本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法。

背景技術(shù)：

平面顯示器件具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。

在平面顯示器件中，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)一般是用作開(kāi)關(guān)元件來(lái)控制像素的作業(yè)，或是用作驅(qū)動(dòng)元件來(lái)驅(qū)動(dòng)像素。薄膜晶體管依其硅薄膜性質(zhì)通?？煞殖煞蔷Ч?a-Si)與多晶硅(poly-Si)兩種。由于非晶硅本身自有的缺陷問(wèn)題，如缺陷太多導(dǎo)致的開(kāi)態(tài)電流低、遷移率低、穩(wěn)定性差，使它在應(yīng)用中受到限制，為了彌補(bǔ)非晶硅本身的缺陷，擴(kuò)大其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。

LTPS制程復(fù)雜，生產(chǎn)出的顯示屏幕在檢測(cè)時(shí)，會(huì)檢測(cè)出亮暗點(diǎn)等一系列與電性相關(guān)的不良事件。在產(chǎn)品反向解析不良事件時(shí)，研究人員希望通過(guò)測(cè)量顯示異常區(qū)域TFT器件的電性曲線快速判斷制程異常機(jī)臺(tái)。然而在生產(chǎn)LTPS基板時(shí)，在形成TFT器件之后，上方有一層厚度約為2.5um～3um有機(jī)平坦層，使得量測(cè)電性時(shí)扎針無(wú)法扎到TFT器件上，電性測(cè)量也就無(wú)法進(jìn)行。

現(xiàn)有技術(shù)中，業(yè)界普遍使用化學(xué)法去除有機(jī)平坦層，并且盡量不傷及TFT器件的源極和漏極所在的金屬層的方法來(lái)測(cè)量電性，然而由于TFT器件的源極和漏極所在的金屬層主要材料通常都包含鋁(Al)，而Al為兩性金屬，絕大多數(shù)試劑均與Al反應(yīng)，想要找到可以完全去除有機(jī)平坦層同時(shí)又不傷及Al的試劑難度非常大，多少都會(huì)傷及Al，造成Al表面蝕刻不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致TFT電性測(cè)量不準(zhǔn)確。

陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array，GOA)技術(shù)是一種利用陣列制程將柵極驅(qū)動(dòng)電路制作在薄膜晶體管陣列基板上來(lái)實(shí)現(xiàn)逐行掃描的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，具有降低生產(chǎn)成本和實(shí)現(xiàn)面板窄邊框設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)，為多種顯示器所使用。GOA技術(shù)能減少外接IC的焊接(Bonding)工序，有機(jī)會(huì)提升產(chǎn)能并降低產(chǎn)品成本，而且可以使液晶顯示面板更適合制作窄邊框的顯示產(chǎn)品。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法，能夠準(zhǔn)確測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性，提升LTPS顯示面板的TFT電性的測(cè)量成功率，保證LTPS顯示面板產(chǎn)品良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供一待測(cè)LTPS顯示面板，所述待測(cè)LTPS顯示面板包括：基板、設(shè)于所述基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上的有源層、設(shè)于所述有源層和緩沖層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上的第一金屬層、設(shè)于所述第一金屬層以及柵極絕緣層上的層間絕緣層、設(shè)于所述層間絕緣層上的第二金屬層、設(shè)于所述第二金屬層以及層間絕緣層上的有機(jī)平坦層；

所述第一金屬層包括對(duì)應(yīng)所述有源層設(shè)置的柵極、以及與所述柵極電性連接的柵極線；

所述第二金屬層包括分別與所述有源層的兩端接觸的源極和漏極、以及與所述柵極線電性連接的柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線；

所述第二金屬層的材料為兩層第一金屬材料夾一層第二金屬材料，所述第二金屬材料為鋁；

步驟S2、提供一化學(xué)試劑，所述化學(xué)試劑在預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件下能夠使有機(jī)平坦層和鋁分別發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并且不會(huì)使第一金屬材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，用所述化學(xué)試劑在預(yù)設(shè)反應(yīng)條件下使得所述有機(jī)平坦層以及鋁分別化學(xué)反應(yīng)，剝離有機(jī)平坦層、第二金屬層中的鋁、以及第二金屬層中的位于鋁和有機(jī)平坦層之間的第一金屬材料，保留所述第二金屬層中位于遠(yuǎn)離所述有機(jī)平坦層一側(cè)的第一金屬材料；

步驟S3、提供三根測(cè)試扎針，用所述三根測(cè)試扎針?lè)謩e接觸所述剩余的第二金屬層中的源極、漏極、以及所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線，得出該待測(cè)LTPS顯示面板的TFT電性曲線。

所述第一金屬材料為鈦。

所述步驟S2中提供的化學(xué)試劑為質(zhì)量百分濃度在65％-98％的發(fā)煙硝酸，所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件為將待測(cè)LTPS顯示面板加熱至100℃-200℃后向待測(cè)LTPS顯示面板的待測(cè)區(qū)域滴加發(fā)煙硝酸。

所述步驟S2中剝離有機(jī)平坦層、第二金屬層中的鋁、以及第二金屬層中的位于鋁和有機(jī)平坦層之間的第一金屬材料的具體方法為在待測(cè)LTPS顯示面板的表面堆積發(fā)黃絮狀物后停止滴加發(fā)煙硝酸，并靜置冷卻，隨后使用超聲清洗機(jī)清洗待測(cè)LTPS顯示面板10-30分鐘，清洗溫度為50℃-80℃，然后將待測(cè)LTPS顯示面板吹干。

所述第一金屬材料為鉬。

所述步驟S2中提供的化學(xué)試劑為摩爾濃度大于或等于1mol/L的氫氧化鉀溶液，所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件為將待測(cè)LTPS顯示面板放置于氫氧化鉀溶液中加熱至70℃-100℃，持續(xù)加熱10-30分鐘。

所述步驟S2中剝離有機(jī)平坦層、第二金屬層中的鋁、以及第二金屬層中的位于鋁和有機(jī)平坦層之間的第一金屬材料的具體方法為持續(xù)加熱10-30分鐘后所述待測(cè)LTPS顯示面板完成膜層剝離時(shí)將所述待測(cè)LTPS顯示面板從氫氧化鉀溶液中取出吹干。

所述待測(cè)LTPS顯示面板采用GOA電路作為柵極驅(qū)動(dòng)電路，所述步驟S2與步驟S3之間還包括通過(guò)鐳射工藝將剩余的第二金屬層中的柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線打斷成分別電性連接的GOA電路和柵極線的兩段的步驟；

所述步驟S3中，測(cè)試扎針與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線連接?xùn)艠O線的一段接觸。

所述源極和漏極分別通過(guò)貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與所述有源層的兩端接觸。

所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線通過(guò)貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層的第三過(guò)孔與所述柵極線電性連接。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法，其通過(guò)化學(xué)試劑同時(shí)與有機(jī)平坦層以及第二金屬層中的鋁反應(yīng)，去除有機(jī)平坦層、第二金屬層中的鋁、以及第二金屬層中的位于鋁和有機(jī)平坦層之間的第一金屬材料，僅保留第二金屬層中的遠(yuǎn)離所述有機(jī)平坦層的第一金屬材料，去除有機(jī)平坦層時(shí)不需要保留第二金屬層中的鋁，避免因第二金屬層中的鋁表面蝕刻不均勻?qū)е碌腡FT電性測(cè)量偏差，能夠準(zhǔn)確測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性，提升LTPS顯示面板的TFT電性的測(cè)量成功率，保證LTPS顯示面板產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1和圖2為本發(fā)明的測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法中步驟S1的示意圖；

圖3和圖4為本發(fā)明的測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法中步驟S2的示意圖；

圖5為本發(fā)明的測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法中打斷柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線的步驟的示意圖；

圖6和圖7為本發(fā)明的測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法中步驟S3的示意圖；

圖8為本發(fā)明的測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖8，本發(fā)明提供一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法，包括如下步驟：

步驟S1、提供一待測(cè)LTPS顯示面板，如圖1和圖2所示，所述圖1為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿與柵極線52垂直的方向的剖面圖，圖2為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿所述柵極線52的剖面圖，所述待測(cè)LTPS顯示面板包括：基板1、設(shè)于所述基板1上的緩沖層2、設(shè)于所述緩沖層2上的有源層3、設(shè)于所述有源層3和緩沖層2上的柵極絕緣層4、設(shè)于所述柵極絕緣層4上的第一金屬層5、設(shè)于所述第一金屬層5以及柵極絕緣層4上的層間絕緣層6、設(shè)于所述層間絕緣層6上的第二金屬層7、設(shè)于所述第二金屬層7以及層間絕緣層6上的有機(jī)平坦層8；

所述第一金屬層5包括對(duì)應(yīng)所述有源層3設(shè)置的柵極51、以及與所述柵極51電性連接的柵極線52；

所述第二金屬層7包括分別與所述有源層3的兩端接觸的源極71和漏極72、以及與所述柵極線52電性連接的柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73；

所述第二金屬層7的材料為兩層第一金屬材料74夾一層第二金屬材料75，所述第二金屬材料75為鋁。

優(yōu)選地，所述第一金屬材料74可以選擇鈦(Ti)或鉬(Mo)，即第二金屬層7的材料可以為兩層鈦夾一層鋁(Ti/Al/Ti)或兩層鉬夾一層鋁(Mo/Al/Mo)。

具體地，所述源極71和漏極72分別通過(guò)貫穿所述層間絕緣層6和柵極絕緣層4的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔與所述有源層的兩端接觸。所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73通過(guò)貫穿所述層間絕緣層6和柵極絕緣層4的第三過(guò)孔與所述柵極線52電性連接。

進(jìn)一步地，所述有源層3包括：溝道區(qū)31、以及位于所述溝道區(qū)31兩側(cè)的兩摻雜區(qū)32，所述柵極51對(duì)應(yīng)所述有源層3的溝道區(qū)31設(shè)置，所述源極71和漏極72分別與位于所述溝道區(qū)31兩側(cè)的兩摻雜區(qū)32接觸。

具體地，所述有機(jī)平坦層8的材料為一種酯類化合物。

步驟S2、如圖3和圖4所示，所述圖3為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿與柵極線52垂直的方向的剖面圖，圖4為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿所述柵極線52的剖面圖，提供一化學(xué)試劑，所述化學(xué)試劑在預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件下能夠使有機(jī)平坦層8和鋁分別發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并且不會(huì)使第一金屬材料74發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，用所述化學(xué)試劑在預(yù)設(shè)反應(yīng)條件下使得所述有機(jī)平坦層8以及鋁分別化學(xué)反應(yīng)，剝離有機(jī)平坦層8、第二金屬層7中的鋁、以及第二金屬層7中的位于鋁和有機(jī)平坦層8之間的第一金屬材料74，保留所述第二金屬層7中的遠(yuǎn)離所述有機(jī)平坦層8的第一金屬材料74；

具體地，當(dāng)所述第一金屬材料74為鈦時(shí)，所述步驟S2中提供的化學(xué)試劑為質(zhì)量百分濃度在65％-98％的發(fā)煙硝酸(HNO₃)，優(yōu)選質(zhì)量百分濃度在65％的發(fā)煙硝酸，所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件為將待測(cè)LTPS顯示面板加熱至100℃-200℃后向待測(cè)LTPS顯示面板的待測(cè)區(qū)域滴加發(fā)煙硝酸，優(yōu)選180℃，所述步驟S2中剝離有機(jī)平坦層8、第二金屬層7中的鋁、以及第二金屬層7中的位于鋁和有機(jī)平坦層8之間的第一金屬材料74的具體方法為在待測(cè)LTPS顯示面板的表面堆積發(fā)黃絮狀物后停止滴加發(fā)煙硝酸，并靜置冷卻，隨后使用超聲清洗機(jī)清洗待測(cè)LTPS顯示面板10-30分鐘，優(yōu)選10分鐘，清洗溫度為50℃-80℃，優(yōu)選80℃，然后將待測(cè)LTPS顯示面板吹干。由于鋁被完全反應(yīng)，有機(jī)平坦層8的附著力減小，所述有機(jī)平坦層8的更易剝離。

進(jìn)一步地，所述發(fā)煙硝酸能夠通過(guò)酸性催化使得所述有機(jī)平坦層8發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)方程式為：H₂O+R1-COO-R2→R1-COOH+R2-OH，并且所述發(fā)煙硝酸能夠與鋁直接發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)方程式為：2Al+6HNO₃→2Al(NO₃)₃+3H₂。

具體地，當(dāng)所述第一金屬材料74為鉬時(shí)，所述步驟S2中提供的化學(xué)試劑為摩爾濃度大于或等于1mol/L的氫氧化鉀(KOH)溶液，優(yōu)選摩爾濃度為1mol/L的氫氧化鉀(KOH)溶液所述預(yù)設(shè)的反應(yīng)條件為將待測(cè)LTPS顯示面板放置于氫氧化鉀溶液溶液中加熱至70℃-100℃，優(yōu)選100℃，持續(xù)加熱10-30分鐘，優(yōu)選20分鐘，所述步驟S2中剝離有機(jī)平坦層8、第二金屬層7中的鋁、以及第二金屬層7中的位于鋁和有機(jī)平坦層8之間的第一金屬材料74的具體方法為持續(xù)加熱10-30分鐘后所述待測(cè)LTPS顯示面板完成膜層剝離時(shí)將所述待測(cè)LTPS顯示面板從氫氧化鉀溶液中取出吹干。由于鋁被完全反應(yīng)，有機(jī)平坦層8的附著力減小，所述有機(jī)平坦層8的更易剝離。進(jìn)一步地，所述氫氧化鉀溶液能夠通過(guò)堿性催化使得所述有機(jī)平坦層8發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)方程式為：H₂O+R1-COO-R2→R1-COOH+R2-OH，并且所述氫氧化鉀溶液能夠與鋁直接發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其反應(yīng)方程式為：2Al+2KOH+2H₂O＝2KAlO₂+3H₂。

需要說(shuō)明的是，所述化學(xué)試劑與鋁反應(yīng)時(shí)通過(guò)所述第二金屬層7的邊緣滲透到位于兩層第一金屬材料74之間的鋁中，通過(guò)將鋁直接完全反應(yīng)去除，相比于現(xiàn)有技術(shù)，不需要再尋找既能去除有機(jī)平坦層8又能不傷及鋁的化學(xué)試劑，避免因第二金屬層中的鋁表面蝕刻不均勻?qū)е碌腡FT電性測(cè)量偏差，能夠提升產(chǎn)品解析的便捷性及TFT電性測(cè)量的成功率與準(zhǔn)確性。

步驟S3、如圖6和圖7所示，所述圖6為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿與柵極線52垂直的方向的剖面圖，圖7為此時(shí)所述待測(cè)LTPS顯示面板沿所述柵極線52的剖面圖，提供三根測(cè)試扎針9，用所述三根測(cè)試扎針9分別接觸所述剩余的第二金屬層7中的源極71、漏極72、以及所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73，得出該待測(cè)LTPS顯示面板的TFT電性曲線。

具體地，如圖5所示，若所述待測(cè)LTPS顯示面板采用GOA電路作為柵極驅(qū)動(dòng)電路，則在扎針之前，所述步驟S2與步驟S3之間還需要包括通過(guò)鐳射工藝將剩余的第二金屬層7中的柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73打斷成分別電性連接的GOA電路和柵極線52的兩段的步驟；

打斷后，所述步驟S3中，測(cè)試扎針9與所述柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73連接?xùn)艠O線52的一段接觸。

需要說(shuō)明的是，通過(guò)將柵極驅(qū)動(dòng)電路連接線73打斷成分別電性連接的GOA電路和柵極線52的兩段，能夠防止在TFT電性測(cè)量時(shí)因GOA電路的分壓導(dǎo)致電性測(cè)量產(chǎn)生偏差，保證電性測(cè)量的準(zhǔn)確性。

綜上所述，本發(fā)明提供一種測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性的方法，其通過(guò)化學(xué)試劑同時(shí)與有機(jī)平坦層以及第二金屬層中的鋁反應(yīng)，去除有機(jī)平坦層、第二金屬層中的鋁、以及第二金屬層中的位于鋁和有機(jī)平坦層之間的第一金屬材料，僅保留第二金屬層中的遠(yuǎn)離所述有機(jī)平坦層的第一金屬材料，去除有機(jī)平坦層時(shí)不需要保留第二金屬層中的鋁，避免因第二金屬層中的鋁表面蝕刻不均勻?qū)е碌腡FT電性測(cè)量偏差，能夠準(zhǔn)確測(cè)量LTPS顯示面板的TFT電性，提升LTPS顯示面板的TFT電性的測(cè)量成功率，保證LTPS顯示面板產(chǎn)品良率。

以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。