一種移位寄存器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種移位寄存器。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示器(FH^Flat-Pane Ι-Display)已成為顯示技術(shù)的主流，近年來(lái)正向高幀頻、高分辨率、更窄邊框的方向發(fā)展。集成顯示驅(qū)動(dòng)電路是指將平板顯示器的柵極驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路等外圍電路以薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)的形式與像素TFT一起制作于顯示面板上，與傳統(tǒng)的1C驅(qū)動(dòng)方式相比，采用集成顯示驅(qū)動(dòng)的方法不僅可以減少外圍驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)量及其壓封程序、降低成本，而且能使得顯示器外圍更加纖薄，模組更加緊湊，機(jī)械和電學(xué)可靠性得以增強(qiáng)。
[0003]在集成顯示驅(qū)動(dòng)電路中，移位寄存器是實(shí)現(xiàn)集成柵極(行)驅(qū)動(dòng)電路和集成數(shù)據(jù)(列)驅(qū)動(dòng)電路的重要電路模塊?；诜蔷Ч鑄FT的移位寄存器電路，一方面受限于非晶硅TFT的低迀移率，工作頻率很難提升，另一方面電路所占用的面積往往較大，因此越來(lái)越難滿足實(shí)際的需要。氧化物半導(dǎo)體TFT由于具有特性均勻、迀移率高、穩(wěn)定性較好、制作成本低等優(yōu)勢(shì)，成為近年來(lái)備受關(guān)注的TFT技術(shù)，基于氧化物半導(dǎo)體(TFT)的集成移位寄存器電路也得到了初步的研究。
[0004]在現(xiàn)有的移位寄存器電路結(jié)構(gòu)中，通常采用電容自舉的效應(yīng)增大驅(qū)動(dòng)管的驅(qū)動(dòng)能力，從而加快對(duì)輸出負(fù)載充電的速度。但是，傳統(tǒng)的移位寄存器電路中，一方面，由于電路內(nèi)部存在漏電或者驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極電容較大的原因，驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極往往不能自舉到較高的電位，輸出脈沖的上升時(shí)間較大，進(jìn)而限制了電路的工作頻率的提高。尤其是當(dāng)溫度較高、TFT的閾值電壓較小時(shí)，這種影響將會(huì)更加顯著。另一方面，當(dāng)移位寄存器的輸出端負(fù)載較大時(shí)，傳統(tǒng)的移位寄存器通常需要尺寸較大的下拉管對(duì)負(fù)載放電，因此電路的面積往往較大，不利于在高分辨率顯示器上應(yīng)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種移位寄存器，以解決上述問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明提供一種移位寄存器，其包括多級(jí)移位寄存器單元，其中至少一級(jí)移位寄存器單元包括:驅(qū)動(dòng)模塊，包括:輸入端，與第一時(shí)鐘信號(hào)連接;控制端，用于接收驅(qū)動(dòng)控制信號(hào);第一輸出端，用于輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)通過(guò)第一時(shí)鐘信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行充放電；輸入模塊，與控制端連接，輸入模塊根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)和第一控制信號(hào)輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)；低電平維持模塊，與第一輸出端連接，用于根據(jù)第一參考電壓、第三時(shí)鐘信號(hào)、第一時(shí)鐘信號(hào)以及第一控制信號(hào)將驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平維持在第二參考電壓的低電平。
[0007]其中，驅(qū)動(dòng)電路包括第一薄膜晶體管和第一電容，第一薄膜晶體管的第一端與第一時(shí)鐘信號(hào)連接，第一薄膜晶體管的第二端與輸入模塊連接，第一薄膜晶體管的第三端用于輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一電容的一端與第一薄膜晶體管的第二端連接，第一電容的另一端與第一薄膜晶體管的第三端連接。
[0008]其中，輸入模塊包括:第二薄膜晶體管以及第三薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的第一端與第三薄膜晶體管的第一端連接，第二薄膜晶體管的第二端與第二時(shí)鐘信號(hào)連接，第二薄膜晶體管的第三端和第三薄膜晶體管的第三端與第一薄膜晶體管的第二端連接，第三薄膜晶體管的第一端和第二端與第一控制信號(hào)連接。
[0009]其中，低電平維持模塊包括:第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管以及第二電容，第四薄膜晶體管的第一端和第五薄膜晶體管的第一端與第一參考電壓連接，第四薄膜晶體管的第二端與第六薄膜晶體管的第一端連接，第四薄膜晶體管的第三端和第五薄膜晶體管的第三端與第八薄膜晶體管的第二端連接，第五薄膜晶體管的第二端與第三時(shí)鐘信號(hào)連接，第六薄膜晶體管的第一端通過(guò)第二電容與第一時(shí)鐘信號(hào)連接，第六薄膜晶體管的第二端和第七薄膜晶體管的第二端與第一控制信號(hào)連接，第六薄膜晶體管的第三端、第七薄膜晶體管的第三端以及第八薄膜晶體管的第三端與第二參考電壓連接，第七薄膜晶體管的第一端與第八薄膜晶體管的第二端連接，第八薄膜晶體管的第一端與第一薄膜晶體管的第三端連接。
[0010]其中，移位寄存器單元進(jìn)一步包括初始化模塊，分別與控制端和第二參考電壓連接，初始化模塊用于將驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)下拉至第二參考電壓的低電平。
[0011]其中，初始化模塊包括第九薄膜晶體管，第九薄膜晶體管的第一端與第一薄膜晶體管的第二端連接，第九薄膜晶體管的第二端與初始化脈沖信號(hào)連接，第九薄膜晶體管的第三端與第二參考電壓連接。
[0012]其中，驅(qū)動(dòng)模塊進(jìn)一步包括:第二輸出端，與下一級(jí)的移位寄存器單元連接，用于為下一級(jí)的移位寄存器單元提供輸入信號(hào)。
[0013]其中，第二輸出端包括第十薄膜晶體管，第十薄膜晶體管的第一端與第一時(shí)鐘信號(hào)連接，第十薄膜晶體管的第二端與第一薄膜晶體管的第二端連接，第十薄膜晶體管的第三端與下一級(jí)的移位寄存器單元連接。
[0014]其中，低電平維持模塊進(jìn)一步包括第十一薄膜晶體管，第十一薄膜晶體管的第一端與第十薄膜晶體管的第三端連接，第十一薄膜晶體管的第二端與第八薄膜晶體管的第二端連接，第十一薄膜晶體管的第三端與第二參考電壓連接。
[0015]其中，第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管、第十薄膜晶體管以及第十一薄膜晶體管為N型薄膜晶體管。
[0016]通過(guò)上述方案，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的移位寄存器包括多級(jí)移位寄存器單元，每級(jí)移位寄存器單元包括:驅(qū)動(dòng)模塊、輸入模塊以及低電平維持模塊，驅(qū)動(dòng)模塊根據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)通過(guò)第一時(shí)鐘信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行充放電；輸入模塊根據(jù)第二時(shí)鐘信號(hào)和第一控制信號(hào)輸出驅(qū)動(dòng)控制信號(hào);低電平維持模塊根據(jù)第一參考電壓、第三時(shí)鐘信號(hào)、第一時(shí)鐘信號(hào)以及第一控制信號(hào)將驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電平維持在第二參考電壓的低電平;在第一時(shí)鐘信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行充電時(shí)，低電平維持模塊斷開(kāi)與第一輸出端連接，避免第一輸出端漏電，減少驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升時(shí)間；在第一時(shí)鐘信號(hào)對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行放電時(shí)，低電平維持模塊與第一輸出端連接，驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過(guò)第一時(shí)鐘信號(hào)和低電平維持模塊快速放電，移位寄存器的電路面積小。
【附圖說(shuō)明】
[0017]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中:
[0018]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的移位寄存器單元的電路圖；
[0019]圖2是圖1中移位寄存器單元的時(shí)序圖；
[0020]圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的移位寄存器單元的電路圖；
[0021 ]圖4是圖3中移位寄存器單元的時(shí)序圖；
[0022]圖5是本發(fā)明第三實(shí)施例的移位寄存器單元的電路圖；
[0023]圖6是圖5中移位寄存器單元的時(shí)序圖；
[0024]圖7是本發(fā)明第一實(shí)施例的移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖8是圖7中移位寄存器的時(shí)序圖；
[0026]圖9是本發(fā)明第二實(shí)施例的移位寄存器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性的勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]請(qǐng)參見(jiàn)圖1所示，圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的移位寄存器單元的電路圖。本實(shí)施例所揭示的移位寄存器單元應(yīng)用于移位寄存器，移位寄存器包括多級(jí)移位寄存器單元。如圖