1.一種顯示面板，其特征在于，包括：
一第一基板，具有一顯示區(qū)與位于該顯示區(qū)外圍的一周邊區(qū)；
一第二基板；
一顯示介質(zhì)層，設置于該第一基板與該第二基板之間；
一第一導電層，設置于該第一基板的該周邊區(qū)；
一介電層，設置于該第一基板與該第一導電層之間；
一第一保護層，覆蓋該第一導電層；以及
一鈍化層，設置于該第一保護層上。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第一保護層的厚度介于300埃至1000埃之間。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第一保護層的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物或鋅氧化物。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，該第一導電層具有一表面及至少一側(cè)邊，該第一保護層覆蓋該表面及該側(cè)邊。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一第二保護層，設置于該鈍化層上，且該第一保護層介于該第一導電層與該第二保護層之間。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，該第二保護層的厚度介于300埃至1000埃之間。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，該第二保護層的材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物、銦鋅錫氧化物或鋅氧化物。
8.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，該鈍化層具有一第一連接孔，該第二保護層更設置于該第一連接孔，并與該第一保護層直接接觸。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一第二導電層，設置于該第一基板與該介電層之間。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示面板，其特征在于，該介電層具有至少一第二連接孔，該第一導電層與該第一保護層設置于該第二連接孔，且該第一導電層與該第二導 電層直接接觸。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一第三導電層，設置于該第一基板的該顯示區(qū)，該第三導電層具有一表面及與該表面連接的兩個相對側(cè)邊，該第一保護層更覆蓋該表面及所述側(cè)邊。
12.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一電子元件，設置于該第一基板的該周邊區(qū)。
13.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一次像素，配置于該第一基板的該顯示區(qū)，該次像素具有一像素電極與一共同電極，該第一保護層與該像素電極或該共同電極的材料相同，并通過同一工藝形成。
14.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一次像素，配置于該第一基板的該顯示區(qū)，該次像素具有一像素電極與一共同電極，該第二保護層與該像素電極或該共同電極的材料相同，并通過同一工藝形成。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，更包括：
一次像素，配置于該第一基板的該顯示區(qū)，該次像素具有一第一電極、一第二電極及一絕緣層，該第二電極設置于該鈍化層上，該絕緣層覆蓋該第二電極，且該第一電極設置于該絕緣層上。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示面板，其特征在于，該次像素更具有一薄膜晶體管，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管，該薄膜晶體管具有一通道層，該通道層的材料包含氧化物半導體。
17.如權(quán)利要求16所述的顯示面板，其特征在于，該薄膜晶體管更具有一柵極、一源極及一漏極，該柵極與該通道層相對設置，該源極與該漏極分別與該通道層接觸。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其特征在于，該次像素更具有一刻蝕終止層，該源極與該漏極的一端分別自該刻蝕終止層的一開口與該通道層接觸。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示面板，其特征在于，該鈍化層與該絕緣層形成一通孔，該第一電極更設置于該通孔，并與該漏極直接接觸。