技術(shù)特征：
1.一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：按如下步驟制備：步驟1，采用微細金剛石線，在去離子水輔助下，對高純硅棒或硅錠進行研磨切割，形成高純硅片和分散在去離子水中的硅微粒；步驟2，當(dāng)去離子水中的硅微粒濃度達到10wt%后，將去離子水和硅微粒的混合物排出，并進行提純分離，形成壓濾水和水合硅微粒；步驟3，對壓濾水進行純化后，注入微細金剛石線切割工藝過程進行循環(huán)使用，對水合硅微粒進行真空冷凍干燥，形成高純硅微粒，所述的對水合硅微粒進行真空冷凍干燥具體步驟如下：步驟1，溫度控制在-10℃以下，將水合硅微粒放入真空腔室內(nèi)，抽真空至真空度達到10Pa以下，水合硅微粒中的水升華為氣態(tài)，硅微粒脫水，形成高純硅微粒，純度在99.999%以上；步驟2，對高純硅微粒采用真空或充惰性氣體包裝，所述的提純分離具體步驟如下：步驟1，采用孔徑<2μm的微濾膜，對去離子水和硅微粒的混合物進行過濾，將大顆?；驁F聚體濾除，形成含有硅微粒的水的懸濁液，硅微粒尺寸在1μm以內(nèi)，步驟2，采用鉑金屬絲或鉑金屬片作為電容式結(jié)構(gòu)的電化學(xué)催化電極陣列，放入懸濁液中，在陰極和陽極間加直流或脈沖直流電壓2-24V，在電場作用下，懸濁液中微量的碳在陽極表面被氧化分解為二氧化碳，微量的金屬離子在陰極表面還原沉積，去除雜質(zhì)，步驟3，采用具有孔徑<0.5μm微孔膜的壓濾設(shè)備，對去雜質(zhì)后的懸濁液進行壓濾，形成液體的壓濾水和固態(tài)的水合硅微粒。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的微細金剛石線為金屬線表面鍍有金剛石微粒的絲線，線徑為30-120微米，金剛石微粒尺寸為5-20微米，所述的去離子水為電阻率18MΩ的高純水。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的對壓濾水進行純化包括電容去離子、電滲析、反滲透、離子交換吸附處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的高純硅微粒在惰性氣體和濃度小于等于5vol%氫氣的混合氣氛下，進行熔融，氫氣將高純硅微粒表面的氧化硅中的氧還原去除，形成高純多晶硅塊體材料，純度99.9999%以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的高純硅微粒在氮氫或氨氣氛下，經(jīng)溫度為800-1400℃的氮化熱處理后，形成高純氮化硅微粒，用于氮化硅陶瓷材料的制備。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的高純硅微粒在碳氫聚合物復(fù)合或碳氫氣氛下，經(jīng)碳化熱處理后，形成高純碳化硅微粒，用于碳化硅陶瓷材料的制備。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的水合硅微粒，在氫氟酸溶液中，經(jīng)化學(xué)腐蝕或電化學(xué)刻蝕后，形成納米多孔硅微粒；納米多孔硅微粒加熱氧化后，形成高比表面積的納米多孔水合氧化硅或納米多孔氧化硅微粒材料。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種批量化制備高純亞微米水合硅和硅微粒的方法，其特征在于：所述的納米多孔硅微粒，與碳材料或金屬材料復(fù)合，形成高容量的納米多孔硅碳或硅金屬復(fù)合材料，用于能量存儲器件。