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      制造炊具的方法以及炊具與流程

      文檔序號:40278752發(fā)布日期:2024-12-11 13:15閱讀:來源:國知局

      技術(shù)特征:

      1.一種炊具,其特征在于,所述炊具包括炊具基材以及形成在所述炊具基材上的滲碳處理層,所述滲碳處理層包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炊具,其特征在于,所述耐磨層包括位于內(nèi)部的第一子層和位于外部的第二子層,所述第一子層為固溶體層,與所述炊具基材接觸,所述第二子層為碳和鐵的飽和固溶體與碳化物的混合層,與所述無定型碳層接觸。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炊具,其特征在于,所述炊具基材的厚度為1.5mm-2.0mm;和/或所述耐磨層的厚度為20μm-40μm,和/或所述無定型碳層的厚度為5μm-15μm。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的炊具,其特征在于,所述無定型碳層具有親油性,所述無定型碳層的表面能為15達因至25達因;和/或所述炊具基材包括鐵基材、鑄鐵基材、鋁基材、鈦基材、不銹鋼基材和低碳鋼基材中的一種;和/或所述凹凸結(jié)構(gòu)的表面粗糙度為60μm-200μm。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的炊具,其特征在于,所述層間間隙中填充有油脂或者硅油。

      6.一種制造炊具的方法,其特征在于,所述制造炊具的方法包括:

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述等離子滲碳處理包括第一階段,在所述第一階段,通入第一流量的滲碳氣體,使得所述滲碳氣體分解并形成碳離子,并且使得所述碳離子的供應(yīng)速度小于所述碳離子的滲入速度,以在所述炊具基體的具有預(yù)設(shè)深度的表層處形成所述耐磨層。

      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述等離子滲碳處理還包括第二階段,在所述第二階段,通入第二流量的滲碳氣體,使得所述滲碳氣體分解并形成碳離子,并使得所述第二流量大于所述第一流量或者所述第二階段的等離子滲碳功率大于所述第一階段的滲碳參數(shù)的等離子滲碳功率,以在所述耐磨層上形成具有所述層間間隙的所述無定型碳層。

      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一流量為10l/h-20l/h,所述第一流量的滲碳氣體是采用脈沖式的方式通入的。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其特征在于,控制所述炊具基體在80pa-100pa的壓力、700℃-800℃的溫度條件下與所述碳離子接觸,以使得所述碳離子的供應(yīng)速度小于所述碳離子的滲入速度。

      11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述第二流量為150l/h-300l/h,所述第二階段的等離子滲碳功率為10kw-20kw,所述第一階段的滲碳參數(shù)的等離子滲碳功率為3kw-5kw;和/或所述第二階段的溫度為400℃-500℃。

      12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述對具有粗糙結(jié)構(gòu)的炊具基體執(zhí)行等離子滲碳處理還包括設(shè)置等離子滲碳設(shè)備的陰陽極之間的電壓為200v-1500v。

      13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,在等離子滲碳處理之前,對所述炊具基體以480℃-600℃的溫度進行預(yù)熱,以激活所述炊具基體的表層的原子。

      14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述炊具基體的粗糙結(jié)構(gòu)的表面粗糙度為60μm-200μm。

      15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其特征在于,所述制造炊具的方法還包括:將具有滲碳處理層的炊具基體置于硅油或者油脂中,使得所述硅油和油脂填充進所述滲碳處理層中。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請?zhí)峁┝艘环N制造炊具的方法以及炊具,炊具包括炊具基材以及形成在所述炊具基材上的滲碳處理層,所述滲碳處理層包括耐磨層和無定型碳層,所述耐磨層與所述炊具基材接觸,并且具有凹凸結(jié)構(gòu),所述無定型碳層形成在所述耐磨層的所述凹凸結(jié)構(gòu)上,具有層間間隙并且作為所述炊具的表層。根據(jù)本申請的炊具,能夠兼具較佳的初始不粘性和持久不粘性。

      技術(shù)研發(fā)人員:袁華庭,瞿義生,張明
      受保護的技術(shù)使用者:武漢蘇泊爾炊具有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/10
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