封裝基板阻焊加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝基板加工技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種封裝基板阻焊加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]封裝基板起到保護芯片并作為集成電路芯片和外界接口的作用，安裝時封裝基板一面與芯片連接且要求表面平整性好，另一面裸露在外直接與消費者接觸，因此其外觀品質(zhì)要求高。目前封裝基板層與層間主要通過導(dǎo)通孔進行電信號連接，而導(dǎo)通孔除了金屬化，還必須通過填塞的方式將其進一步填塞來滿足表面的品質(zhì)要求，常見的填塞方式主要采用阻焊塞孔，而常規(guī)的阻焊塞孔因其塞孔可以與表面油墨一起印刷即連塞帶印方式，工藝流程簡單且良率高，被廣泛采納。但由于阻焊油墨的特性，其固化后質(zhì)量減少都在25%以上，使得油墨在高溫條件下固化后，由于溶劑揮發(fā)和油墨單體發(fā)生聚合，導(dǎo)致體積會相應(yīng)的收縮，采用阻焊填塞后的孔表面經(jīng)常會出現(xiàn)很多很深的凹陷，平整性差，無法滿足產(chǎn)品表面的品質(zhì)要求，成品率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種封裝基板阻焊加工方法，能夠減少阻焊填塞后孔表面的凹陷，平整性好，滿足產(chǎn)品表面的品質(zhì)要求。
[0004]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，采取的技術(shù)方案是:
[0005]—種封裝基板阻焊加工方法，封裝基板設(shè)有第一表面和第二表面，該方法包括以下步驟:
[0006]A、對封裝基板進行阻焊前處理；
[0007]B、在對第一表面進行阻焊絲印后，對封裝基板進行第一次預(yù)烘；
[0008]C、在對第二表面進行阻焊絲印后，對封裝基板進行第二次預(yù)烘；
[0009]D、對第一表面和第二表面進行真空壓膜；
[0010]F、在對第一表面和第二表面進行滾涂后，對封裝基板進行第三次預(yù)烘；
[0011]E、對第一表面和第二表面進行阻焊曝光、阻焊顯影、阻焊后固化。
[0012]本方法采用阻焊絲印的方式先涂覆封裝基板的表面和填充孔內(nèi)油墨，再使用真空壓膜機將絲印預(yù)固化時發(fā)生的孔口凹陷進行整平填塞，增加孔內(nèi)油墨填充的致密性和飽滿程度，再在滾涂線進行表面涂覆油墨，對孔進一步填充，使得產(chǎn)品經(jīng)過預(yù)烘后，孔口基本無凹陷，為后固化收縮增加空間，從而達到減少孔口凹陷的目的，平整性好，滿足產(chǎn)品表面的品質(zhì)要求，成品率尚。
[0013I下面對技術(shù)方案進一步說明:
[0014]進一步的是，在步驟B中，預(yù)烘的溫度曲線呈梯形，該溫度曲線包括升溫段、恒溫段和降溫段，其中恒溫段的溫度為75-85°C，時間為10-15min。
[0015]進一步的是，預(yù)烘后第一表面的油墨厚度為8_15μπι。
[0016]進一步的是，在步驟C中，預(yù)烘的溫度曲線呈梯形，該溫度曲線包括升溫段、恒溫段和降溫段，其中恒溫段的溫度為75-85°C，時間為15-20min。
[0017]進一步的是，預(yù)烘后第二表面的油墨厚度為8_15μπι。
[0018]進一步的是，在步驟D中，使用真空壓膜機對第一表面和第二表面進行加熱、抽真空和加壓。
[0019]進一步的是，加熱溫度為80_100°C，抽真空至3Hpa，加壓壓力為0.3-0.4Mpa，加壓時間為30-40s。
[0020]進一步的是，在步驟F中，預(yù)烘的溫度曲線呈梯形，該溫度曲線包括升溫段、恒溫段和降溫段，其中恒溫段的溫度為75-85°C，時間為25-30min。
[0021]進一步的是，預(yù)烘后第一表面和第二表面的油墨厚度為12_18μπι。
[0022]進一步的是，在步驟A中，對封裝基板的鍍銅層進行化學(xué)超粗化處理，化學(xué)微蝕量為0.8-1.2μπι。使在阻焊絲印時，增加鍍銅層與阻焊的結(jié)合能力，確?？煽啃浴?br>[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0024]本發(fā)明采用阻焊絲印的方式先涂覆封裝基板的表面和填充孔內(nèi)油墨，再使用真空壓膜機將絲印預(yù)固化時發(fā)生的孔口凹陷進行整平填塞，增加孔內(nèi)油墨填充的致密性和飽滿程度，再在滾涂線進行表面涂覆油墨，對孔進一步填充，使得產(chǎn)品經(jīng)過預(yù)烘后，孔口基本無凹陷，為后固化收縮增加空間，從而達到減少孔口凹陷的目的，平整性好，滿足產(chǎn)品表面的品質(zhì)要求，成品率高。與傳統(tǒng)的阻焊塞孔工藝相比，對于厚度為0.15mm以內(nèi)的封裝基板，本發(fā)明加工出來的封裝基板孔口缺陷值小于3μπι，而采用傳統(tǒng)阻焊塞孔工藝加工出來的封裝基板孔口缺陷值至少大于7Μ1。
【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明實施例封裝基板阻焊加工方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細說明:
[0027]如圖1所示，一種封裝基板阻焊加工方法，封裝基板設(shè)有第一表面和第二表面，該方法包括以下步驟:
[0028]Α、對封裝基板進行阻焊前處理；
[0029]B、在對第一表面進行阻焊絲印后，對封裝基板進行第一次預(yù)烘；
[0030]C、在對第二表面進行阻焊絲印后，對封裝基板進行第二次預(yù)烘；
[0031]D、對第一表面和第二表面進行真空壓膜；
[0032]F、在對第一表面和第二表面進行滾涂后，對封裝基板進行第三次預(yù)烘；
[0033]Ε、對第一表面和第二表面進行阻焊曝光、阻焊顯影、阻焊后固化。
[0034]本方法采用阻焊絲印的方式先涂覆封裝基板的表面和填充孔內(nèi)油墨，再使用真空壓膜機將絲印預(yù)固化時發(fā)生的孔口凹陷進行整平填塞，增加孔內(nèi)油墨填充的致密性和飽滿程度，再在滾涂線進行表面涂覆油墨，對孔進一步填充，使得產(chǎn)品經(jīng)過預(yù)烘后，孔口基本無凹陷，為后固化收縮增加空間，從而達到減少孔口凹陷的目的，平整性好，滿足產(chǎn)品表面的品質(zhì)要求，成品率高。與傳統(tǒng)的阻焊塞孔工藝相比，對于厚度為0.15mm以內(nèi)的封裝基板，本發(fā)明加工出來的封裝基板孔口缺陷值小于3μπι，而采用傳統(tǒng)阻焊塞孔工藝加工出來的封裝基板孔口缺陷值至少大于7mi。
[0035]在步驟A中，對封裝基板進行化學(xué)超粗化處理，化學(xué)微蝕量為Ιμπι。使在后續(xù)的阻