、有機(jī)材質(zhì)霧化片等種類(lèi)，其中由于金屬霧化片如不銹鋼霧化片、鍍鎳霧化片、鍍鈦霧化片等，具有一定的耐疲勞，易清洗，不易斷裂等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于不同用途的氣霧發(fā)生器中，份額占據(jù)絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。但是金屬霧化片長(zhǎng)期使用不可避免地會(huì)導(dǎo)致有害金屬離子析出，從而影響液體成分，如果應(yīng)用于給藥裝置氣霧發(fā)生器，甚至?xí)?duì)人體健康有害。陶瓷霧化片或有機(jī)材質(zhì)霧化片也有一定的市場(chǎng)份額，但是由于其材料本身的性質(zhì)決定了霧化片易斷裂，需要非常小心清洗。另一方面，霧化所需的能量基本上作用于霧化片上，隨著溫度的升高大大減少有機(jī)材質(zhì)霧化片的使用壽命。文獻(xiàn)和專(zhuān)利報(bào)導(dǎo)的霧化片微孔孔徑最小的做到了 3微米，1-5微米噴出氣霧顆粒在50 %左右，但是霧化片極易堵塞。霧化片微孔孔徑越細(xì)小，霧化片即越易堵塞。
[0004]另外，市場(chǎng)上現(xiàn)有的氣霧發(fā)生器，霧化片開(kāi)始工作時(shí)，噴出的氣溶膠顆粒比表面積很大，極易吸附在霧化區(qū)。而聚集在霧化區(qū)的氣溶膠顆粒就阻礙了后續(xù)的氣溶膠顆粒霧化噴出，影響出霧量及霧化速率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為解決現(xiàn)有存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種微孔霧化片的制備方法、微孔霧化片及微孔霧化裝置。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種微孔霧化片的制備方法，其中，將霧化片作為基底材料；所述方法包括:
[0008]在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜；
[0009]將沉積有薄膜的所述基底材料固化。
[0010]上述方案中，所述霧化片為金屬霧化片、陶瓷霧化片及有機(jī)材質(zhì)霧化片中的任意一種。
[0011 ] 上述方案中，所述在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜，包括:
[0012]步驟一:將所述基底材料放置于反應(yīng)腔體內(nèi)；
[0013]步驟二:通入第一前驅(qū)體，使所述第一前驅(qū)體與所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面的材料發(fā)生反應(yīng)；
[0014]步驟三:在反應(yīng)完成后，采用清洗氣體吹掃所述反應(yīng)腔體、或?qū)λ龇磻?yīng)腔體進(jìn)行抽真空將游離的所述第一前驅(qū)體排出所述反應(yīng)腔體后，通入第二前驅(qū)體；
[0015]步驟四:循環(huán)執(zhí)行所述步驟二和步驟三，直至在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜為止。
[0016]上述方案中，所述薄膜為一層或多層厚度均勻的薄膜；
[0017]當(dāng)所述薄膜為一層時(shí)，所述薄膜為以下薄膜中的任意一種；
[0018]當(dāng)所述薄膜為多層時(shí)，所述薄膜為以下薄膜中的任意一種重疊形成的多層薄膜，或以下任意幾種交替重疊形成的多層薄膜，或以下一種重疊形成的多層薄膜和以下任意幾種交替重疊形成的多層薄膜的組合多層薄膜；
[0019]所述薄膜包括:氧化鋁(Al2O3)薄膜、二氧化硅(S12)薄膜、二氧化鈦(T12)薄膜、氧化鋅(ZnO)薄膜、二氧化鉿(HfO2)薄膜、氧化鎂(MgO)薄膜、二氧化鋯(ZrO2)薄膜、氧化鎳(N1)薄膜、氧化鈷(CoO)薄膜、鐵的氧化物形成的薄膜(FeOx)薄膜、銅的氧化物形成的薄膜(CuOx)薄膜、氧化硼(B2O3)薄膜、氧化銦(In2O3)薄膜、氧化錫(SnO2)薄膜、氧化鎵(Ga2O3)薄膜、五氧化二鈮(Nb2O5)薄膜、三氧化二釓(Gd2O3)薄膜、五氧化二鉭(Ta2O5)薄膜、氮化硼(BN)薄膜、氮化鋁(AlN)薄膜、氮化鈦(TiN)薄膜、碳化硅(SiC)薄膜、硫化鋅(ZnS)薄膜、硫化錯(cuò)(ZrS)薄膜、透明質(zhì)酸(HA)薄膜、鶴(W)薄膜、鉬(Pt)薄膜、好(Ru)薄膜、鈀(Pd)薄膜、均苯四甲酸二酐-二氨基二苯醚(PMDA-DAH)薄膜、均苯四甲酸二酐-己二胺(PMDA-ODA)薄膜、均苯四甲酸二酐-乙二胺(PMDA-EDA)薄膜及均苯四甲酸二酐-對(duì)苯二胺(PMDA-PDA)薄膜。
[0020]上述方案中，所述將沉積有薄膜的所述基底材料固化，包括:
[0021]將沉積有薄膜的所述基底材料進(jìn)行等離子體固化。
[0022]上述方案中，所述在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜之前，所述方法還包括:
[0023]將所述基底材料進(jìn)行活化。
[0024]上述方案中，所述活化包括:化學(xué)溶液浸潰活化和紫外活化。
[0025]上述方案中，所述化學(xué)溶液浸潰活化的步驟包括:
[0026]將所述基底材料浸潰于酸性溶液中超聲清洗5_30min，然后采用蒸餾水清洗所述基底材料，清洗至附著于所述基底材料的表面液體的PH值為中性為止；
[0027]將所述基底材料浸潰于堿性溶液中超聲清洗5_30min，然后采用蒸餾水清洗所述基底材料，清洗至附著于所述基底材料表面的液體的PH值為中性為止。
[0028]上述方案中，所述紫外活化的步驟包括:
[0029]將所述基底材料放置在紫外線燈下或者在能產(chǎn)生紫外氣體的等離子體氣氛中，照射ls-120s進(jìn)行活化。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種微孔霧化片，所述微孔霧化片設(shè)置有微孔區(qū)，所述微孔區(qū)內(nèi)分布有多個(gè)微孔；所述微孔霧化片的微孔孔道內(nèi)壁及其表面包覆有薄膜；所述微孔的孔徑為0.05 μ m-20 μ m。
[0031]上述方案中，所述微孔區(qū)中微孔的數(shù)量為100-1000000個(gè)。
[0032]上述方案中，所述微孔霧化片的直徑為l_50mm。
[0033]上述方案中，所述微孔區(qū)的外徑為l_50mm。
[0034]上述方案中，所述微孔霧化片為金屬霧化片、陶瓷霧化片及有機(jī)材質(zhì)霧化片中的任意一種。
[0035]上述方案中，所述微孔霧化片的微孔孔道內(nèi)壁及其表面的包覆材料為一層或多層厚度均勻的薄膜；
[0036]當(dāng)所述包覆材料為一層時(shí)，所述包覆材料為以下薄膜中的任意一種；
[0037]當(dāng)所述包覆材料為多層時(shí)，所述包覆材料為以下薄膜中的任意一種重疊形成的多層薄膜，或以下任意幾種交替重疊形成的多層薄膜，或以下一種重疊形成的多層薄膜和以下任意幾種交替重疊形成的多層薄膜的組合多層薄膜；
[0038]上述方案中，所述微孔霧化片中微孔孔道的形狀為:圓形、三角形、橢圓形、方形及喇叭形中的任意一種。
[0039]上述方案中，所述微孔霧化片中微孔孔道的橫截面的形狀為:拋物線形、喇叭形、方形及梯形中的任意一種。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例又提供了一種微孔霧化裝置，所述微孔霧化裝置包括:霧化器箱體、與所述霧化器箱體連接的氣霧發(fā)生器、以及與霧化器箱體連接的電子電路控制器；其中，所述氣霧發(fā)生器中包括微孔霧化片，所述微孔霧化片為以上所述的任一微孔霧化片。
[0041]采用本發(fā)明實(shí)施例制備出的微孔霧化片，其微孔孔徑尺寸能夠在幾納米到幾十微米間精確可控，即能精確控制微孔霧化片的微孔孔徑的尺寸，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)超微細(xì)氣霧顆粒。
[0042]另外，由于本發(fā)明實(shí)施例選用的霧化片為市場(chǎng)中常用的霧化片，又由于所述霧化片能夠通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例將其霧化區(qū)的孔徑縮小，因此，本發(fā)明實(shí)施例能夠?yàn)閷?shí)現(xiàn)各領(lǐng)域的氣霧發(fā)生器中霧化片的通用奠定基礎(chǔ)。
【附圖說(shuō)明】
[0043]圖1為本發(fā)明實(shí)施例微孔霧化片的制備方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖一；
[0044]圖2為本發(fā)明實(shí)施例微孔霧化片的制備方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖二 ；
[0045]圖3為本發(fā)明實(shí)施例微孔霧化片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖4為本發(fā)明實(shí)施例微孔霧化片中微孔孔道的橫截面圖；
[0047]圖5為本發(fā)明實(shí)施例霧化器箱體的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖6為本發(fā)明實(shí)施例氣霧發(fā)生器的結(jié)構(gòu)TK意圖一；
[0049]圖7為本發(fā)明實(shí)施例氣霧發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0050]圖8為本發(fā)明實(shí)施例電子電路控制器的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0052]11、上外殼，12、上蓋板，13、液體槽，14、氣霧發(fā)生器固定裝置，15、線路出口，21、下外殼，22、弧形氣溶膠排出通道，23、氣溶膠排出口，31、氣霧附件，40、氣霧發(fā)生器，41、微孔霧化片，42、環(huán)形壓電陶瓷片，43、密封件，44、電路引出線，45、環(huán)形墊片，50、電子電路控制器，51、電路板，52、開(kāi)關(guān)控制器，53、顯示燈，54、外接電源輸入口。
【具體實(shí)施方式】
[0053]為了能夠更加詳盡地了解本發(fā)明的特點(diǎn)與技術(shù)內(nèi)容，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)闡述，所附附圖僅供參考說(shuō)明之用，并非用來(lái)限定本發(fā)明。
[0054]圖1為本發(fā)明實(shí)施例微孔霧化片的制備方法的實(shí)現(xiàn)流程示意圖一，將霧化片作為基底材料；如圖1所示，所述方法包括:
[0055]步驟101:在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜；
[0056]其中，所述霧化片為金屬霧化片、陶瓷霧化片及有機(jī)材質(zhì)霧化片中的任意一種。
[0057]具體地，將所述基底材料放置于反應(yīng)腔體內(nèi)，將各前驅(qū)體以脈沖氣體的方式交替通入所述反應(yīng)腔體內(nèi)，在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜；
[0058]這里，為使前后兩種前驅(qū)體在反應(yīng)腔體內(nèi)不同時(shí)出現(xiàn)，在通入一種前驅(qū)體后、與通入下一種前驅(qū)體前的間隙中，使用清洗氣體例如惰性氣體等吹掃所述反應(yīng)腔體、或?qū)λ龇磻?yīng)腔體進(jìn)行抽真空處理，以隔離前后兩種前驅(qū)體，使前后兩種前驅(qū)體不同時(shí)出現(xiàn)于所述反應(yīng)腔體內(nèi)。
[0059]在一實(shí)施例中，所述在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積薄膜，包括:
[0060]步驟一:將所述基底材料放置于反應(yīng)腔體內(nèi)；
[0061]步驟二:通入第一前驅(qū)體，使所述第一前驅(qū)體與所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面的材料發(fā)生反應(yīng)；
[0062]步驟三:在反應(yīng)完成后，采用清洗氣體吹掃所述反應(yīng)腔體、或?qū)λ龇磻?yīng)腔體進(jìn)行抽真空將游離的所述第一前驅(qū)體排出所述反應(yīng)腔體后，通入第二前驅(qū)體；
[0063]步驟四:循環(huán)執(zhí)行所述步驟二和步驟三，直至在所述基底材料的微孔孔道內(nèi)壁及其表面沉積預(yù)設(shè)厚度的薄膜為止。
[0064]在本實(shí)施例整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程均是在抽真空下進(jìn)行的，但是，在第一次脈沖前驅(qū)體前，所述反應(yīng)腔體的壓強(qiáng)