1樣品的磁滯回線。
[0072] 圖6為用上述方法制得的比較實施例1樣品及實施例1樣品的巨磁阻抗曲線，其中a 曲線為實施例1樣品的巨磁阻抗曲線，b曲線為比較實施例1樣品的巨磁阻抗曲線。
[0073] 測試結(jié)果表明，比較實施例1樣品的軟磁性能明顯不如實施例1樣品的軟磁性能， 即最佳納米晶化溫度自由退火技術(shù)制備樣品的軟磁性能明顯不如在適當(dāng)應(yīng)力作用下低于 納米晶化溫度的適當(dāng)溫度退火技術(shù)制得樣品的軟磁性能。
[0074] 比較實施例2
[0075]為了說明本發(fā)明技術(shù)的優(yōu)勢，與實施例1進行比較，將實施例1中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0076] (1)同實施例1步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0077] (2)將退火溫度提高到最佳納米晶化溫度540°C，其它操作同實施例1步驟3,制成 比較實施例2的樣品。
[0078] 圖7為用上述方法制得的比較實施例2樣品的巨磁阻抗曲線。
[0079] 測試結(jié)果為，比較實施例2樣品的巨磁阻抗曲線頂部出現(xiàn)了平臺，其最大巨磁阻抗 比只有530%，相比實施例1中經(jīng)50MPa、450°C退火樣品的最大巨磁阻抗比2339% (如圖2所 示），是本比較實施例的4倍多。說明，在納米晶化溫度540°C外加 50MPa張應(yīng)力退火制得的納 米晶樣品的磁性能遠(yuǎn)不如采用本發(fā)明技術(shù)一一在低于納米晶化溫度(450°C)外加張應(yīng)力 (50MPa)退火(實施例1)制得的樣品。
[0080] 比較實施例3
[0081] 為了說明本發(fā)明技術(shù)的優(yōu)勢，與實施例1進行比較，將實施例1中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0082] (1)同實施例1步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0083] (2)將實施例1步驟3中所加應(yīng)力取消或者說降為0,其它操作不變，制得比較實施 例3的樣品。
[0084] 圖8為用上述方法制得的比較實施例3樣品的巨磁阻抗曲線。
[0085] 測試結(jié)果為，比較實施例3樣品的最大巨磁阻抗比只有910%，相比實施例1中經(jīng) 50MPa、450 °C退火樣品的最大巨磁阻抗比2339 % (如圖2中所示），是本比較實施例3樣品的2 倍多。說明，在450°C不加外應(yīng)力退火制得的樣品的磁性能遠(yuǎn)不如采用本發(fā)明技術(shù)一一在 450 °C外加50MPa張應(yīng)力退火(實施例1)制得的樣品。
[0086]比較實施例4
[0087]為了說明本發(fā)明技術(shù)的優(yōu)勢，與實施例1進行比較，將實施例1中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0088] (1)同實施例1步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0089] (2)將實施例1步驟3中所加應(yīng)力改為670MPa，制得比較實施例4的樣品。
[0090] 圖9為用上述方法制得的比較實施例4樣品的巨磁阻抗曲線。
[0091] 測試結(jié)果為，比較實施例4樣品的最大巨磁阻抗比只有642%，相比實施例1中經(jīng) 50MPa、450°C退火樣品的最大巨磁阻抗比2339% (如圖2所示），是本比較實施例4的近4倍。 說明，在450°C加過大外應(yīng)力退火制得的樣品的磁性能不如采用本發(fā)明技術(shù)一一在450°C外 加50MPa張應(yīng)力退火制得的樣品(實施例1)。
[0092]比較實施例5
[0093]為了說明本發(fā)明技術(shù)的優(yōu)勢，與實施例1進行比較，將實施例1中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0094] (1)同實施例1步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0095] (2)將實施例1步驟3中退火溫度改為300 °C，其它操作不變，制得比較實施例5的樣 品。
[0096]圖10為用上述方法制得的比較實施例5樣品的巨磁阻抗曲線。
[0097]測試結(jié)果為，比較實施例5樣品的最大巨磁阻抗比只有751 %，相比實施例1中經(jīng) 5010^、450°(：退火樣品的最大巨磁阻抗比2339%(如圖2所示），是本比較實施例5樣品的3倍 多。說明，在300°C加應(yīng)力退火制得的樣品的磁性能不如米用本發(fā)明技術(shù) 在450°C外加 50MPa張應(yīng)力退火(實施例1)制得的樣品。
[0098]比較實施例6
[0099]為了說明本發(fā)明的技術(shù)優(yōu)勢，與實施例2進行比較，將實施例2中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0100] (1)同實施例2步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0101] ⑵在最佳納米晶化溫度580 °C自由（不外加應(yīng)力）退火1小時，制得比較實施例6的 樣品。
[0102] 圖11中a曲線是實施例2的巨磁阻抗曲線，b曲線為本比較實施例6樣品的巨磁阻抗 曲線。
[0103] 測試結(jié)果表明，比較實施例6樣品的軟磁性能明顯不如實施例2樣品的軟磁性能。 [0104]比較實施例7
[0105] 為了說明本發(fā)明的技術(shù)優(yōu)勢，與實施例3進行比較，將實施例3中的工藝條件進行 改變，用于比較。具體實施方法如下：
[0106] (1)同實施例2步驟1、2制成鑄態(tài)非晶薄帶；
[0107] ⑵在最佳納米晶化溫度400 °C自由（不外加應(yīng)力）退火1小時，制得比較實施例7的 樣品。
[0108] 圖12中a曲線是實施例3的巨磁阻抗曲線，b曲線為本比較實施例7樣品的巨磁阻抗 曲線。
[0109] 測試結(jié)果表明，比較實施例7樣品的軟磁性能明顯不如實施例3樣品的軟磁性能。 [0110]綜上所述，本發(fā)明的目的是提供一種提升非晶合金軟磁性能的新方法，提供一種 比納米晶化技術(shù)更能顯著提高非晶合金軟磁性能，同時退火溫度明顯低于納米晶化溫度在 材料制備過程中具有顯著節(jié)能效果的新技術(shù)，即一種張應(yīng)力低溫退火顯著提高非晶合金軟 磁性能的制備方法。具體地，是將鑄態(tài)非晶合金在低于納米晶化溫度的適當(dāng)溫度和適當(dāng)應(yīng) 力作用下進行退火。所謂適當(dāng)溫度，是指在適當(dāng)應(yīng)力誘發(fā)下能夠使鑄態(tài)非晶合金材料發(fā)生 非晶多形相變而不發(fā)生納米晶化的溫度，溫度不能太低，太低了無法誘發(fā)非晶多形相變，從 而無法明顯提高非晶合金的軟磁性能;相反，溫度也不能太高，太高了超過非晶多形相變溫 度，就會發(fā)生晶化，也得不到顯著提高非晶合金軟磁性能的理想效果。所謂適當(dāng)應(yīng)力，是指 在適當(dāng)溫度退火條件下，應(yīng)力不能過小，也不能過大，應(yīng)力過小了，不足以誘發(fā)非晶多形相 變，當(dāng)然，應(yīng)力也不能過大，過大了會感生應(yīng)力各向異性，反而會使磁性能下降。對于不同組 分的合金，由于誘發(fā)非晶多形相變的臨界應(yīng)力和臨界溫度不同，因此對于不同組分合金的 低溫應(yīng)力退火的應(yīng)力和溫度適當(dāng)值也有所不同。如實施例1表明，F(xiàn)e-Cu-Nb-Si-B非晶合金 低溫應(yīng)力退火的應(yīng)力和溫度適當(dāng)值為50MPa和450°C，實施例2表明FeCoNbSiB非晶合金低溫 應(yīng)力退火的應(yīng)力和溫度適當(dāng)值為137MPa和500°C而實施例3表明FeSiBPCu非晶合金低溫應(yīng) 力退火的應(yīng)力和溫度適當(dāng)值為llOMPa和350°C。即在應(yīng)力和溫度相匹配的條件下誘發(fā)非晶 合金發(fā)生非晶多形相變，使非晶合金的軟磁性能得到顯著提高。
[0111]如圖1所示，用固定在支架(4)上的固定夾頭(3)和可以在滑槽(5)內(nèi)移動的可移動 夾頭(6)將非晶薄帶（14)夾緊后，通過應(yīng)力絲(7)和滑輪(11)將砝碼（12)的重力轉(zhuǎn)化為薄帶 的張應(yīng)力施加于非晶薄帶（14)。由保護氣體入口（1)通入氮氣或氬氣惰性氣體保護薄帶