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      GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置與流程

      文檔序號:12475332閱讀:2016來源:國知局
      GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置與流程

      本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置。



      背景技術(shù):

      近年來,隨著信息技術(shù)、無線移動(dòng)通訊和信息家電的快速發(fā)展與應(yīng)用,人們對電子產(chǎn)品的依賴性與日俱增,更帶來各種顯示技術(shù)及顯示裝置的蓬勃發(fā)展。平板顯示裝置具有完全平面化、輕、薄、省電等特點(diǎn),因此得到了廣泛的應(yīng)用。

      目前,隨著平板顯示技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了一種將平板顯示裝置的柵極驅(qū)動(dòng)器通過掩模板鍍膜技術(shù)直接制作在玻璃基板上的新型技術(shù)—GIP(Gate in Panel,門面板)技術(shù)。目前,GIP技術(shù)是把掃描芯片集成在顯示面板上,達(dá)到節(jié)省掃描芯片,降低材料成本,減少工藝步驟并縮短工藝時(shí)間,從而降低面板成本、實(shí)現(xiàn)更窄邊框的目的。

      但是,顯示面板在制造過程中存在許多不良,解析的時(shí)候就需要測試GIP信號是否正常,然而,隨著屏體分辨率越來越高,不可能每一級均用引線引出以供信號測量使用?,F(xiàn)有技術(shù)中,一般采用引線引出第一級GIP信號以及最后一級GIP信號進(jìn)行測量。請參考圖1,其為現(xiàn)有技術(shù)中GIP信號測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,柵極驅(qū)動(dòng)電路包括第一級級聯(lián)結(jié)構(gòu)、第二級級聯(lián)結(jié)構(gòu)…第n級級聯(lián)結(jié)構(gòu)(最后一級的級聯(lián)結(jié)構(gòu)),所述級聯(lián)結(jié)構(gòu)通常是移位寄存器。所述柵極驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)外部電路輸入的信號sin,產(chǎn)生多級GIP信號,采用引線引出第1級GIP信號S1以及最后一極的GIP信號Sn,對第一級GIP信號S1以及最后一級GIP信號Sn進(jìn)行測試,其余級GIP信號均不能進(jìn)行測試。因此,即使其余各級GIP信號出現(xiàn)異常,也無法進(jìn)行確認(rèn)。

      基于此,如何解決現(xiàn)有的平板顯示裝置無法在不增加走線的情況下對每一級GIP信號進(jìn)行測試的問題,成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個(gè)技術(shù)問題。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置無法在不增加走線的情況下對每一級GIP信號進(jìn)行測試的問題。

      為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種具有GIP信號測試電路,包括:一信號測試線、一時(shí)鐘信號線、一個(gè)第一晶體管、多個(gè)第二晶體管、多個(gè)第三晶體管、多個(gè)電容以及多級GIP信號;所述第二晶體管、第三晶體管、電容以及GIP信號一一對應(yīng);所述第一晶體管連接在所述時(shí)鐘信號線與信號測試線之間;所述信號測試線通過多個(gè)第二晶體管、多個(gè)第三晶體管以及多個(gè)電容分別接收多級GIP信號,并根據(jù)所述多級GIP信號輸出測試信號。

      可選的,所述第一晶體管的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線,所述第一晶體管的第二電極連接至所述信號測試線,所述第一晶體管的柵極連接至所述信號測試線。

      可選的,所述第二晶體管的第一電極連接至所述信號測試線,所述第二晶體管的第二電極連接相對應(yīng)的所述GIP信號;所述第二晶體管的柵極連接至相對應(yīng)的第三晶體管的第二電極。

      可選的,所述第三晶體管的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線,所述第三晶體管的第二電極與柵極均連接至相對應(yīng)的所述電容的一端,所述電容的另一端連接至相對應(yīng)的所述GIP信號。

      可選的,所述第一電極為源極,所述第二電極為漏極;或者,所述第一電極為漏極,所述第二電極為源極;所述第一晶體管至第三晶體管均為薄膜場效應(yīng)晶體管。

      相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種GIP信號測試方法,采用上述的GIP信號測試電路進(jìn)行測試,包括:

      向所述GIP信號測試電路提供時(shí)鐘信號和多級GIP信號;以及

      通過所述GIP信號測試電路輸出多級GIP信號的測試信號。

      可選的,每一級GIP信號的下降沿較所述時(shí)鐘信號的下降沿延遲,每一級GIP信號的上升沿較所述時(shí)鐘信號的上升沿提前。

      可選的,測試周期包括五個(gè)階段:

      在第一時(shí)間段,所述時(shí)鐘信號與某一級GIP信號均為高電位,所述第一晶體管、第三晶體管打開,所述第二晶體管關(guān)閉,所述測試信號為高電位;

      在第二時(shí)間段,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管、第二晶體以及第三晶體管均關(guān)閉,所述測試信號維持高電位;

      在第三時(shí)間段,所述GIP信號為低電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管與第三晶體管關(guān)閉,所述第二晶體管打開,所述測試信號為低電位;

      在第四時(shí)間段,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管、第二晶體以及第三晶體管均關(guān)閉,所述測試信號為低電位;

      在第五時(shí)間段,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為高電位,所述第一晶體管與第三晶體管打開,所述第二晶體管關(guān)閉,所述測試信號為高電位。

      可選的,所述測試信號的每個(gè)低電位對應(yīng)一級GIP信號。

      可選的,本發(fā)明還提供一種顯示裝置,包括:GIP電路、多條掃描線以及上述的GIP信號測試電路;

      所述GIP電路通過所述多條掃描線與所述GIP信號測試電路連接,用于向所述GIP信號測試電路提供多級GIP信號,所述GIP信號測試電路根據(jù)所述多級GIP信號輸出測試信號。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置,采用新型的GIP信號測試電路,只需要一條信號測試線就能夠?qū)γ恳患塆IP信號進(jìn)行檢測,使得顯示裝置在基本不增加走線的基礎(chǔ)上確保了GIP電路的可靠性,同時(shí)提高了不良解析的效率。

      附圖說明

      圖1為現(xiàn)有技術(shù)中GIP信號測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的GIP信號測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的多級GIP信號、時(shí)鐘信號以及測試信號的波形圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂,以下結(jié)合說明書附圖,對本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例,本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。

      其次,本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述,在詳述本發(fā)明實(shí)例時(shí),為了便于說明,示意圖不依照一般比例局部放大,不應(yīng)對此作為本發(fā)明的限定。

      請參考圖2所示,其為本發(fā)明一實(shí)施例提供的GIP信號測試電路的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示,GIP信號測試電路包括:一信號測試線Test Line、一時(shí)鐘信號線CK、一個(gè)第一晶體管T1和多個(gè)第二晶體管(T21至T2n)、多個(gè)第三晶體管(T31至T3n)、多個(gè)電容(C1至Cn)以及多級GIP信號。所述第二晶體管(T21至T2n)、第三晶體管(T31至T3n)、電容(C1至Cn)以及GIP信號一一對應(yīng)。所述第一晶體管T1連接在所述時(shí)鐘信號線CK與信號測試線Test Line之間;所述信號測試線Test Line通過多個(gè)第二晶體管(T21至T2n)、多個(gè)第三晶體管(T31至T3n)以及多個(gè)電容(C1至Cn)分別接收多級GIP信號,并根據(jù)所述多級GIP信號輸出測試信號。

      所述多級GIP信號分別由第一掃描線S1至第n掃描線Sn提供;所述第二晶體管(T21至T2n)、第三晶體管(T31至T3n)、電容(C1至Cn)以及GIP信號一一對應(yīng)是指:所述第二晶體管(T21至T2n)、第三晶體管(T31至T3n)以及電容(C1至Cn)的數(shù)量相等,且與所述GIP信號的級數(shù)也相等,并且,一個(gè)第二晶體管對應(yīng)連接一個(gè)第三晶體管、一個(gè)電容以及一條掃描線。例如:第一掃描線S1提供第一級GIP信號,第一級GIP信號與所述第二晶體管T21、第三晶體管T31、電容C1相對應(yīng),第二掃描線S2提供第二級GIP信號,第二級GIP信號與所述第二晶體管T22、第三晶體管T32、電容C2相對應(yīng),以此類推,第n掃描線Sn提供第n級GIP信號,第n級GIP信號與所述第二晶體管T2n、第三晶體管T3n、電容Cn相對應(yīng)。所述信號測試線Test Line通過第二晶體管T21、第三晶體管T31以及電容C1接收第一級GIP信號,所述信號測試線Test Line通過第二晶體管T22、第三晶體管T32以及電容C2接收第二級GIP信號,以此類推,所述信號測試線Test Line通過第二晶體管T2n、第三晶體管T3n以及電容Cn接收第n級GIP信號,最終根據(jù)所述多級GIP信號輸出測試信號。

      具體的,所述第一晶體管T1的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線CK,所述第一晶體管T1的第二電極連接至所述信號測試線Test Line,所述第一晶體管T1的柵極連接至所述信號測試線Test Line。

      所述第二晶體管(T21至T2n)的第一電極連接至所述信號測試線Test Line,所述第二晶體管(T21至T2n)的第二電極連接相對應(yīng)的所述GIP信號;所述第二晶體管(T21至T2n)的柵極連接至相對應(yīng)的第三晶體管(T31至T3n)的第二電極。具體的,所述第二晶體管T21的第一電極連接至所述信號測試線Test Line,所述第二晶體管T21的第二電極連接相對應(yīng)的所述第一級GIP信號;所述第二晶體管T21的柵極連接至相對應(yīng)的第三晶體管T31的第二電極;所述第二晶體管T22的第一電極連接至所述信號測試線Test Line,所述第二晶體管T22的第二電極連接相對應(yīng)的所述第二級GIP信號;所述第二晶體管T22的柵極連接至相對應(yīng)的第三晶體管T32的第二電極;以此類推,所述第二晶體管T2n的第二電極連接相對應(yīng)的所述第n級GIP信號;所述第二晶體管T2n的柵極連接至相對應(yīng)的第三晶體管T3n的第二電極。

      所述第三晶體管(T31至T3n)的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線CK,所述第三晶體管(T31至T3n)的第二電極與柵極均連接至相對應(yīng)的所述電容(C1至Cn)的一端,所述電容(C1至Cn)的另一端連接至相對應(yīng)的所述GIP信號。同樣的,所述第三晶體管T31的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線CK,所述第三晶體管T31的第二電極與柵極均連接至相對應(yīng)的所述電容C1的一端,所述電容C1的另一端連接至相對應(yīng)的所述第一級GIP信號;所述第三晶體管T32的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線CK,所述第三晶體管T32的第二電極與柵極均連接至相對應(yīng)的所述電容C2的一端,所述電容C2的另一端連接至相對應(yīng)的所述第二級GIP信號;以此類推,所述第三晶體管T3n的第一電極連接至所述時(shí)鐘信號線CK,所述第三晶體管T3n的第二電極與柵極均連接至相對應(yīng)的所述電容Cn的一端,所述電容Cn的另一端連接至相對應(yīng)的所述第n級GIP信號。

      在本實(shí)施例中,所述第一電極為源極,所述第二電極為漏極;或者,所述第一電極為漏極,所述第二電極為源極。本發(fā)明實(shí)施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件,優(yōu)選的,所述第一晶體管T1、第二晶體管(T21至T2n)以及第三晶體管(T31至T3n)均為薄膜場效應(yīng)晶體管。

      本發(fā)明所提供的GIP信號測試電路,只需要一條信號測試線Test Line就能夠?qū)γ恳患塆IP信號進(jìn)行檢測,使得顯示裝置在基本不增加走線的基礎(chǔ)上確保了GIP電路的可靠性,同時(shí)也能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)GIP信號的異常,提高了不良解析的效率。

      相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種GIP信號測試方法,采用上述的GIP信號測試電路進(jìn)行GIP信號測試。請參考圖3,其為本發(fā)明一實(shí)施例提供的多級GIP信號、時(shí)鐘信號以及測試信號的波形圖,如圖3所示,所述GIP信號測試方法包括:

      步驟一:向所述GIP信號測試電路提供時(shí)鐘信號和多級GIP信號;

      步驟二:通過所述GIP信號測試電路輸出多級GIP信號的測試信號。

      具體的,首先,向所述GIP信號測試電路提供時(shí)鐘信號和多級GIP信號,所述多級GIP信號中每一級GIP信號下降沿較所述時(shí)鐘信號的下降沿延遲,每一級GIP信號的上升沿較所述時(shí)鐘信號的上升沿提前。在本實(shí)施例中,每一級GIP信號下降沿較所述時(shí)鐘信號的下降沿延遲T1時(shí)間段,每一級GIP信號的上升沿較所述時(shí)鐘信號的上升沿提前T3時(shí)間。

      如圖3所示,所述測試周期包括五個(gè)階段,分別為第一時(shí)間段T0、第二時(shí)間段T1、第三時(shí)間段T2、第四時(shí)間段T3與第五時(shí)間段T4。在第一時(shí)間段T0:所述時(shí)鐘信號與某一級GIP信號均為高電位,所述第一晶體管、第三晶體管打開,所述第二晶體管關(guān)閉,所述測試信號為高電位;在第二時(shí)間段T1,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管、第二晶體以及第三晶體管均關(guān)閉,所述測試信號維持高電位;在第三時(shí)間段T2,所述GIP信號為低電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管與第三晶體管關(guān)閉,所述第二晶體管打開,所述測試信號為低電位;在第四時(shí)間段T3,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為低電位,所述第一晶體管、第二晶體以及第三晶體管均關(guān)閉,所述測試信號為低電位;在第五時(shí)間段T4,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號為高電位,所述第一晶體管與第三晶體管打開,所述第二晶體管關(guān)閉,所述測試信號為高電位。

      具體的,在第一時(shí)間段T0,由第一掃描線S1提供第一級GIP信號,所述時(shí)鐘信號CK與第一級GIP信號均為高電位,所述第一晶體管T1、第三晶體管T31打開,所述第二晶體管T21關(guān)閉,所述測試信號Test Line為高電位。

      在第二時(shí)間段T1,所述第一級GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號CK為低電位,所述第一晶體管T1、第二晶體T21以及第三晶體管T31均關(guān)閉,所述測試信號Test Line維持高電位。

      在第三時(shí)間段T2,所述GIP信號跳至低電位,所述時(shí)鐘信號CK為低電位,所述第二晶體管T21由電容C21耦合,所述第二晶體管T21打開,所述第一晶體管T1與第三晶體管T31關(guān)閉,所述測試信號Test Line連接至第一級GIP信號跳至低電位。

      在第四時(shí)間段T3,所述GIP信號跳至高電位,所述時(shí)鐘信號維持低電位,所述第一晶體管T1、第二晶體T21以及第三晶體管T31均關(guān)閉,所述測試信號Test Line維持低電位。

      在第五時(shí)間段T4,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號CK為高電位,所述第一晶體管T1與第三晶體管T31打開,所述第二晶體管T21關(guān)閉,所述測試信號Test Line跳至高電位。

      然后再從第一時(shí)間段T0進(jìn)行重復(fù),從圖3中可以看出,在第二次重復(fù)時(shí),由所述第二掃描線S2提供第二級GIP信號,在第一時(shí)間段T0,所述時(shí)鐘信號CK與第二級GIP信號均為高電位,所述第一晶體管T1、第三晶體管T32打開,所述第二晶體管T22關(guān)閉,所述測試信號Test Line為高電位。在第二時(shí)間段T1,所述第二級GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號CK為低電位,所述第一晶體管T1、第二晶體T22以及第三晶體管T32均關(guān)閉,所述測試信號Test Line維持高電位。在第三時(shí)間段T2,所述GIP信號跳至低電位,所述時(shí)鐘信號CK為低電位,所述第二晶體管T22由電容C22耦合,所述第二晶體管T22打開,所述第一晶體管T1與第三晶體管T32關(guān)閉,所述測試信號Test Line連接至第二級GIP信號跳至低電位。在第四時(shí)間段T3,所述GIP信號跳至高電位,所述時(shí)鐘信號維持低電位,所述第一晶體管T1、第二晶體T22以及第三晶體管T32均關(guān)閉,所述測試信號Test Line維持低電位。在第五時(shí)間段T4,所述GIP信號為高電位,所述時(shí)鐘信號CK為高電位,所述第一晶體管T1與第三晶體管T32打開,所述第二晶體管T22關(guān)閉,所述測試信號Test Line跳至高電位。

      以此重復(fù),直至第n掃描線提供第n級GIP信號,最終得到測試信號Test Line,如圖3所示,所述測試信號Test Line的每個(gè)低電位對應(yīng)一級GIP信號。

      每一級GIP信號均正常時(shí),通過所述信號測試線Test Line輸出的測試信號如圖3所示,每一級GIP信號下降沿較所述時(shí)鐘信號的下降沿延遲T1時(shí)間段,每一級GIP信號的上升沿較所述時(shí)鐘信號的上升沿提前T3時(shí)間。因此,通過采集所述測試信號線Test Line輸出的測試信號能夠監(jiān)控每一級GIP信號。若某一級GIP信號出現(xiàn)異常,所述測試信號線Test Line輸出的測試信號就會(huì)不同于圖3所示的波形。

      相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種顯示裝置,請繼續(xù)參考圖2,所述顯示面板包括:GIP電路(圖中未示出)、多條掃描線(S1至Sn)和如上所述的GIP信號檢測電路;所述GIP電路通過所述多條掃描線(S1至Sn)與所述GIP信號測試電路連接,用于向所述GIP信號測試電路提供多級GIP信號,所述GIP信號測試電路根據(jù)所述多級GIP信號輸出測試信號。

      具體的,所述顯示裝置包括顯示區(qū)域和圍繞于所述顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域(圖中未示出),所述顯示區(qū)域中設(shè)置有多個(gè)呈矩陣排布的像素(圖中未示出),所述GIP電路和GIP信號測試電路通常設(shè)置于所述顯示裝置的非顯示區(qū)域內(nèi)。其中,所述GIP電路通過所述多條掃描線(S1至Sn)分別提供多級GIP信號,所述GIP信號的每一級GIP信號用于導(dǎo)通一行像素。所述GIP信號測試電路的多個(gè)第二晶體管(T21至T2n)、第三晶體管T31至T3n)、電容(C1至Cn)與多條掃描線一一對應(yīng)并相互連接,所述信號測試線Test Line通過多個(gè)第二晶體管(T21至T2n)、多個(gè)第三晶體管(T31至T3n)以及多個(gè)電容(C1至Cn)分別接收多級GIP信號,并根據(jù)所述每一級GIP信號輸出測試信號。

      傳統(tǒng)的顯示裝置只將第一級和最后一極(第n極)的GIP信號引出進(jìn)行測試,不但需要兩條走線,而且除了第一級和最后一極之外的其余各級GIP信號均無法進(jìn)行測試,因此無法確保其GIP電路的可靠性。而本發(fā)明提供的顯示裝置中,通過一條信號測試線Test Line就能夠檢測GIP電路輸出的每一級GIP信號。因此,具有上述GIP信號測試電路的顯示裝置能夠確保其GIP電路的可靠性。

      其中,所述顯示裝置可以是液晶顯示裝置(LCD)、等離子體顯示裝置(PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED)、柔性顯示裝置或者其他類型的顯示裝置,具體類型在此不做限制。

      綜上所述,本發(fā)明提供的GIP信號測試電路、GIP信號測試方法和顯示裝置,采用新型的GIP信號測試電路,只需要一條信號測試線就能夠?qū)γ恳患塆IP信號進(jìn)行檢測,使得顯示裝置在基本不增加走線的基礎(chǔ)上確保了GIP電路的可靠性,同時(shí)提高了不良解析的效率。

      上述描述僅是對本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述,并非對本發(fā)明范圍的任何限定,本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。

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