塊，所述分隔塊的高度低于培養(yǎng)皿的皿壁及第一隔板與第二隔板的高度；所述分隔塊5的左右兩邊及相對(duì)應(yīng)的培養(yǎng)皿內(nèi)壁上分別設(shè)有擋片對(duì)9，擋片對(duì)9的高度與所述分隔塊5的高度齊平，所述擋片對(duì)9包括相互平行設(shè)置的左擋片9-2和右擋片9-1，左擋片9-2與右擋片9-1之間形成用于插設(shè)第一隔板或第二隔板的槽口，使第一隔板6、第二隔板7成為可拆卸隔板，不用時(shí)可以自由取下；所述分隔塊5遠(yuǎn)離培養(yǎng)皿皿底的端面上設(shè)有長度沿分隔塊5長度方向延伸、用于放置植物主莖或主根的平臺(tái)8 ;
[0024]本實(shí)施例的培養(yǎng)裝置，如圖3所示，還包括由頂蓋與四周側(cè)壁圍設(shè)形成的皿蓋11，用于扣合在所述培養(yǎng)皿I上。
[0025]本實(shí)施例的培養(yǎng)裝置中，培養(yǎng)皿的邊長為15cm，第一隔板與第二隔板位于邊長的三分之一處，分隔塊的長度為邊長的三分之二，分隔塊與培養(yǎng)皿內(nèi)壁固連處為所在邊的中點(diǎn)；第一隔板、第二隔板與分隔塊形成T字形分隔結(jié)構(gòu)，使上腔室體積約為整個(gè)培養(yǎng)皿容積的三分之一，左下腔室與右下腔室的體積相等；皿蓋比培養(yǎng)皿略大，能夠扣蓋在培養(yǎng)皿上；所述培養(yǎng)皿為無色耐高溫高壓有機(jī)玻璃材料，可整體進(jìn)行高溫高壓滅菌處理。
[0026]本實(shí)施例的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，使用時(shí)，先將培養(yǎng)皿、皿蓋及取下的第一隔板和第二隔板進(jìn)行高溫高壓滅菌處理，后將第一隔板和第二隔板插入培養(yǎng)皿對(duì)應(yīng)的槽口中，培養(yǎng)皿內(nèi)部形成分隔開的上腔室、左下腔室和右下腔室；在無菌超凈工作臺(tái)上，在左下腔室和右下腔室中分別倒入含有不同重金屬離子或者含有不同濃度的同一重金屬離子并且經(jīng)過高溫高壓滅菌的1/2MS固體培養(yǎng)基；待培養(yǎng)基凝固以后，取下第一隔板和第二隔板，將待研宄的無菌苗的主莖或主根放置在所述分隔塊端面的平臺(tái)上，使無菌苗的葉片位于上腔室內(nèi)，將無菌苗的根系平均分開，一半根系放置在左下腔室的培養(yǎng)基上，另一半根系放置在右下腔室的培養(yǎng)基上；然后蓋上皿蓋，用封口膜將培養(yǎng)皿和皿蓋封口 ；將裝有培養(yǎng)基和無菌苗的培養(yǎng)裝置放在培養(yǎng)箱內(nèi)，進(jìn)行常規(guī)光照/黑暗培養(yǎng)；一周后將該培養(yǎng)裝置豎立起來，上腔室在上方，左下腔室和右下腔室在下方，按植物正常生長方向，進(jìn)行垂直培養(yǎng)；三周后觀察植物根系發(fā)育生長情況。
[0027]本實(shí)施例的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，可對(duì)同一植物根系的不同部分對(duì)不同重金屬離子的反應(yīng)情況或者對(duì)不同濃度的同一種重金屬離子的反應(yīng)情況進(jìn)行近距離實(shí)時(shí)觀察分析；置于左下腔室與右下腔室內(nèi)的固體培養(yǎng)基能夠?qū)χ参锔档募?xì)微部分進(jìn)行固定，克服了植物根系在液體培養(yǎng)基中培養(yǎng)時(shí)飄忽移動(dòng)、不易觀察分析定位的缺點(diǎn)。本實(shí)施例的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，可以模擬植物在含有重金屬離子的土壤中的生長情況，并對(duì)不同條件下植物根系的生長狀況進(jìn)行近距離實(shí)時(shí)觀察和分析，結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用。
[0028]實(shí)施例2
[0029]本實(shí)施例的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，如圖4所示，與實(shí)施例I不用之處在于:所述分隔塊5遠(yuǎn)離培養(yǎng)皿皿底的端面上設(shè)有長度沿分隔塊5長度方向延伸、用于放置植物主莖或主根的凹槽10。本實(shí)施例的培養(yǎng)裝置在使用時(shí)，將待研宄植物的主莖或主根放置在所述凹槽內(nèi)，可對(duì)植物的主莖或主根進(jìn)行定位，防止在常規(guī)光照/黑暗培養(yǎng)或垂直培養(yǎng)時(shí)，植物產(chǎn)生較大位移，影響觀察分析結(jié)果；同時(shí)，為植物的主莖或主根留出足夠的空間，防止在皿蓋蓋扣在培養(yǎng)皿上時(shí)，對(duì)植物產(chǎn)生損傷。
[0030]在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，所述分隔塊設(shè)有用于放置植物主莖或主根的平臺(tái)或凹槽的端面上，還設(shè)有用于將植物主莖或主根固定在所述平臺(tái)上或凹槽內(nèi)的固定裝置，所述固定裝置為卡扣或其他不影響植物正常生長的卡固裝置。所述固定裝置可將植物固定在所述平臺(tái)上或凹槽內(nèi)，防止植物在實(shí)驗(yàn)過程中因自身生長或其他原因產(chǎn)生位移，影響實(shí)驗(yàn)的進(jìn)程。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:包括培養(yǎng)皿，所述培養(yǎng)皿內(nèi)設(shè)有T字形分隔結(jié)構(gòu)，將培養(yǎng)皿內(nèi)部在水平方向上分隔為上腔室、左下腔室和右下腔室；所述T字形分隔結(jié)構(gòu)包括位于上腔室與左下腔室之間的第一隔板、上腔室與右下腔室之間的第二隔板、左下腔室與右下腔室之間的分隔塊，所述分隔塊遠(yuǎn)離培養(yǎng)皿皿底的端面上設(shè)有長度沿分隔塊長度方向延伸、用于放置植物主莖或主根的平臺(tái)或凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述培養(yǎng)皿為正方形、長方形或圓形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述第一隔板、第二隔板為可拆卸隔板；所述分隔塊為固定分隔塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述分隔塊的左右兩邊及相對(duì)應(yīng)的培養(yǎng)皿內(nèi)壁上分別設(shè)有用于插設(shè)第一隔板或第二隔板的槽口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述槽口是由設(shè)置在分隔塊的左右兩邊及相對(duì)應(yīng)的培養(yǎng)皿內(nèi)壁上的擋片對(duì)形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述分隔塊遠(yuǎn)離培養(yǎng)皿皿底的端面上還設(shè)有用于將植物主莖或主根固定在所述平臺(tái)或凹槽的固定裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:所述固定裝置為卡扣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的用于研宄重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，其特征在于:還包括皿蓋，所述皿蓋用于與所述培養(yǎng)皿扣合。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種用于研究重金屬離子對(duì)植物根系影響的培養(yǎng)裝置，包括培養(yǎng)皿，所述培養(yǎng)皿內(nèi)設(shè)有T字形分隔結(jié)構(gòu)，將培養(yǎng)皿內(nèi)部在水平方向上分隔為上腔室、左下腔室和右下腔室；所述T字形分隔結(jié)構(gòu)包括位于上腔室與左下腔室之間的第一隔板、上腔室與右下腔室之間的第二隔板、左下腔室與右下腔室之間的分隔塊，所述分隔塊遠(yuǎn)離培養(yǎng)皿皿底的端面上設(shè)有長度沿分隔塊長度方向延伸、用于放置植物主莖或主根的平臺(tái)或凹槽。本實(shí)用新型的培養(yǎng)裝置，可模擬植物在土壤中的生長情況，對(duì)植物根系進(jìn)行近距離實(shí)時(shí)觀察和分析；能夠使同一植物根系的不同部分同時(shí)處于不同的處理環(huán)境中，排除了不同植物對(duì)同一處理反應(yīng)結(jié)果不同的干擾，結(jié)構(gòu)簡單，方便實(shí)用。
【IPC分類】A01G31-02
【公開號(hào)】CN204499011
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520160607
【發(fā)明人】舒海燕, 常勝合, 許桂鶯, 孫威, 何應(yīng)對(duì), 金志強(qiáng)
【申請(qǐng)人】中國熱帶農(nóng)業(yè)科學(xué)院?？趯?shí)驗(yàn)站
【公開日】2015年7月29日
【申請(qǐng)日】2015年3月20日