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      一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置的制造方法

      文檔序號:9889843閱讀:437來源:國知局
      一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,全球半導(dǎo)體消費市場和產(chǎn)業(yè)增長速度十分迅猛,尤其國內(nèi)的半導(dǎo)體消費市場和產(chǎn)業(yè)增長速度為全球的10倍以上。在半導(dǎo)體行業(yè)極其激烈的競爭下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越來越需要極大規(guī)模的集成化。
      [0003]半導(dǎo)體集運輸、加工、封裝于一體,由于加工工藝的要求,如提高生產(chǎn)合格率,在加工工藝中會對半導(dǎo)體進(jìn)行高溫加熱,如果將高溫的半導(dǎo)體直接封裝會損傷半導(dǎo)體封裝盒,甚至損壞半導(dǎo)體。
      [0004]為不影響生產(chǎn)效率,直接在半導(dǎo)體極大規(guī)模生產(chǎn)平臺上設(shè)置半導(dǎo)體冷卻裝置,有效降低半導(dǎo)體溫度至半導(dǎo)體封裝盒可接受的溫度,提高半導(dǎo)體的生產(chǎn)合格率又不降低生產(chǎn)效率,成為遼待解決的問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明旨在克服現(xiàn)有半導(dǎo)體冷卻裝置的缺陷,提供一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置,有效地實現(xiàn)過高溫半導(dǎo)體冷卻。
      [0006]為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
      [0007]本發(fā)明提供一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置,包括晶圓支撐機(jī)構(gòu)(I)、舉升PIN支架機(jī)構(gòu)(2)、冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)、冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)(4)和氣動舉升機(jī)構(gòu)(5),所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)(I)、舉升PIN支架機(jī)構(gòu)(2)、冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)(4)設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)
      (3)上,所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)設(shè)置在所述氣動舉升機(jī)構(gòu)(5)上;所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)(1),用于支撐無需冷卻的晶圓;所述舉升PIN支架機(jī)構(gòu)(2),用于升降待冷卻的晶圓;所述冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)(4),用于隔離晶圓與所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)以及支撐晶圓;所述氣動舉升機(jī)構(gòu)
      (5),用于晶圓升降提供動力源。
      [0008]—些實施例中,所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)(I)包括晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)和多個爪部石英支柱(20),所述晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)分別設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)的兩側(cè),所述多個爪部石英支柱(20)分別設(shè)置在晶圓雙爪支撐架(18)、晶圓單爪支撐架(19)上。
      [0009]一些實施例中,所述舉升PIN支架機(jī)構(gòu)(2)設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)上方、且與所述氣動舉升機(jī)構(gòu)(5)連接,包括PIN支架(8)、PIN支架夾緊裝置(9)和PIN石英支柱
      [10],所述PIN支架(8)和PIN支架夾緊裝置(9)連接,所述PIN石英支柱(10)設(shè)置在所述PIN支架⑶和PIN支架夾緊裝置(9)之間。
      [0010]一些實施例中,所述PIN支架(8)為Y型。
      [0011]—些實施例中,所述冷卻盤機(jī)構(gòu)⑶包括冷盤(6)和設(shè)置在所述冷盤(6)下部的水路密封板(7),所述冷盤(6)和水路密封板(7)通過O型圈密封,所述O型圈設(shè)置在所述冷盤¢)的密封槽內(nèi),冷卻水在所述冷盤(6)和水路密封板(7)之間的水路流動。
      [0012]—些實施例中,所述冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)(4)為一具有平臺面的冷卻盤支撐石英球(21),所述冷卻盤支撐石英球(21)的平臺面與所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)相連,且所述冷卻盤支撐石英球(21)固定在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)上。
      [0013]—些實施例中,所述氣動舉升機(jī)構(gòu)(5)包括氣缸支撐蓋(15)、氣缸連接轉(zhuǎn)接板
      [14]、氣缸(13)、氣缸支撐架(12)和頂起軸(11),
      [0014]所述氣缸支撐架(12)位于所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)的下方且與所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)固定連接;所述氣缸支撐蓋(15)固定連接在所述氣缸支撐架(12)底部,所述氣缸支撐蓋
      (15)與所述氣缸支撐架(12)形成一腔體;所述氣缸(13)位于所述腔體內(nèi),且所述氣缸(13)的固定端固定在氣缸支撐蓋(15)上;所述氣缸連接轉(zhuǎn)接板(14)的底部與所述氣缸
      (13)的伸縮端固定連接,所述氣缸連接轉(zhuǎn)接板(14)的頂部與所述頂起軸(11)固定連接;所述頂起軸(11)貫穿所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3),且所述頂起軸(11)相對所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)升降運動。
      [0015]—些實施例中,所述氣動舉升機(jī)構(gòu)(5)還包括氣缸支架外罩(16),所述氣缸支架外罩(16)設(shè)置在所述氣缸支撐架(12)外部。
      [0016]—些實施例中,還包括密封連接機(jī)構(gòu),所述密封連接機(jī)構(gòu)包括密封波紋管(22)、中心支架(23)、中心支架(24),所述密封波紋管(22)用于所述氣動舉升機(jī)構(gòu)(5)的頂起軸(11)與所述冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)的密封和相對運動;所述密封波紋管(22)的底部與頂起軸
      (11)的底部通過中心支架(24)密封;所述密封波紋管(22)的頂部與冷卻盤機(jī)構(gòu)(3)的底部通過中心支架(23)密封。
      [0017]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明裝置實現(xiàn)半導(dǎo)體的自動升降功能,并實現(xiàn)半導(dǎo)體的冷卻。同時本發(fā)明針對半導(dǎo)體加工后溫度過高的冷卻的實現(xiàn),有效地實現(xiàn)過高溫半導(dǎo)體冷卻。當(dāng)晶圓由加工工藝腔室傳輸?shù)骄A裝載位置時,晶圓首先由加工工藝腔室經(jīng)冷卻裝置進(jìn)入晶圓裝載位置,晶圓放在舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2上,此時,舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2上放置支撐需要冷卻的晶圓。同時,冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)4保證晶圓不與冷卻盤機(jī)構(gòu)3直接接觸,即不直接進(jìn)行冷卻,避免冷卻不均勻,造成晶圓炸裂;氣動舉升機(jī)構(gòu)5帶動舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2做升降,使晶圓貼近和遠(yuǎn)離冷卻盤機(jī)構(gòu)3,實現(xiàn)冷卻和支撐晶圓。
      【附圖說明】
      [0018]圖1為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體冷卻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]圖2為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體冷卻裝置的俯視圖。
      [0020]圖3為本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體冷卻裝置的剖面視圖。
      [0021]圖4為本發(fā)明一實施例的PIN支架及冷卻盤石英支撐球的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0022]圖5為本發(fā)明一實施例的PIN支架的局部放大圖。
      [0023]圖6為本發(fā)明一實施例的冷卻盤石英支撐球的局部放大圖。
      [0024]圖7為本發(fā)明一實施例的冷卻水進(jìn)出水口的位置示意圖。
      【具體實施方式】
      [0025]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及具體實施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明,而不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。
      [0026]在本發(fā)明的描述中,術(shù)語“內(nèi)”、“外”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
      [0027]如圖1所示,本發(fā)明提出一種用于高真空環(huán)境的半導(dǎo)體冷卻裝置,包括晶圓支撐機(jī)構(gòu)1、舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2、冷卻盤機(jī)構(gòu)3、冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)4和氣動舉升機(jī)構(gòu)5。
      [0028]本發(fā)明裝置處理對象不僅包括晶圓,也可以為硅片等半導(dǎo)體材料。
      [0029]所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)1、舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2、冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)4設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3上,所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3設(shè)置在所述氣動舉升機(jī)構(gòu)5上。
      [0030]其中,所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)1,用于支撐無需冷卻的晶圓;所述舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2,用于升降待冷卻的晶圓;所述冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)4,用于隔離晶圓與所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3以及支撐晶圓;所述氣動舉升機(jī)構(gòu)5,用于晶圓升降提供動力源。
      [0031]具體應(yīng)用中,
      [0032]當(dāng)晶圓由裝載位置傳輸?shù)郊庸すに嚽皇視r,晶圓首先由裝載位置經(jīng)冷卻裝置進(jìn)入加工工藝腔室,晶圓放在晶圓支撐機(jī)構(gòu)I上,此時,晶圓支撐機(jī)構(gòu)I上放置支撐不需要冷卻的晶圓。
      [0033]當(dāng)晶圓由加工工藝腔室傳輸?shù)骄A裝載位置時,晶圓首先由加工工藝腔室經(jīng)冷卻裝置進(jìn)入晶圓裝載位置,晶圓放在舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2上,此時,舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2上放置支撐需要冷卻的晶圓。
      [0034]同時,冷卻盤隔熱支撐機(jī)構(gòu)4保證晶圓不與冷卻盤機(jī)構(gòu)3直接接觸,即不直接進(jìn)行冷卻,避免冷卻不均勻,造成晶圓炸裂;氣動舉升機(jī)構(gòu)5帶動舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2做升降,使晶圓貼近和遠(yuǎn)離冷卻盤機(jī)構(gòu)3,實現(xiàn)冷卻和支撐晶圓。
      [0035]—并參閱圖1-7所示,優(yōu)選實施例中,所述晶圓支撐機(jī)構(gòu)I穩(wěn)定連接在冷盤6上,包括晶圓雙爪支撐架18、晶圓單爪支撐架19和多個爪部石英支柱20。其中,晶圓支撐為幾個點接觸實現(xiàn),點接觸使接觸面積變小,更易保護(hù)晶圓不在支撐中被破壞,單爪和雙爪的形狀既能滿足穩(wěn)定支撐晶圓,又能滿足晶圓傳輸機(jī)械手在傳輸晶圓中不與晶圓支撐裝置干涉。
      [0036]所述晶圓雙爪支撐架18、晶圓單爪支撐架19分別設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3的兩偵牝所述多個爪部石英支柱20分別設(shè)置在晶圓雙爪支撐架18、晶圓單爪支撐架19上。
      [0037]在優(yōu)選實施例中,所述舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2設(shè)置在所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3上方、且與所述氣動舉升機(jī)構(gòu)5連接,具體地,舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2連接在氣動舉升機(jī)構(gòu)5的頂起軸11上,安裝位置在冷盤6的上部凹槽圖中未示出中。
      [0038]舉升PIN支架機(jī)構(gòu)2包括PIN支架8、PIN支架夾緊裝置9和PIN石英支柱10,所述PIN支架8和PIN支架夾緊裝置9連接,所述PIN石英支柱10設(shè)置在所述PIN支架8和PIN支架夾緊裝置9之間。
      [0039]PIN石英支柱10的位置可以根據(jù)所傳輸晶圓的大小來調(diào)節(jié),本發(fā)明實施例中提供三個安裝可選位置,對于安裝可選位置的數(shù)量不限制。
      [0040]進(jìn)一步地,所述PIN支架8為Y型。采用Y型使晶圓與PIN支架8為三點穩(wěn)固支撐,Y型使得PIN支架8既能滿足穩(wěn)定支撐晶圓,又能滿足晶圓傳輸機(jī)械手在傳輸晶圓中不與舉升PIN支架裝置發(fā)生干涉。
      [0041 ] 所述冷卻盤機(jī)構(gòu)3包括冷盤6和設(shè)置在所述冷盤6下部的水路密封板7,所述冷盤6和水路密封板7通過O型圈密封,所述O型圈設(shè)置在所述冷盤6的密封槽內(nèi),以滿足真空環(huán)境密封要求;冷卻水在所述冷盤6和水路密封板7之間的水路流動。
      [0042]進(jìn)一步,如圖7所示,冷盤6還包括進(jìn)水口和出水口,用于冷盤6的冷卻水的流入和流出。
      [0043]其中,在該方案中,冷盤6的尺寸大小需滿足半導(dǎo)體集成生產(chǎn)平臺所傳輸處理的晶圓的尺寸大小;冷盤6的厚度需滿足傳輸平面的高度、冷盤6冷卻水水槽深度提
      當(dāng)前第1頁1 2 
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