br>[0059] 形成的氧化娃膜被圖案化后形成第一開(kāi)口部45。使用抗蝕層的氧化娃膜的圖案 化，可W在形成與應(yīng)當(dāng)形成的第一開(kāi)口部45的形狀對(duì)應(yīng)的抗蝕圖案后，使用濕蝕刻和干蝕 刻中的任何一種而進(jìn)行，其中，優(yōu)選通過(guò)濕蝕刻進(jìn)行。由此，能夠使形成第一開(kāi)口部45的第 一掩膜41的側(cè)面變得更加平滑。因此，在下一工序的第二工序中，形成第一 SiC膜31時(shí)， W第一掩膜41的側(cè)面為起點(diǎn)，能夠可靠地降低第一 SiC膜31的膜內(nèi)產(chǎn)生晶體缺陷。
[0060] 另外，在本發(fā)明中，第一掩膜41的厚度Tl設(shè)定為相對(duì)較薄，W滿足如先前所述的 TKtan巧4.6° ) XWl的關(guān)系。因此，即使在使用抗蝕層的氧化娃膜的圖案化中采用濕蝕 刻，，也能夠W良好的精度使氧化娃膜圖案化，而得到具備第一開(kāi)口部45的第一掩膜41。
[0061] 作為該濕蝕刻，例如可W列舉出使用含有氨氣酸的溶液作為蝕刻液的蝕刻方法。
[0062] 作為含有氨氣酸的溶液，例如可W列舉出氨氣酸化巧溶液、氨氣酸緩沖液（氨氣 酸（氣化氨）和氣化錠（NHaF)的混合液）等。
[0063] 接著說(shuō)明第二工序。如圖2的化）所示，使用第一掩膜41作為掩膜，在第一掩膜 41的一部分和娃基板2上形成具有開(kāi)口部35的第一 SiC膜31。
[0064] 通過(guò)向規(guī)定壓力的腔體內(nèi)導(dǎo)入原料氣體，在該狀態(tài)下加熱娃基板2,而在從第一開(kāi) 口部45的底部露出的娃基板2上，外延成長(zhǎng)立方晶碳化娃（3C-SiC)，從而能夠形成第一 SiC 膜 31。
[00化]根據(jù)該外延生長(zhǎng)，W在第一開(kāi)口部45露出的娃基板2為起點(diǎn)生成立方晶碳化娃 (3C-SiC)，由此覆蓋娃基板2,之后伴隨3C-SiC的進(jìn)一步成長(zhǎng)，不僅僅覆蓋娃基板2,并且蔓 延到第一掩膜41，也覆蓋第一掩膜41的一部分（第一掩膜41的邊緣部分側(cè)）。在規(guī)定的 時(shí)間后停止外延生長(zhǎng)，從而在第一掩膜41上形成側(cè)面是傾斜面的凹形的開(kāi)口部35。其結(jié) 果，第一 SiC膜31覆蓋娃基板2和第一掩膜41的至少一部分。如圖2的化）所示，形成間 斷設(shè)置的第一 SiC膜31。
[0066] 如圖1、圖2的（a)~（d)所示，該第一 SiC膜31的厚度Dl [ym]，在不存在第一 掩膜41的位置即與第一開(kāi)口部45對(duì)應(yīng)的位置，滿足Dl > tan巧4.6° ) XWl的關(guān)系而成 膜。
[0067] 此外，通過(guò)外延生長(zhǎng)而獨(dú)立形成的第一 SiC膜31的覆蓋第一掩膜41的位置，因?yàn)?是通過(guò)外延生長(zhǎng)而成膜，其膜厚從第一掩膜41的邊緣部分向中央部分側(cè)逐漸減小。由此， 開(kāi)口部35的側(cè)面36構(gòu)成錐面。
[0068] 作為原料氣體，可W列舉出含碳的氣體和含娃的氣體按規(guī)定的比例混合而成的混 合氣體、按規(guī)定的比例含有碳和娃的含碳和娃的氣體、含碳的氣體和含娃的氣體和含有碳 和娃的氣體按規(guī)定的比例混合而成的多品種混合氣體，運(yùn)些氣體中的任意一種作為原料氣 體導(dǎo)入腔體內(nèi)。 W例含碳的氣體，例如可W列舉出除乙締也成）之外，還有乙烘也&)、丙烷佑&)、甲 燒畑4)、乙燒也恥、正下燒（n-CA。）、異下燒（i-CA。)、新戊燒（ne〇-CsHi2)等，可W使用 運(yùn)些中的1種或者2種W上混合使用。
[0070] 此外，作為含娃的氣體可W列舉出甲硅烷（SiH4)、乙硅烷（SizHe)、丙硅烷（SisHs)、 下硅烷儀化。）、二氯硅烷（SiHz化）、四氯硅烷儀化)、S氯硅烷（Si肥U、六氯乙硅烷 儀2化）等，可W使用運(yùn)些中的1種或2種W上混合使用。
[0071] 另夕F，作為含碳和娃的氣體可W列舉出甲基硅烷儀&邸3)、二甲基硅烷 (SiHz(CHs)Z)、S甲基硅烷（SiH(CHs)S)等，可W使用運(yùn)些中的1種或2種W上混合使用。
[0072] 通過(guò)使用運(yùn)些之中的任何一種氣體進(jìn)行外延生長(zhǎng)，按照化學(xué)計(jì)量組成，使由立方 晶碳化娃構(gòu)成的第一 SiC膜31成膜。 陽(yáng)073] 此外，加熱的溫度（加熱溫度），即，外延生長(zhǎng)時(shí)的娃基板2的溫度優(yōu)選為600°C W 上1400°C W下，更優(yōu)選為800°C W上1350°C W下。
[0074] 此外，加熱的時(shí)間（加熱時(shí)間）可W根據(jù)作為目標(biāo)的第一 SiC膜31的厚度適當(dāng)設(shè) 定。此外，根據(jù)該加熱時(shí)間，有時(shí)存在第一掩膜41不從開(kāi)口部35的底面露出的情況，開(kāi)口 部35的側(cè)面36傾斜是重要的一點(diǎn)。
[0075] 此外，腔體內(nèi)的壓力（真空度）優(yōu)選為7. 5X10 7Torr W上大氣壓（760Torr) W 下，更優(yōu)選為 7. 5 X 10 STorr W上 0. STorr W下。
[0076] 然后，說(shuō)明第S工序。如圖2的（C)所示，在開(kāi)口部35形成第二掩膜42。
[0077] 能夠在W覆蓋第一 SiC膜31和開(kāi)口部35的方式形成氧化娃（Si〇2)膜后，使該氧 化娃膜圖案化而形成第二掩膜42。此時(shí)，第二掩膜42的前端部分高度比第一 SiC膜31高 相當(dāng)于該氧化娃膜的膜厚的厚度。
[0078] 第二掩膜42被圖案化，使得其與第一掩膜41具有幾乎相同的俯視觀察形狀。良P， 在俯視觀察時(shí)，具備與第一掩膜41幾乎同樣大小的線和空間的圖案。第二掩膜42配置在 俯視觀察時(shí)與第一掩膜41重合的位置。
[00巧]此外，用于形成第二掩膜42的氧化娃膜可W使用與上述第一工序中說(shuō)明過(guò)的方 法相同的方法而形成，其中，優(yōu)選使用CVD法形成。根據(jù)CVD法，能夠相對(duì)容易地W均勻的 厚度形成所需膜厚的氧化娃膜。
[0080] 另外，氧化娃膜的圖案化能夠使用與上述第一工序說(shuō)明過(guò)的方法相同的方法。
[0081] 然后，對(duì)第四工序進(jìn)行說(shuō)明。如圖2的（d)所示，在第一 SiC膜31和第二掩膜42 上形成第二SiC膜32。
[0082] 第二SiC膜32與上述第二工序說(shuō)明過(guò)的第一 SiC膜31相同，能夠通過(guò)向規(guī)定壓 力的腔體內(nèi)導(dǎo)入原料氣體，在該狀態(tài)下加熱娃基板2而形成。目P，能夠通過(guò)在從第二開(kāi)口部 46的底面露出的第一 SiC膜31上使立方晶碳化娃（3C-SiC)外延生長(zhǎng)而形成。
[0083] 根據(jù)該外延生長(zhǎng)，W從第二開(kāi)口部46露出的第一 SiC膜31為起點(diǎn)生成立方晶碳 化娃（3C-SiC)，由此覆蓋第二開(kāi)口部46,之后伴隨3C-SiC的進(jìn)一步成長(zhǎng)，不僅僅覆蓋第二 開(kāi)口部46而且也覆蓋第二掩膜42,其結(jié)果，如圖2的（d)所示，形成覆蓋第一 SiC膜31和 第二掩膜42的第二SiC膜32。
[0084] 在此，在第二工序中的使用第一掩膜41的從第一開(kāi)口部45露出的娃基板2上的 外延生長(zhǎng)的過(guò)程，成膜的第一 SiC膜31中由于與娃基板2的晶格常數(shù)的差異而產(chǎn)生許多晶 體缺陷11。
[00化]運(yùn)些晶體缺陷11，如圖3所示已經(jīng)公知，當(dāng)娃基板2的上表面的面方向構(gòu)成（100) 面時(shí)，在形成的第一 SiC膜31中，沿著（111)面的面方向成長(zhǎng)出晶體缺陷11。
[0086] 此外，第一掩膜41和第二掩膜42相互具有幾乎相同的俯視觀察形狀，并配置于在 俯視觀察時(shí)重合的位置，并且，第一掩膜41滿足TKtan巧4. 6° ) XWl的關(guān)系，并且，第一 SiC膜31的厚度Dl形成為滿足Dl > tan巧4.6° ) XWl關(guān)系的厚度。
[0087] 因此，在第一開(kāi)口部45生成的晶體缺陷11，在第一 SiC膜31中沿（111)面的面方 向成長(zhǎng)。為此，晶體缺陷11的端部集中在厚度滿足Dl ^tan巧4.6° ) XWl的關(guān)系而形成 的第一 SiC膜31的開(kāi)口部35的側(cè)面36。因此，如本實(shí)施方式所示，由于在開(kāi)口部35的側(cè) 面36的幾乎整個(gè)表面設(shè)置第二掩膜42,晶體缺陷11由第二掩膜42的底面終