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      柵極驅(qū)動(dòng)電路、陣列基板、顯示裝置的制造方法_5

      文檔序號(hào):8698266閱讀:來源:國知局
      奇數(shù)組復(fù)位單元輸出階段和偶數(shù)組復(fù)位單元的上拉節(jié)點(diǎn)充電階段,在S2階段,第一奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK1輸出高電平信號(hào),第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK2、第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK3和第二偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線啊CLK4輸出低電平信號(hào),用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+1的輸出端Reset outputl開始輸出高電平,因此,第N_1級(jí)移位寄存單元被正常復(fù)位,同時(shí),用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+1輸出的高電平信號(hào)也是用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+2的輸入信號(hào),因此移位寄存單元100_N+2的上拉節(jié)點(diǎn)100_N+2PU開始充電;
      [0101]S3階段為偶數(shù)組復(fù)位單元輸出階段、奇數(shù)組復(fù)位單元輸出端下拉階段以及奇數(shù)組復(fù)位單元上拉節(jié)點(diǎn)下拉階段,在S3階段第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK2輸出高電平信號(hào),第一奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK1、第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK3和第二偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK4同時(shí)輸出低電平信號(hào),用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+2的輸出端Reset output2開始輸出高電平,因此,第N級(jí)移位寄存單元100_N的輸出端被正常復(fù)位,由于第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK2連接了用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+1的復(fù)位端,第二薄膜晶體管M2和第十薄膜晶體管M10導(dǎo)通因此,用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+1的上拉節(jié)點(diǎn)100_N+1PU和輸出端同時(shí)被下拉至低電平VGL,使得用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+1被正常復(fù)位;
      [0102]S4階段為偶數(shù)組復(fù)位單元的上拉節(jié)點(diǎn)放電階段和偶數(shù)組復(fù)位單元的輸出端放電階段,在S4階段第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK3輸出高電平信號(hào),第一奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK1、第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK2和第二偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK4輸出低電平信號(hào),由于第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線CLK3連接了用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+2的復(fù)位端,因此,第二薄膜晶體管M2和第十薄膜晶體管M10導(dǎo)通,因此用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+2的上拉節(jié)點(diǎn)100_N+2PU和輸出端同時(shí)被下拉至低電平VGL,使得用作復(fù)位單元的移位寄存單元100_N+2被正常復(fù)位。至此,各移位寄存單元均被正常復(fù)位,一幀結(jié)束。
      [0103]優(yōu)選地,復(fù)位階段時(shí)鐘信號(hào)的脈沖寬度為顯示階段脈沖信號(hào)寬度的一半。而由于復(fù)位單元不需要考慮對(duì)像素進(jìn)行充電,只需要考慮對(duì)前一個(gè)移位寄存單元的上拉節(jié)點(diǎn)進(jìn)行復(fù)位即可,因此設(shè)置輸出寬度減半完全可行。
      [0104]可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,柵極驅(qū)動(dòng)電路包括至少一組時(shí)鐘信號(hào)線和級(jí)聯(lián)的多級(jí)移位寄存單元,每組時(shí)鐘信號(hào)線包括兩條所述時(shí)鐘信號(hào)線,多級(jí)所述移位寄存單元被劃分為至少一組,并且每組所述時(shí)鐘信號(hào)線對(duì)應(yīng)一組所述移位寄存單元,其特征在于,每組時(shí)鐘信號(hào)線中的一條時(shí)鐘信號(hào)線與該組時(shí)鐘信號(hào)線對(duì)應(yīng)的一組移位寄存單元中的最后一級(jí)移位寄存單元的復(fù)位信號(hào)輸入端相連,以在復(fù)位階段開始時(shí)向一組移位寄存單元中的最后一級(jí)移位寄存單元的復(fù)位信號(hào)輸入端提供復(fù)位信號(hào)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括偶數(shù)級(jí)移位寄存單元,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路包括奇數(shù)組時(shí)鐘信號(hào)線和偶數(shù)組時(shí)鐘信號(hào)線,奇數(shù)組時(shí)鐘信號(hào)線包括第一奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線和第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線,偶數(shù)組時(shí)鐘信號(hào)線包括第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線和第二偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線,多級(jí)所述移位寄存單元被劃分為對(duì)應(yīng)于奇數(shù)行柵線的奇數(shù)組移位寄存單元和對(duì)應(yīng)于偶數(shù)行柵線的偶數(shù)組移位寄存單元,奇數(shù)組移位寄存單元的最后一級(jí)移位寄存單元用作奇數(shù)組復(fù)位單元,偶數(shù)組移位寄存單元的最后一級(jí)移位寄存單元用作偶數(shù)組復(fù)位單元,第一偶數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線與所述奇數(shù)組復(fù)位單元的復(fù)位信號(hào)輸入端相連,第二奇數(shù)時(shí)鐘信號(hào)線與所述偶數(shù)組復(fù)位單元的復(fù)位信號(hào)輸入端相連,所述奇數(shù)組復(fù)位單元的輸出端與所述偶數(shù)組復(fù)位單元的輸入端相連,所述奇數(shù)組復(fù)位單元的輸出端與對(duì)應(yīng)于最后一行奇數(shù)行柵線的奇數(shù)組移位寄存單元的復(fù)位端相連,所述偶數(shù)組復(fù)位單元的輸出端與對(duì)應(yīng)于最后一行偶數(shù)行柵線的偶數(shù)組移位寄存單元的復(fù)位端相連。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述移位寄存單元包括第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第七薄膜晶體管、第八薄膜晶體管、第九薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容,所述第一薄膜晶體管的柵極和第一極與所述移位寄存單元的信號(hào)輸入端相連,所述第一薄膜晶體管的第二極與所述第二薄膜晶體管的第一極相連,所述第二薄膜晶體管的柵極與所述移位寄存單元的復(fù)位信號(hào)輸入端相連,所述第二薄膜晶體管的第二極與低電平輸入端相連,所述第三薄膜晶體管的第一極與第一時(shí)鐘信號(hào)輸入端相連,所述第三薄膜晶體管的柵極與所述第一薄膜晶體管的第二極相連,所述第三薄膜晶體管的第二極與所述移位寄存單元的輸出端相連,所述第四薄膜晶體管的第一極與第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端相連,所述第四薄膜晶體管的第二極與所述第五薄膜晶體管的第一極相連,所述第四薄膜晶體管的柵極與所述第七薄膜晶體管的第二極相連,所述第五薄膜晶體管的柵極與所述第三薄膜晶體管的柵極相連,所述第五薄膜晶體管的第二極與所述低電平輸入端相連,所述第六薄膜晶體管的柵極與所述第五薄膜晶體管的柵極相連,所述第六薄膜晶體管的第一極與所述第四薄膜晶體管的柵極相連,所述第六薄膜晶體管的第二極與所述低電平輸入端相連,所述第七薄膜晶體管的柵極與所述第二時(shí)鐘信號(hào)輸入端相連,所述第七薄膜晶體管的第一極與該第七薄膜晶體管的柵極相連,所述第八薄膜晶體管的柵極與所述第九薄膜晶體管的柵極相連,且與所述第五薄膜晶體管的第一極相連,所述第八薄膜晶體管的第一極與所述第二薄膜晶體管的第一極相連,所述第八薄膜晶體管的第二極與所述低電平輸入端相連,所述第九薄膜晶體管的第一極與所述移位寄存單元的信號(hào)輸出端相連,所述第九薄膜晶體管的第二極與所述低電平輸入端相連,所述存儲(chǔ)電容的第一端與所述第三薄膜晶體管的柵極相連,所述存儲(chǔ)電容的第二端與所述移位寄存單元的信號(hào)輸出端相連。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述移位寄存單元包括還包括第十薄膜晶體管,所述第十薄膜晶體管的第一極與所述第九薄膜晶體管的第一極相連,所述第十薄膜晶體管的第二極與所述第九薄膜晶體管的第二極相連,所述第十薄膜晶體管的柵極與所述復(fù)位信號(hào)輸入端相連。
      5.一種陣列基板,所述陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述柵極驅(qū)動(dòng)電路為權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
      6.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括陣列基板,其特征在于,所述陣列基板為權(quán)利要求5所述的陣列基板。
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路,包括至少一組時(shí)鐘信號(hào)線和級(jí)聯(lián)的多級(jí)移位寄存單元,每組時(shí)鐘信號(hào)線包括兩條時(shí)鐘信號(hào)線,多級(jí)所述移位寄存單元被劃分為至少一組,并且每組時(shí)鐘信號(hào)線對(duì)應(yīng)一組所述移位寄存單元,每組時(shí)鐘信號(hào)線中的一條時(shí)鐘信號(hào)線與該組時(shí)鐘信號(hào)線對(duì)應(yīng)的一組移位寄存單元中的最后一級(jí)移位寄存單元的復(fù)位信號(hào)輸入端相連。本實(shí)用新型還提供一種陣列基板和一種顯示裝置。在本實(shí)用新型中,通過時(shí)鐘信號(hào)線輸入的時(shí)鐘信號(hào)為用作復(fù)位單元的移位寄存單元提供復(fù)位信號(hào),因此,無需在柵極驅(qū)動(dòng)電路中增加額外的復(fù)位單元或額外的薄膜晶體管,從而簡化了柵極驅(qū)動(dòng)電路的總體結(jié)構(gòu),有利于實(shí)現(xiàn)顯示裝置的窄邊框設(shè)計(jì)。
      【IPC分類】G09G3-20
      【公開號(hào)】CN204406960
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520103312
      【發(fā)明人】張?jiān)? 韓承佑, 鄭皓亮
      【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
      【公開日】2015年6月17日
      【申請(qǐng)日】2015年2月12日
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