本發(fā)明關(guān)于一種顯示面板，特別關(guān)于一種具有較高可靠度的顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著科技的進(jìn)步，平面顯示裝置已經(jīng)廣泛地被運(yùn)用在各種領(lǐng)域，因具有體型輕薄、低功率消耗及無(wú)輻射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示裝置，而應(yīng)用至許多種類(lèi)的電子產(chǎn)品中，例如移動(dòng)電話、便攜式多媒體裝置、筆記本電腦、液晶電視及液晶屏幕等等。

以液晶顯示裝置為例，已知一種液晶顯示裝置包含一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板及一液晶層，薄膜晶體管基板及彩色濾光基板相對(duì)而設(shè)，而液晶層則夾置于兩基板之間，藉此形成多個(gè)像素。當(dāng)掃描線將掃描信號(hào)輸入對(duì)應(yīng)像素的薄膜晶體管的柵極時(shí)，可通過(guò)控制薄膜晶體管而將數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由薄膜晶體管而輸入像素電極，藉此可控制液晶的轉(zhuǎn)向而顯示圖像。

在平面顯示面板的產(chǎn)品中，尤其是中小型尺寸的顯示面板(例如手機(jī)、平板電腦)常會(huì)遇到嚴(yán)苛的使用環(huán)境，因此，抗腐蝕是一個(gè)必須非常重視的問(wèn)題。然而，目前中小型尺寸顯示面板的產(chǎn)品通常在非顯示區(qū)(即周邊區(qū))，例如周邊區(qū)的走線處或端子部(或稱(chēng)接合墊，bonding pad)處因保護(hù)不佳，使得水氣或離子容易進(jìn)入而導(dǎo)致其導(dǎo)電層產(chǎn)生腐蝕，使得顯示面板的可靠度降低。

因此，如何提供一種顯示面板，可具有較高的抗腐蝕能力，進(jìn)而提高其可靠度，已成為重要課題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種可具有較高抗腐蝕能力，進(jìn)而提高可靠度的顯示面板。

為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板，包括一第一基板、一第二基板、一 顯示介質(zhì)層、一第一導(dǎo)電層、一介電層、一第一保護(hù)層以及一鈍化層。第一基板具有一顯示區(qū)與位于顯示區(qū)外圍的一周邊區(qū)。顯示介質(zhì)層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。第一導(dǎo)電層設(shè)置于第一基板的周邊區(qū)。介電層設(shè)置于第一基板與第一導(dǎo)電層之間。第一保護(hù)層覆蓋第一導(dǎo)電層。鈍化層設(shè)置于第一保護(hù)層上。

在一實(shí)施例中，第一保護(hù)層的厚度介于300埃至1000埃之間。

在一實(shí)施例中，第一保護(hù)層的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物或鋅氧化物。

在一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層具有一表面及至少一側(cè)邊，第一保護(hù)層覆蓋表面及側(cè)邊。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一第二保護(hù)層，其設(shè)置于鈍化層上，且第一保護(hù)層介于第一導(dǎo)電層與第二保護(hù)層之間。

在一實(shí)施例中，第二保護(hù)層的厚度介于300埃至1000埃之間。

在一實(shí)施例中，第二保護(hù)層的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物或鋅氧化物。

在一實(shí)施例中，鈍化層具有一第一連接孔，第二保護(hù)層更設(shè)置于第一連接孔，并與第一保護(hù)層直接接觸。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一第二導(dǎo)電層，其設(shè)置于第一基板與介電層之間。

在一實(shí)施例中，介電層具有至少一第二連接孔，第一導(dǎo)電層與第一保護(hù)層設(shè)置于第二連接孔，且第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層直接接觸。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一第三導(dǎo)電層，其設(shè)置于第一基板的顯示區(qū)，第三導(dǎo)電層具有一表面及與表面連接的二相對(duì)側(cè)邊，第一保護(hù)層更覆蓋表面及該些側(cè)邊。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一電子元件，其設(shè)置于第一基板的周邊區(qū)。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一次像素，其配置于第一基板的顯示區(qū)，次像素具有一像素電極與一共同電極，第一保護(hù)層與像素電極或共同電極的材料相同，并通過(guò)同一工藝形成。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一次像素，其配置于第一基板的顯示區(qū)，次像素具有一像素電極與一共同電極，第二保護(hù)層與像素電極或共同電極的材料相同，并通過(guò)同一工藝形成。

在一實(shí)施例中，顯示面板更包括一次像素，其配置于第一基板的顯示區(qū)，次像素具有一第一電極、一第二電極及一絕緣層，第二電極設(shè)置于鈍化層上，絕緣層覆蓋第二電極，且第一電極設(shè)置于絕緣層上。

在一實(shí)施例中，次像素更具有一薄膜晶體管，鈍化層覆蓋薄膜晶體管，薄膜晶體管具有一通道層，通道層的材料包含氧化物半導(dǎo)體。

在一實(shí)施例中，薄膜晶體管更具有一柵極、一源極及一漏極，柵極與通道層相對(duì)設(shè)置，源極與漏極分別與通道層接觸。

在一實(shí)施例中，次像素更具有一刻蝕終止層，源極與漏極的一端分別自刻蝕終止層的一開(kāi)口與通道層接觸。

在一實(shí)施例中，鈍化層與絕緣層形成一通孔，第一電極更設(shè)置于通孔，并與漏極直接接觸。

承上所述，因本發(fā)明的顯示面板中，第一導(dǎo)電層設(shè)置于第一基板的周邊區(qū)，介電層設(shè)置于第一基板與第一導(dǎo)電層之間，而第一保護(hù)層覆蓋第一導(dǎo)電層，且鈍化層設(shè)置于第一保護(hù)層上。因此，本發(fā)明通過(guò)將第一保護(hù)層覆蓋在設(shè)置于周邊區(qū)的第一導(dǎo)電層上，可避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)對(duì)第一導(dǎo)電層造成損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層的保護(hù)，亦可使第一導(dǎo)電層免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第一導(dǎo)電層因故斷線時(shí)，也可通過(guò)第一保護(hù)層來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板失效的風(fēng)險(xiǎn)。

在一實(shí)施例中，更通過(guò)第一保護(hù)層與第二保護(hù)層的保護(hù)，可避免水氣或離子進(jìn)入周邊區(qū)的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)的轉(zhuǎn)層連接處而造成第一導(dǎo)電層的腐蝕。在另一實(shí)施例中，通過(guò)于周邊區(qū)的端子部的第一導(dǎo)電層的上表面及其側(cè)邊覆蓋第一保護(hù)層，可避免因鈍化層的覆蓋不佳而使水氣或離子進(jìn)入，造成第一導(dǎo)電層的腐蝕；另外，亦通過(guò)第一保護(hù)層與第二保護(hù)層的保護(hù)，更可避免端子部因水氣或離子入侵而造成第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層的腐蝕。在又一實(shí)施例中，通過(guò)于第三導(dǎo)電層(數(shù)據(jù)線)的上表面及兩側(cè)邊覆蓋第一保護(hù)層，可保護(hù)顯示區(qū)的第三導(dǎo)電層，避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)造成損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層亦也可保護(hù)第三導(dǎo)電層免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第三導(dǎo)電層因故斷線時(shí)，也可通過(guò)第一保護(hù)層來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板失效的風(fēng)險(xiǎn)。因此，本發(fā)明的顯示面板可具有較高抗腐蝕能力，進(jìn)而提高其可靠度。

附圖說(shuō)明

圖1A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示面板的示意圖。

圖1B為圖1A的顯示面板的俯視示意圖。

圖1C為顯示面板的顯示區(qū)的一次像素的剖視示意圖。

圖2為圖1B的顯示面板的局部放大示意圖。

圖3A為圖2的走線區(qū)的一實(shí)施例的剖視示意圖。

圖3B為圖2的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)的一實(shí)施例的剖視示意圖。

圖3C為圖2的端子區(qū)的一實(shí)施例的俯視示意圖。

圖3D為圖3C顯示的端子部中，沿直線R-R’的剖視示意圖。

圖3E為圖2的顯示區(qū)的一實(shí)施例的剖視示意圖。

圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將參照相關(guān)圖式，說(shuō)明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的顯示面板，其中相同的元件將以相同的參照符號(hào)加以說(shuō)明。

請(qǐng)參照?qǐng)D1A、圖1B及圖1C所示，其中，圖1A為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示面板1的示意圖，圖1B為圖1A的顯示面板1的俯視示意圖，而圖1C為顯示面板1的顯示區(qū)AA的一次像素P的剖視示意圖。

顯示面板1可為液晶顯示面板或?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示面板。本實(shí)施例是以液晶顯示面板為例，并可為邊緣電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)型液晶顯示面板，或者水平切換型(In Plane Switching，IPS)或者扭轉(zhuǎn)向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示面板，或者垂直配向型(Vertical Alignment，VA)型液晶顯示面板。本實(shí)施例是以邊緣電場(chǎng)切換(FFS)型液晶顯示面板為例。

顯示面板1包括一第一基板11、一第二基板12及一顯示介質(zhì)層13。

第一基板11具有一顯示區(qū)AA(active area)及位于顯示區(qū)AA外圍的一周邊區(qū)PA(peripheral area)。其中，顯示區(qū)AA即為光線可穿過(guò)第一基板11的區(qū)域(用以顯示圖像的區(qū)域)，而周邊區(qū)PA則為部署周邊驅(qū)動(dòng)(開(kāi)關(guān))元件、走線(trace)及連接端子的區(qū)域。其中，驅(qū)動(dòng)(開(kāi)關(guān))元件例如為柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate on Pane,GOP)或其他元件。本實(shí)施例的周邊區(qū)PA是以環(huán)設(shè)于顯示區(qū)AA的外圍為例。

第一基板11與第二基板12相對(duì)而設(shè)，而顯示介質(zhì)層13則夾設(shè)于第一基板11與第二基板12之間，并由一封阻層(圖未顯示)圈圍以避免溢漏，同時(shí)可隔絕外界水氣或異物污染，封阻層的材質(zhì)可以是框膠(sealant)、玻璃膠(frit)或其他有機(jī)或無(wú)機(jī)高分子材料。第一基板11及第二基板12為透光材質(zhì)所制成，并例如為一玻璃基板、一石英基板或一塑膠基板，并不限定。本實(shí)施例的第一基板11可為一薄膜晶體管基板，而第二基板12可為一彩色濾光基板。另外，本實(shí)施例的顯示介質(zhì)層13為一液晶層，并具有多個(gè)液晶分子(圖未顯示)，使得顯示面板1為液晶顯示面板。在另一實(shí)施例中，若顯示面板1為有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板時(shí)，則顯示介質(zhì)層13可為一有機(jī)發(fā)光二極管層。在一實(shí)施例中，若有機(jī)發(fā)光二極管層發(fā)出白光時(shí)，則第二基板12可為一彩色濾光基板；在另一實(shí)施例中，若有機(jī)發(fā)光二極管層發(fā)出例如紅、綠、藍(lán)色光時(shí)，則第二基板12可為一保護(hù)基板(Cover plate)，以保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管層不受外界水氣或異物的污染。

顯示面板1更包括多個(gè)次像素P，該些次像素P位于顯示區(qū)AA內(nèi)，并配置于第一基板11與第二基板12之間。如圖1C所示，圖1C是繪示顯示面板1的顯示區(qū)AA內(nèi)的一個(gè)次像素P的剖視圖。其中，次像素P具有一薄膜晶體管T、一絕緣層191、一鈍化層16、一第一電極17、一第二電極18及一絕緣層192。

薄膜晶體管T設(shè)置于第一基板11上，并位于第一基板11與鈍化層16之間。于此，鈍化層16覆蓋于薄膜晶體管T之上。薄膜晶體管T包含一柵極G、一介電層GI、一通道層A、一源極S及一漏極D。柵極G設(shè)置于第一基板11上，且柵極G的材料可為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬或鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。部分用以傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可以使用與柵極G同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)，彼此電性相連，例如掃描線(圖未顯示)。介電層GI設(shè)置并覆蓋于柵極G上。于此，介電層GI為柵極介電層，并為一絕緣層，并可為有機(jī)材料例如為有機(jī)硅氧化合物，或無(wú)機(jī)材料例如為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿或上述材料的多層結(jié)構(gòu)。其中，介電層GI需完整覆蓋柵極G，并可選擇部分或全部覆蓋第一基板11。

通道層A相對(duì)柵極G位置設(shè)置于介電層GI上。在實(shí)施上，通道層A例如可包含一金屬氧化物半導(dǎo)體、非晶硅(amorphous silicon，a-Si)或低溫多晶硅(low temperature poly silicon，LTPS)。其中，前述的金屬氧化物半導(dǎo)體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)。

源極S與漏極D分別設(shè)置于通道層A上，并且位于通道層A相對(duì)應(yīng)的兩側(cè)邊，且源極S和漏極D的一端分別與通道層A接觸。于薄膜晶體管T的通道層A未導(dǎo)通時(shí)，源極S和漏極D電性分離。部分用以傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)的導(dǎo)線，可以使用與源極S與漏極D同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)，例如數(shù)據(jù)線(圖未顯示)。源極S與漏極D的材料可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬或鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。

值得一提的是，本實(shí)施例的薄膜晶體管T的源極S與漏極D是直接設(shè)置于通道層A上，但在不同的實(shí)施例中，源極S與漏極D亦可設(shè)置于一刻蝕終止(etch stop)層(圖未顯示)上，且源極S與漏極D的一端可分別自刻蝕終止層的一開(kāi)口與通道層A接觸，本發(fā)明并不限制?？涛g終止層亦可為一絕緣層。此外，本實(shí)施例的薄膜晶體管T為底柵極式(bottom gate)背通道刻蝕(back channel etch，BCE)型結(jié)構(gòu)，柵極G位于通道層A之下且間隔一介電層GI，而通道層A兩側(cè)覆蓋連接的源極S與漏極D。于其他實(shí)施例中，薄膜晶體管T的結(jié)構(gòu)亦可為頂柵極式(top gate)或共平面式(coplanar)，本發(fā)明并不限制。

絕緣層191設(shè)置于第一基板11面對(duì)第二基板12的一側(cè)。于此，絕緣層191設(shè)置于源極S及漏極D上，并覆蓋源極S及覆蓋部分漏極D。其中，絕緣層191位于漏極D上有一通孔。絕緣層191的材料可包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)，并不限定。

鈍化層16設(shè)置于第一基板11面對(duì)第二基板12的一側(cè)，并覆蓋于絕緣層191及薄膜晶體管T上。鈍化層16亦為一絕緣層，并可為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，無(wú)機(jī)材料例如為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、氧化鉿或上述材料的多層結(jié)構(gòu)，而有機(jī)材料例如但不限于為全氟烷基乙烯基醚共聚物(Polyfluoroalkoxy,PFA)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate)或硅氧烷共聚物(Siloxane)。于其他實(shí)施例中，亦可省略鈍化層16，直接將后續(xù)的元件或薄膜層(例如第二電極18等)覆蓋于絕緣層191及薄膜晶體管T之上。

第二電極18設(shè)置于鈍化層16上，而絕緣層192覆蓋第二電極18，且第一電極17設(shè)置于絕緣層192上，第一電極17與第二電極18通過(guò)絕緣層192而電性隔絕。本實(shí)施例的絕緣層191、鈍化層16與絕緣層192于漏極D上共同形成一通孔O1，且第一電極17更設(shè)置于通孔O1內(nèi)而通過(guò)通孔O1與漏極D直接接觸而電連接。第一 電極17與第二電極18的材料例如可為銦錫氧化物(indium-tin oxide,ITO)、銦鋅氧化物(indium-zinc oxide,IZO)、鋁鋅氧化物(aluminum-zinc oxide,AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO2)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)或鋅氧化物(zinc oxide,ZnO)等透明導(dǎo)電材料，并不限定。

在本實(shí)施例中，第一電極17為次像素P的像素電極，并具有多個(gè)電極部171，而第二電極18為共同電極，使得顯示面板1為一上像素電極(top pixel)的態(tài)樣。不過(guò)，在不同的實(shí)施例中，第一電極17也可為次像素P的共同電極，且第二電極18可為像素電極，使得顯示面板為一上共同電極(top common)的態(tài)樣，并不限制。此外，在本實(shí)施例中，一共同電極線C設(shè)置于第一基板11上，且第二電極(共同電極)18通過(guò)介電層GI、絕緣層191與鈍化層16所共同形成的另一通孔O2而與共同電極線C直接接觸而電連接。

因此，當(dāng)顯示面板1的多個(gè)次像素P對(duì)應(yīng)的多個(gè)掃描線依序接收一掃描信號(hào)時(shí)可分別使各掃描線對(duì)應(yīng)的該些次像素P的薄膜晶體管T導(dǎo)通，并將對(duì)應(yīng)每一行次像素的一數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)該等數(shù)據(jù)線傳送至對(duì)應(yīng)的該等次像素P的第一電極17(像素電極)，使第一電極17與第二電極18(共同電極)之間形成一電場(chǎng)而控制液晶層13的液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而使顯示面板1可顯示圖像畫(huà)面。

另外，請(qǐng)參照?qǐng)D2所示，其為圖1B的顯示面板1的局部放大示意圖。圖2是周邊區(qū)PA由鄰近顯示區(qū)AA至遠(yuǎn)離顯示區(qū)AA的放大示意圖。于此，周邊區(qū)PA一般可區(qū)分包含一元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X、一走線區(qū)Y及一端子區(qū)Z。顧名思義，元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X即為設(shè)置驅(qū)動(dòng)元件或抗靜電元件或進(jìn)行轉(zhuǎn)層連接的區(qū)域，走線區(qū)Y則為導(dǎo)線設(shè)置或通過(guò)的區(qū)域(走線區(qū)Y亦可具有轉(zhuǎn)層結(jié)構(gòu))，而端子區(qū)Z即為與外部電路(例如IC)連接的端子部的設(shè)置區(qū)域，藉此，外部電信號(hào)可通過(guò)端子區(qū)Z、走線區(qū)Y及或元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X傳送至顯示區(qū)AA。走線區(qū)Y及元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X介于顯示區(qū)AA及端子區(qū)Z之間。于本實(shí)施例中，走線區(qū)Y介于元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X及端子區(qū)Z之間，于其他實(shí)施例中，元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X可介于走線區(qū)Y及端子區(qū)Z之間。

請(qǐng)分別參照?qǐng)D3A至圖3E所示，其中圖3A為圖2的走線區(qū)Y的一實(shí)施例的剖視示意圖，圖3B為圖2的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X的一實(shí)施例的剖視示意圖，圖3C為圖2的端子區(qū)Z的一實(shí)施例的俯視示意圖，圖3D為圖3C顯示的端子部B中，沿直線R-R’的剖視示意圖，而圖3E為圖2的顯示區(qū)AA的一實(shí)施例的剖視示意圖。于此，圖3A 至圖3E只顯示該區(qū)域中設(shè)置于第一基板11上的部分元件。

如圖3A所示，顯示面板1于周邊區(qū)PA的走線區(qū)Y上可包括第一基板11、一第一導(dǎo)電層141、介電層GI、一第一保護(hù)層151及鈍化層16。其中，介電層GI與鈍化層16是由顯示區(qū)AA延伸至周邊區(qū)PA。

第一導(dǎo)電層141設(shè)置于第一基板11的周邊區(qū)PA。于此，第一導(dǎo)電層141即為走線，并通過(guò)介電層GI而設(shè)置于第一基板11上(介電層GI位于第一導(dǎo)電層141與第一基板11之間)。第一保護(hù)層151覆蓋于第一導(dǎo)電層141上，且鈍化層16設(shè)置于第一保護(hù)層151上，鈍化層16上亦可設(shè)置絕緣層192(圖未顯示)。其中，介電層GI與鈍化層16的材料已于上述中說(shuō)明，不再贅述。于其他實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可僅部分覆蓋第一導(dǎo)電層141，而上述的絕緣層191可設(shè)置于第一保護(hù)層151未覆蓋該第一導(dǎo)電層141的區(qū)域，且絕緣層191介于第一導(dǎo)電層141與鈍化層16之間。

第一導(dǎo)電層141的材料可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬或鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的第一導(dǎo)電層141可以使用上述設(shè)置于顯示區(qū)AA的次像素P的薄膜晶體管T的源極S或漏極D同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)。第一保護(hù)層151的材料可為透明導(dǎo)電氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)，例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO₂)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)或鋅氧化物(ZnO)等透明導(dǎo)電材料，并不限定。不過(guò)，由于銦鋅氧化物(IZO)為非結(jié)晶態(tài)(amorphous-type)，且鍍膜時(shí)的雜質(zhì)(particle)較少，因此第一保護(hù)層151的較佳材料為IZO。另外，第一保護(hù)層151可以利用上述形成次像素P的像素電極或共同電極的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，因此，形成第一保護(hù)層151的工藝中不需增加光掩膜的成本。在一實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可利用次像素P的共同電極(第二電極18)的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，且其厚度可介于300埃至1000埃之間。

承上，本實(shí)施例通過(guò)于周邊區(qū)PA的走線區(qū)Y的第一導(dǎo)電層141(走線)上覆蓋一層第一保護(hù)層151來(lái)保護(hù)第一導(dǎo)電層141，避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)造成第一導(dǎo)電層141的損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層151也可保護(hù)第一導(dǎo)電層141免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第一導(dǎo)電層141因故斷線時(shí)，由于第一保護(hù)層151可導(dǎo)電，故可通過(guò)第一保護(hù)層151來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板1失效(fail)的風(fēng) 險(xiǎn)。

另外，如圖3B所示，于此，是繪示元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X的轉(zhuǎn)層連接處的一實(shí)施態(tài)樣。

與圖3A的實(shí)施例相同，本實(shí)施例的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X除了包括依序設(shè)置于第一基板11的介電層GI、第一導(dǎo)電層141、第一保護(hù)層151與鈍化層16外，更包括一第二保護(hù)層152，第二保護(hù)層152設(shè)置并覆蓋于鈍化層16上，使得第一保護(hù)層151介于第一導(dǎo)電層141與第二保護(hù)層152之間，而鈍化層16上亦可設(shè)置上述的絕緣層192(圖未顯示)。其中，鈍化層16具有一第一連接孔H1，且第二保護(hù)層152更設(shè)置于第一連接孔H1內(nèi)，并與第一保護(hù)層151直接接觸而電連接。于此，第二保護(hù)層152可與第一保護(hù)層151的材料相同，并可利用顯示區(qū)AA內(nèi)形成次像素P的像素電極或共同電極的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，因此，形成第二保護(hù)層152時(shí)亦不需增加光掩膜的成本。在一實(shí)施例中，可利用次像素P的像素電極(第一電極17)的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，且第二保護(hù)層152的厚度可介于300埃至1000埃之間。本實(shí)施例是通過(guò)第一連接孔H1進(jìn)行轉(zhuǎn)層連接。于其他實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可大于第一連接孔H1底部的寬度而僅部分覆蓋第一導(dǎo)電層141，而上述的絕緣層191可設(shè)置于第一保護(hù)層151未覆蓋該第一導(dǎo)電層141的區(qū)域，且絕緣層191介于第一導(dǎo)電層141與鈍化層16之間。

另外，在另一實(shí)施例中，一電子元件(圖未顯示)可設(shè)置于第一基板11的周邊區(qū)PA的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X內(nèi)。于此，電子元件可設(shè)置于第一基板11與鈍化層16之間。其中，電子元件可為一驅(qū)動(dòng)元件，并可電連接顯示區(qū)A的薄膜晶體管T，以驅(qū)動(dòng)顯示面板1。電子元件例如可為薄膜晶體管，其結(jié)構(gòu)與上述的薄膜晶體管T相同，不再多作說(shuō)明。不過(guò)，在其他的實(shí)施態(tài)樣中，電子元件也可以其他類(lèi)型的元件，例如二極管(diode)或電容。

承上，本實(shí)施例是通過(guò)于周邊區(qū)PA的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X的第一導(dǎo)電層141上覆蓋一層第一保護(hù)層151來(lái)保護(hù)元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X的第一導(dǎo)電層141，避免后續(xù)的工藝造成第一導(dǎo)電層141的損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層151與第二保護(hù)層152的雙重保護(hù)，亦可避免水氣或離子進(jìn)入元件/轉(zhuǎn)層區(qū)X而造成第一導(dǎo)電層141的腐蝕。

另外，如圖3C及圖3D所示，與圖3B的實(shí)施例相同，本實(shí)施例的周邊區(qū)PA的端子區(qū)Z的端子部B中，除了包括依序設(shè)置于第一基板11之上的介電層GI、第一導(dǎo)電層141、第一保護(hù)層151、鈍化層16及第二保護(hù)層152之外，更包括一第二導(dǎo)電層 142。其中，第二導(dǎo)電層142設(shè)置于第一基板11上，且介電層GI設(shè)置于第二導(dǎo)電層142與第一導(dǎo)電層141之間。第二導(dǎo)電層142的材料可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬或鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的第二導(dǎo)電層142可以使用上述設(shè)置于顯示區(qū)AA的次像素P的薄膜晶體管T的柵極G同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施例的鈍化層16同樣具有第一連接孔H1，且第二保護(hù)層152更設(shè)置于第一連接孔H1內(nèi)，并與第一保護(hù)層151直接接觸而電連接。另外，本實(shí)施例的介電層GI具有至少一第二連接孔H2(于此是以?xún)蓚€(gè)第二連接孔H2為例)，第一導(dǎo)電層141與第一保護(hù)層151依序設(shè)置于第二連接孔H2內(nèi)，且鈍化層16亦填入第二連接孔H2內(nèi)而覆蓋第一保護(hù)層151，使得第一導(dǎo)電層141與第二導(dǎo)電層142直接接觸而電連接(轉(zhuǎn)層連接)。此外，第一導(dǎo)電層141更具有至少一側(cè)邊S1，而且第一保護(hù)層151更覆蓋第一保護(hù)層151的上表面及側(cè)邊S1。本實(shí)施例的第一導(dǎo)電層141可以使用上述設(shè)置于顯示區(qū)AA的次像素P的薄膜晶體管T的源極S或漏極D同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)。第一保護(hù)層151的材料可為透明導(dǎo)電氧化物(TCO)，例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(SnO₂)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)或鋅氧化物(ZnO)等透明導(dǎo)電材料，并不限定。不過(guò)，由于銦鋅氧化物(IZO)為非結(jié)晶態(tài)，且鍍膜時(shí)的雜質(zhì)較少，因此第一保護(hù)層151的較佳材料為IZO。另外，第一保護(hù)層151可以利用上述形成次像素P的像素電極或共同電極的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，因此，形成第一保護(hù)層151的工藝中不需增加光掩膜的成本。在一實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可利用次像素P的共同電極(第二電極18)的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，且其厚度可介于300埃至1000埃之間。第二保護(hù)層152可與第一保護(hù)層151的材料相同，并可利用顯示區(qū)AA內(nèi)形成次像素P的像素電極或共同電極的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作，因此，形成第二保護(hù)層152時(shí)亦不需增加光掩膜的成本，且其厚度可介于300埃至1000埃之間。在一實(shí)施例中，可利用次像素P的像素電極(第一電極17)的同一種材料、光掩膜與黃光工藝來(lái)制作。此外，于其他實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可大于第一連接孔H1底部的寬度而僅部分覆蓋第一導(dǎo)電層141，而絕緣層191可設(shè)置于第一保護(hù)層151未覆蓋該第一導(dǎo)電層141的區(qū)域，且絕緣層191介于第一導(dǎo)電層141與鈍化層16之間。

因此，本實(shí)施例是通過(guò)第一連接孔H1與兩個(gè)第二連接孔H2進(jìn)行轉(zhuǎn)層連接，并 通過(guò)端子部B與外部的電路(例如集成電路)電連接。于此，可通過(guò)例如導(dǎo)電膏與驅(qū)動(dòng)IC電連接，使驅(qū)動(dòng)IC可通過(guò)端子部B經(jīng)轉(zhuǎn)層后將電信號(hào)傳送至顯示區(qū)AA。

承上，本實(shí)施例是通過(guò)于周邊區(qū)PA的第一導(dǎo)電層141的上表面及其側(cè)邊S1覆蓋一層第一保護(hù)層151來(lái)保護(hù)端子部B的第一導(dǎo)電層141，避免鈍化層16因覆蓋不佳，造成水氣或離子進(jìn)入而使第一導(dǎo)電層141產(chǎn)生腐蝕現(xiàn)象；另外，第一保護(hù)層151亦可保護(hù)第一導(dǎo)電層141，避免后續(xù)工藝造成第一導(dǎo)電層141的損傷；此外，通過(guò)第一保護(hù)層151與第二保護(hù)層152的保護(hù)，更可避免端子部B因水氣或離子入侵而造成第一導(dǎo)電層141或第二導(dǎo)電層142的腐蝕。

另外，如圖3E所示，本實(shí)施例在顯示區(qū)AA內(nèi)，顯示面板1包括由下而上依序設(shè)置于第一基板11的介電層GI、一第三導(dǎo)電層143、第一保護(hù)層151與鈍化層16，鈍化層16上亦可設(shè)置上述的絕緣層192(圖未顯示)。于此，第三導(dǎo)電層143的材料可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬或鈦)或其合金所構(gòu)成的單層或多層結(jié)構(gòu)。第三導(dǎo)電層143可以使用次像素P的薄膜晶體管T的源極S或漏極D同層且同一工藝的結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例的第三導(dǎo)電層143例如但不限于為次像素P的數(shù)據(jù)線，并具有一表面S2(上表面)及與表面S2連接的兩個(gè)相對(duì)側(cè)邊S3、S4，而且第一保護(hù)層151覆蓋于第三導(dǎo)電層143的表面S2及該些側(cè)邊S3、S4上，以通過(guò)第一保護(hù)層151保護(hù)第三導(dǎo)電層143(數(shù)據(jù)線)。于其他實(shí)施例中，第一保護(hù)層151可僅部分覆蓋第一導(dǎo)電層141，而絕緣層191可設(shè)置于第一保護(hù)層151未覆蓋該第一導(dǎo)電層141的區(qū)域，且絕緣層191介于第一導(dǎo)電層141與鈍化層16之間。

承上，本實(shí)施例是通過(guò)于顯示區(qū)AA的第三導(dǎo)電層143(數(shù)據(jù)線)的上表面S2及兩側(cè)邊S3、S4覆蓋一層第一保護(hù)層151，來(lái)保護(hù)第三導(dǎo)電層143(數(shù)據(jù)線)，避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)造成第三導(dǎo)電層143的損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層151也可保護(hù)第三導(dǎo)電層143免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第三導(dǎo)電層143因故斷線時(shí)，也可通過(guò)第一保護(hù)層151來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板1失效的風(fēng)險(xiǎn)。

另外，請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，其為本發(fā)明較佳實(shí)施例的一種顯示裝置2的示意圖。

顯示裝置2包括一顯示面板3以及一背光模組4(Backlight Module)，顯示面板3與背光模組4相對(duì)設(shè)置。其中，顯示裝置2為一液晶顯示裝置，且顯示面板3可為上述的顯示面板1或其變化態(tài)樣，具體技術(shù)內(nèi)容可參照上述，不再多作說(shuō)明。當(dāng)背光模組4發(fā)出的光線L穿過(guò)顯示面板3時(shí)，可通過(guò)顯示面板3的各次像素顯示色彩而形 成圖像。

綜上所述，因本發(fā)明的顯示面板中，第一導(dǎo)電層設(shè)置于第一基板的周邊區(qū)，介電層設(shè)置于第一基板與第一導(dǎo)電層之間，而第一保護(hù)層覆蓋第一導(dǎo)電層，且鈍化層設(shè)置于第一保護(hù)層上。因此，本發(fā)明通過(guò)將第一保護(hù)層覆蓋在設(shè)置于周邊區(qū)的第一導(dǎo)電層上，可避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)對(duì)第一導(dǎo)電層造成損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層的保護(hù)，亦可使第一導(dǎo)電層免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第一導(dǎo)電層因故斷線時(shí)，也可通過(guò)第一保護(hù)層來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板失效的風(fēng)險(xiǎn)。

在一實(shí)施例中，更通過(guò)第一保護(hù)層與第二保護(hù)層的保護(hù)，可避免水氣或離子進(jìn)入周邊區(qū)的元件/轉(zhuǎn)層區(qū)的轉(zhuǎn)層連接處而造成第一導(dǎo)電層的腐蝕。在另一實(shí)施例中，通過(guò)于周邊區(qū)的端子部的第一導(dǎo)電層的上表面及其側(cè)邊覆蓋第一保護(hù)層，可避免因鈍化層的覆蓋不佳而使水氣或離子進(jìn)入，造成第一導(dǎo)電層的腐蝕；另外，亦通過(guò)第一保護(hù)層與第二保護(hù)層的保護(hù)，更可避免端子部因水氣或離子入侵而造成第一導(dǎo)電層或第二導(dǎo)電層的腐蝕。在又一實(shí)施例中，通過(guò)于第三導(dǎo)電層(數(shù)據(jù)線)的上表面及兩側(cè)邊覆蓋第一保護(hù)層，可保護(hù)顯示區(qū)的第三導(dǎo)電層，避免后續(xù)工藝(例如刻蝕工藝)造成損傷；另外，通過(guò)第一保護(hù)層亦也可保護(hù)第三導(dǎo)電層免于水氣或離子進(jìn)入而造成腐蝕；此外，若第三導(dǎo)電層因故斷線時(shí)，也可通過(guò)第一保護(hù)層來(lái)傳遞電信號(hào)，降低顯示面板失效的風(fēng)險(xiǎn)。因此，本發(fā)明的顯示面板可具有較高抗腐蝕能力，進(jìn)而提高其可靠度。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求中。