偏壓濺射法。通過(guò)用 無(wú)偏壓濺射法將第2保護(hù)層4成膜，能使第2保護(hù)層4的殘留應(yīng)力較小，能減小第2保護(hù)層 4從第1保護(hù)層2、公共電極17、以及單獨(dú)電極19剝離的可能性。特別優(yōu)選使用厚膜形成技 術(shù)形成第1保護(hù)層2,以無(wú)偏壓濺射法形成第2保護(hù)層4。由此，能使第1保護(hù)層2以及第 2保護(hù)層4的緊貼性良好。
[0073] 接下來(lái)參考圖5來(lái)說(shuō)明熱敏打印機(jī)Zl。
[0074] 如圖5所示，本實(shí)施方式的熱敏打印機(jī)Zl具備：上述的熱敏頭XI、輸送機(jī)構(gòu)40、加 壓輥50、電源裝置60、和控制裝置70。熱敏頭Xl安裝在設(shè)于熱敏打印機(jī)Zl的筐體（未圖 示）的安裝構(gòu)件80的安裝面80a。另外，熱敏頭Xl安裝在安裝構(gòu)件80,使得發(fā)熱部9的排 列方向沿著與后述的記錄介質(zhì)P的輸送方向S正交的方向即主掃描方向。
[0075] 輸送機(jī)構(gòu)40具有驅(qū)動(dòng)部（未圖示）、和輸送輥43、45、47、49。輸送機(jī)構(gòu)40將熱敏 紙、轉(zhuǎn)印墨水的受像紙等的記錄介質(zhì)P向圖5的箭頭D方向輸送，并輸送到位于熱敏頭Xl 的多個(gè)發(fā)熱部9上的保護(hù)層25上。驅(qū)動(dòng)部具有驅(qū)動(dòng)輸送輥43、45、47、49的功能，例如能使 用電動(dòng)機(jī)。輸送輥43、45、47、49例如用由丁二烯橡膠等構(gòu)成的彈性構(gòu)件43b、45b、47b、49b 被覆由不銹鋼等的金屬構(gòu)成的圓柱狀的軸體43a、45a、47a、49a來(lái)構(gòu)成。另外，雖未圖示，但 在記錄介質(zhì)P是被轉(zhuǎn)印墨水的受像紙等的情況下，在記錄介質(zhì)P與熱敏頭Xl的發(fā)熱部9間 將墨膜和記錄介質(zhì)P -起輸送。
[0076] 加壓輥50具有將記錄介質(zhì)P按壓在位于熱敏頭Xl的發(fā)熱部9上的保護(hù)層25上 的功能。加壓輥50配置為沿與記錄介質(zhì)P的輸送方向S正交的方向延伸，兩端部被支承固 定，以使在將記錄介質(zhì)P按壓在發(fā)熱部9上的狀態(tài)下能夠旋轉(zhuǎn)。加壓輥50例如能用由丁二 烯橡膠等構(gòu)成的彈性構(gòu)件50b被覆由不銹鋼等的金屬構(gòu)成的圓柱狀的軸體50a而構(gòu)成。
[0077] 電源裝置60具有提供用于如上述的那樣使熱敏頭Xl的發(fā)熱部9發(fā)熱的電流以及 用于使驅(qū)動(dòng)ICll動(dòng)作的電流的功能?？刂蒲b置70具有為了如上述的那樣使熱敏頭Xl的 發(fā)熱部9選擇性地發(fā)熱而將控制驅(qū)動(dòng)ICll的動(dòng)作的控制信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)ICll的功能。
[0078] 熱敏打印機(jī)Zl如圖5所示那樣，用加壓輥50將記錄介質(zhì)P按壓在熱敏頭Xl的發(fā) 熱部9上的同時(shí)，用輸送機(jī)構(gòu)40將記錄介質(zhì)P向發(fā)熱部9上輸送，同時(shí)用電源裝置60以及 控制裝置70使發(fā)熱部9選擇性地發(fā)熱，由此對(duì)記錄介質(zhì)P進(jìn)行給定的印相。另外，在記錄 介質(zhì)P是受像紙等的情況下，通過(guò)將與記錄介質(zhì)P -起輸送的墨膜（未圖示）的墨水熱轉(zhuǎn) 印到記錄介質(zhì)P來(lái)進(jìn)行向記錄介質(zhì)P的印相。
[0079] 〈第2實(shí)施方式〉
[0080] 使用圖6來(lái)說(shuō)明熱敏頭X2。
[0081] 熱敏頭X2還具備氧化防止層8和第3保護(hù)層6。氧化防止層8設(shè)置在電阻層15、 公共電極17、以及單獨(dú)電極19上。第3保護(hù)層6設(shè)置在第2保護(hù)層4上，熱傳導(dǎo)率低于第 2保護(hù)層4。第3保護(hù)層6設(shè)置為在排列方向Ll上延伸。其它構(gòu)成都和熱敏頭Xl同樣，省 略說(shuō)明。
[0082] 氧化防止層8設(shè)置在電阻層15、公共電極17、以及單獨(dú)電極19上，具有抑制包含 在第1保護(hù)層2以及第2保護(hù)層4的氧原子擴(kuò)散到電阻層15的功能。
[0083] 氧化防止層8例如使用濺射等的薄膜形成技術(shù)由SiC-SiO、SiN、SiCN或SiAlON等 的材料來(lái)設(shè)置。氧化防止層8的厚度優(yōu)選是0. 5?2 μ m。
[0084] 這種情況下，優(yōu)選用無(wú)偏壓濺射法形成氧化防止層8、以及第2保護(hù)層4,用厚膜形 成技術(shù)形成第1保護(hù)層2。由此，氧化防止層8、第1保護(hù)層2、以及第2保護(hù)層4的緊貼性 變得良好，能提升保護(hù)層25的長(zhǎng)期可靠性。
[0085] 第3保護(hù)層6由于與記錄介質(zhì)（未圖示）接觸，因此作為耐磨耗層發(fā)揮功能。第3 保護(hù)層6設(shè)置在第2保護(hù)層4上，俯視情況下第3保護(hù)層6的寬度W 6小于第2保護(hù)層4的 寬度W4。另外，俯視情況下第3保護(hù)層6的寬度W6大于第1保護(hù)層2的寬度W 2。由此，構(gòu) 成保護(hù)層25的第1保護(hù)層2的寬度W2、第2保護(hù)層4的寬度W4、以及第3保護(hù)層6的寬度 W6處于W2< W6< 14的關(guān)系。
[0086] 另外，例如用絲網(wǎng)印刷等的厚膜形成技術(shù)涂布硼系的玻璃、鉍系的玻璃或硼硅酸 鉍系的玻璃材料，并將其燒成，由此來(lái)設(shè)置第3保護(hù)層6。第3保護(hù)層6的熱傳導(dǎo)率優(yōu)選為 0. 8?2W/m ·Κ，第3保護(hù)層6的厚度優(yōu)選為2?8 μm。另外，為了提升耐磨耗性，也可以含 有填料。
[0087] 熱敏頭X2具備設(shè)置在第2保護(hù)層4上、熱傳導(dǎo)率低于第2保護(hù)層4的第3保護(hù)層 6。由此成為由熱傳導(dǎo)率低于第2保護(hù)層4的第1保護(hù)層2以及第3保護(hù)層6夾持第2保 護(hù)層4的構(gòu)成。由此，在發(fā)熱部9的附近產(chǎn)生的剩余的熱通過(guò)熱傳導(dǎo)率高的第2保護(hù)層4 而易于熱傳遞。其結(jié)果，第2保護(hù)層4使熱傳導(dǎo)到第1保護(hù)層2的熱易于散熱到公共電極 17以及單獨(dú)電極19,通過(guò)第2保護(hù)層4,能效率良好地將熱擴(kuò)散。
[0088] 另外，通過(guò)用厚膜形成技術(shù)將第1保護(hù)層2以及第3保護(hù)層6成膜，能使配置在第 2保護(hù)層4的上下的第1保護(hù)層2以及第3保護(hù)層6針對(duì)外部應(yīng)力的舉止接近。由此，能減 小加在第2保護(hù)層4的應(yīng)力變形，能減小在第2保護(hù)層4產(chǎn)生剝離的情況。
[0089] 另外，從發(fā)熱部9的排列方向觀察，第3保護(hù)層6的寬度W6大于第1保護(hù)層2的 寬度W 2。由此能用第3保護(hù)層6隔著第2保護(hù)層4被覆第1保護(hù)層2的邊緣部，能緩和第 1保護(hù)層2的邊緣部的印相時(shí)的加壓壓力所引起的機(jī)械應(yīng)力，能提升保護(hù)層25整體的密封 性。
[0090] 進(jìn)一步地，另外，從發(fā)熱部9的排列方向觀察，第3保護(hù)層6的寬度W6小于第2保 護(hù)層4的寬度W 4。由此，第3保護(hù)層6成為僅設(shè)于第2保護(hù)層4上的構(gòu)成。
[0091] 在此，公共電極17或單獨(dú)電極19被進(jìn)行圖案化而設(shè)置在基板7或蓄熱層13上。 公共電極17或單獨(dú)電極19的圖案具有一定的厚度，由形成有公共電極17或單獨(dú)電極19 的圖案的區(qū)域、和未形成公共電極17或單獨(dú)電極19的圖案的區(qū)域而產(chǎn)生凹凸。
[0092] 為此，在使第3保護(hù)層6延伸到基板7、蓄熱層13、公共電極17或單獨(dú)電極19上 的情況下，有時(shí)會(huì)因公共電極17或單獨(dú)電極19的圖案的厚度，直到包含第3保護(hù)層6的邊 緣部的表面（與記錄介質(zhì)接觸的面）為止產(chǎn)生凹凸。由此存在第3保護(hù)層6與記錄介質(zhì)的 接觸變得不均勻的可能性。
[0093] 但是，第3保護(hù)層6設(shè)置在表面平的第2保護(hù)層4上，能減小在第3保護(hù)層6的與 記錄介質(zhì)接觸的面產(chǎn)生凹凸的可能性。為此，能使第3保護(hù)層6與記錄介質(zhì)的接觸狀態(tài)接 近于均勻。為此，能減小在記錄介質(zhì)產(chǎn)生紙傷或附著記錄介質(zhì)的殘?jiān)?、或者在記錄介質(zhì)產(chǎn)生 皺折的可能性。
[0094] 優(yōu)選第1保護(hù)層2、第2保護(hù)層4、以及第3保護(hù)層6分別含有氧原子。并且，優(yōu)選 是包含在第1保護(hù)層2以及第2保護(hù)層4的界面附近、和第3保護(hù)層6以及第2保護(hù)層4 的界面附近的氧原子的量多于包含在第2保護(hù)層4中的其它區(qū)域的氧原子的量的構(gòu)成。
[0095] 通過(guò)設(shè)為這樣的構(gòu)成，能提高由異種材料形成的第1保護(hù)層2以及第2保護(hù)層4 的界面的緊貼性。另外，能提高由異種材料形成的第2保護(hù)層4以及第3保護(hù)層6的界面 的緊貼性。換言之，在第2保護(hù)層4的厚度方向L2 (以下稱作厚度方向L2)進(jìn)行觀察時(shí)，成 為如下構(gòu)成：在包含在第2保護(hù)層4的氧原子的含有量慢慢減少之后，在第2保護(hù)層的厚度 方向L2的中央部成為最少，開始不斷慢慢增加。
[0096] 上述構(gòu)成例如能用以下的方法制作。在用濺射法形成第2保護(hù)層4的情況下，將 濺射樣本的氣氛設(shè)為氧氣氛、使第2保護(hù)層4的成膜的初期以及末期的氧濃度較高即可。
[0097] 另外，第2保護(hù)層4的與第1保護(hù)層2的界面附近的氧原子的含有量?jī)?yōu)選為6? 12原子％，第2保護(hù)層4的與第3保護(hù)層6的界面附近的氧原子的含有量?jī)?yōu)選為17?26 原子％，第2保護(hù)層4的厚度方向L2的中央部的氧原子的含有量?jī)?yōu)選為5原子％以下。
[0098] 另外，使用EPM(電子射線微量分析儀）來(lái)制作構(gòu)成元素的映射，在通過(guò)EPM制 作的映射中，將構(gòu)成元素改變的位置視作界面，第2保護(hù)層4的與第1保護(hù)層2的界面附近 能視作從界面起到第2保護(hù)層4側(cè)0. 4 μπι的位置為止的區(qū)域。關(guān)于第2保護(hù)層4與第3 保護(hù)層6的界面附近也是同樣。然后，能使用XPS(X射線光電子分光裝置）來(lái)測(cè)定包含在 第2保護(hù)層4的氧原子的含有量。
[0099] 另外，第1保護(hù)層2的硬度D2、第2保