本發(fā)明涉及觸摸顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種彩膜基板及其制造方法、顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，金屬網(wǎng)格(Metal Mesh)內(nèi)嵌式觸控技術(shù)中，有兩種制造觸控電極層(Sensor)的方式。如圖1所示，其中第一種方式是在襯底基板111上一側(cè)先制作觸控電極層112，然后在襯底基板111上另一側(cè)制作黑色矩陣113和彩色色阻層114，形成彩膜基板，最后，在彩膜基板和陣列基板之間注入液晶并成盒。

第二種方式是先在襯底基板上一側(cè)制作黑色矩陣和彩色色阻層，形成彩膜基板，然后在彩膜基板和陣列基板之間注入液晶并成盒，最后在襯底基板的另一側(cè)制作觸控電極層。然而，采用第一種方式制作觸控電極層的機(jī)臺(tái)與制作彩膜基板的機(jī)臺(tái)是兩個(gè)機(jī)臺(tái)，且觸控電極層的金屬網(wǎng)格需要與黑色矩陣對(duì)準(zhǔn)，所以需要進(jìn)行兩個(gè)機(jī)臺(tái)的機(jī)械對(duì)位，而現(xiàn)有技術(shù)中，機(jī)械對(duì)位會(huì)導(dǎo)致金屬網(wǎng)格與黑色矩陣之存在偏差，且偏差較大，因此這種方式存在對(duì)準(zhǔn)精度比較低的問題，而且，還容易導(dǎo)致出現(xiàn)摩爾紋，影響顯示裝置的顯示效果。采用第二種方式制作時(shí)，需要使用低溫氧化膜，對(duì)于沒有低溫氧化膜生產(chǎn)工藝的生產(chǎn)線來說，不但需要導(dǎo)入新的材料，還需要改造以及更換設(shè)備，生產(chǎn)成本增加，而且成盒后的顯示裝置的厚度及重量會(huì)成倍增加，對(duì)制作觸控電極層的機(jī)臺(tái)的要求也比較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種彩膜基板及其制造方法、顯示裝置及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中金屬網(wǎng)格與黑色矩陣之間對(duì)位精度比較低的問題。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種彩膜基板的制造方法，包括：

在襯底基板的第一側(cè)制作形成金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記；

在所述襯底基板的第二側(cè)制作形成第二對(duì)位標(biāo)記，所述第一對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影與所述第二對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影完全重疊，所述第一側(cè)和所述第二側(cè)為所述襯底基板相對(duì)的兩側(cè)；

在所述襯底基板的第二側(cè)和所述第二對(duì)位標(biāo)記上沉積用于形成黑色矩陣層的膜層；

利用機(jī)臺(tái)檢測(cè)所述襯底基板的第二側(cè)上膜層的段差，并根據(jù)所述段差進(jìn)行對(duì)位。

進(jìn)一步的，所述金屬層包括觸控電極層。

進(jìn)一步的，所述第二對(duì)位標(biāo)記的厚度大于或者等于1um。

進(jìn)一步的，在襯底基板的第一側(cè)制作形成金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記，包括：

在所述襯底基板的一側(cè)沉積一層金屬層；

對(duì)所述金屬層執(zhí)行一次圖案化處理，在所述襯底基板上形成所述觸控電極層和所述第一對(duì)位標(biāo)記。

進(jìn)一步的，在所述襯底基板的第二側(cè)制作形成第二對(duì)位標(biāo)記，包括：

在所述襯底基板的第二側(cè)沉積一層透明膜層；

利用機(jī)臺(tái)確定所述第一對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影的區(qū)域，以作為目標(biāo)區(qū)域，所述機(jī)臺(tái)根據(jù)所述目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位，并在完成對(duì)位后對(duì)所述透明膜層執(zhí)行一次圖案化處理，在所述襯底基板上所述目標(biāo)區(qū)域的位置形成所述第二對(duì)位標(biāo)記。

進(jìn)一步的，利用機(jī)臺(tái)確定所述第一對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影的區(qū)域，包括：

利用機(jī)臺(tái)在所述襯底基板的第二側(cè)上指定的坐標(biāo)范圍內(nèi)移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中采集圖像，以及，根據(jù)采集到的圖像確定所述第一對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影的區(qū)域。

進(jìn)一步的，利用機(jī)臺(tái)檢測(cè)所述襯底基板的第二側(cè)上膜層的段差，并根據(jù)所述段差進(jìn)行對(duì)位，包括：

利用機(jī)臺(tái)在所述襯底基板的第二側(cè)上指定的坐標(biāo)范圍內(nèi)移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中檢測(cè)并記錄下所述第二側(cè)上膜層的段差，并根據(jù)檢測(cè)并記錄下的段差確定所述第二對(duì)位標(biāo)記與所述用于形成黑色矩陣層的膜層的重疊區(qū)域的中心點(diǎn)；

所述機(jī)臺(tái)根據(jù)所述中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位。

進(jìn)一步的，還包括：

對(duì)用于形成黑色矩陣的膜層執(zhí)行一次圖案化處理，在所述襯底基板的第二側(cè)形成所述黑色矩陣層。

進(jìn)一步的，還包括：在所述襯底基板的所述第二側(cè)形成彩色色阻層。

進(jìn)一步的，所述襯底基板為透明基板。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種彩膜基板，包括：

在襯底基板的第一側(cè)的金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記；

在所述襯底基板的第二側(cè)的第二對(duì)位標(biāo)記，所述第一對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影與所述第二對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影完全重疊，所述第一側(cè)和所述第二側(cè)為所述襯底基板相對(duì)的兩側(cè)；

在所述襯底基板的第二側(cè)和所述第二對(duì)位標(biāo)記上設(shè)置的黑色矩陣層。

再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括：

如上述的彩膜基板；

陣列基板；

位于所述彩膜基板與所述陣列基板之間的液晶。

再一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置的制造方法，包括：

利用上述任一所述的彩膜基板的制造方法制造彩膜基板；

制造陣列基板；

采用液晶注入工藝在所述彩膜基板和所述陣列基板之間注入液晶并成盒。

進(jìn)一步的，還包括：

對(duì)所述第一對(duì)位標(biāo)記和所述第二對(duì)位標(biāo)記的切割工藝。

本發(fā)明實(shí)施例中，先在襯底基板的一側(cè)形成金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記，用于制作黑色矩陣層的機(jī)臺(tái)在襯底基板的另一側(cè)抓取到該第一位對(duì)標(biāo)記，進(jìn)而可以在襯底基板的另一側(cè)相同位置也能形成一個(gè)對(duì)位標(biāo)記，兩個(gè)對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影完全相同，這樣，在形成第二對(duì)位標(biāo)記并沉積用于形成黑色矩陣層的膜層之后，機(jī)臺(tái)能夠通過由于第二對(duì)位標(biāo)記與用于形成黑色矩陣層的膜層的重疊所形成的段差，來抓取到第二對(duì)位標(biāo)記，并完成對(duì)位，這樣，襯底基板兩側(cè)的機(jī)臺(tái)(一個(gè)用于制造金屬層，另一個(gè)用于制作黑色矩陣層)，分別通過各自同側(cè)的對(duì)位標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)機(jī)臺(tái)之間的對(duì)位，從而可以在襯底基板上的一側(cè)制造金屬層，在另一側(cè)制造黑色矩陣層時(shí)，實(shí)現(xiàn)黑色矩陣層與金屬網(wǎng)格之間的對(duì)準(zhǔn)，與現(xiàn)有技術(shù)中的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)方式相比，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案可以在一定程度上提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性，從而在一定程度上降低了摩爾紋的出現(xiàn)，提升了顯示裝置的顯示效果，采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案還具有無需使用新材料，降低生產(chǎn)成本的效果。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制造觸控電極層結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第二結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第三結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的另一流程示意圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第四結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的再一流程示意圖；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的制造方法的流程圖；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的制造方法的另一流程圖。

【具體實(shí)施方式】

為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管在本發(fā)明實(shí)施例中可能采用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來描述對(duì)位標(biāo)記，但這些對(duì)位標(biāo)記不應(yīng)限于這些術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用來將對(duì)位標(biāo)記彼此區(qū)分開。例如，在不脫離本發(fā)明實(shí)施例范圍的情況下，第一對(duì)位標(biāo)記也可 以被稱為第二對(duì)位標(biāo)記，類似地，第二對(duì)位標(biāo)記也可以被稱為第一對(duì)位標(biāo)記。

取決于語(yǔ)境，如在此所使用的詞語(yǔ)“如果”可以被解釋成為“在……時(shí)”或“當(dāng)……時(shí)”或“響應(yīng)于確定”或“響應(yīng)于檢測(cè)”。類似地，取決于語(yǔ)境，短語(yǔ)“如果確定”或“如果檢測(cè)(陳述的條件或事件)”可以被解釋成為“當(dāng)確定時(shí)”或“響應(yīng)于確定”或“當(dāng)檢測(cè)(陳述的條件或事件)時(shí)”或“響應(yīng)于檢測(cè)(陳述的條件或事件)”。

本發(fā)明實(shí)施例給出一種的彩膜基板的制造方法，請(qǐng)參考圖2，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的流程示意圖，如圖所示，該方法包括以下步驟：

101、在襯底基板的第一側(cè)制作形成金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記。

為了提高黑色矩陣層與金屬網(wǎng)格之間的對(duì)準(zhǔn)，在本發(fā)明實(shí)施例中，采用在襯底基板的兩側(cè)分別設(shè)置對(duì)位標(biāo)記的方式來實(shí)現(xiàn)，本步驟中先在襯底基板的第一側(cè)制作形成第一對(duì)位標(biāo)記以及金屬層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，金屬層可以為觸控電極層。

具體地，首先在襯底基板的第一側(cè)沉積一層金屬層，然后對(duì)金屬層執(zhí)行一次圖案化處理，在襯底基板11上形成觸控電極層15和第一對(duì)位標(biāo)記12，在實(shí)際應(yīng)用中，第一對(duì)位標(biāo)記12的位置、大小可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。請(qǐng)參考圖3，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第一結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，在襯底基板11的第一側(cè)形成了第一對(duì)位標(biāo)記12和觸控電極層15。

在一種可行的實(shí)現(xiàn)方案中，上述圖案化處理的過程可以包括：首先，在沉積的金屬層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，其中，掩膜版圖案中需要包括第一對(duì)位標(biāo)記的圖案和觸控電極層的圖案，形成圖案后，對(duì)形成圖案的金屬層進(jìn)行刻蝕，最后剝離光刻膠，形成第一對(duì)位標(biāo)記和觸控電極層。其中，第一對(duì)位標(biāo)記用于機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)位。該機(jī)臺(tái)指的是用于制作其他膜層(本發(fā)明 中以位于襯底基板第二側(cè)的膜層為例)的機(jī)臺(tái)。在本發(fā)明實(shí)施例中，利用一次圖案化處理可以生成觸控電極層和第一對(duì)位標(biāo)記，因此第一對(duì)位標(biāo)記和觸控電極層是同時(shí)形成的，無需單獨(dú)增加一道工序單獨(dú)制作第一對(duì)位標(biāo)記。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了便于機(jī)臺(tái)對(duì)位，襯底基板可以為透明基板，如玻璃基板或者聚酰亞胺基板。

102、在襯底基板的第二側(cè)制作形成第二對(duì)位標(biāo)記，第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影與第二對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影完全重疊，第一側(cè)和第二側(cè)為襯底基板相對(duì)的兩側(cè)。

請(qǐng)參考圖4，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第二結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明實(shí)施例中，在襯底基板11的第一側(cè)上制作形成第一對(duì)位標(biāo)記12后，相應(yīng)的，在襯底基板11的第一側(cè)上制作形成第二對(duì)位標(biāo)記13，需要說明的是，第一對(duì)位標(biāo)記12與第二對(duì)位標(biāo)記13所在的兩側(cè)分別為第一側(cè)和第二側(cè)，第一側(cè)和第二側(cè)為襯底基板11相對(duì)的兩側(cè)，且第一對(duì)位標(biāo)記12在襯底基板11上的垂直投影與第二對(duì)位標(biāo)記13在襯底基板11上的垂直投影完全重疊。可以理解的是，第二對(duì)位標(biāo)記13用于第二機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)位，因此，在第二機(jī)臺(tái)的對(duì)位過程中，可以通過抓取第二對(duì)位標(biāo)記13來完成對(duì)位，對(duì)位精準(zhǔn)度較高。需要說明的是，由于受到工藝水平的限制，第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影與第二對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影完全重疊為最理想狀態(tài)，在實(shí)際應(yīng)用中，可能會(huì)存在一定的誤差，因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，一定范圍內(nèi)的誤差均可以理解為完全重疊。

在一個(gè)具體的實(shí)現(xiàn)過程中，在制作第二對(duì)位標(biāo)記的之前，需要對(duì)第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影位置進(jìn)行定位，因此，為了能夠保證機(jī)臺(tái)在襯底基板的第二側(cè)能夠抓取到第一對(duì)位標(biāo)記的垂直投影位置，用于形成第二對(duì)位標(biāo)記的材料需要是透明材料，即第二對(duì)位標(biāo)記需要采用透明材料制成。由于第二對(duì)位標(biāo)記采用透明材料制成，因此，制造第二對(duì)位標(biāo)記時(shí)可以采用 光學(xué)對(duì)位方式。與現(xiàn)有技術(shù)的機(jī)械對(duì)位相比，光學(xué)對(duì)位方式的精度較高。

在一種可行的實(shí)現(xiàn)過程中，在襯底基板的第二側(cè)沉積一層透明膜層，然后利用機(jī)臺(tái)確定第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影的區(qū)域，以作為目標(biāo)區(qū)域，機(jī)臺(tái)根據(jù)目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位?？梢岳斫獾氖?，目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)可以根據(jù)目標(biāo)區(qū)域的邊緣進(jìn)行計(jì)算。

在一個(gè)具體的實(shí)現(xiàn)過程中，為了不影響其他流程的操作，第一對(duì)位標(biāo)記通常較小，其在襯底基板上形成的垂直投影的面積也較小。因此，為了提高機(jī)臺(tái)能夠快速抓取到第一對(duì)位標(biāo)記的垂直投影位置，可以預(yù)先為機(jī)臺(tái)配置指定的坐標(biāo)范圍，使該機(jī)臺(tái)在襯底基板的第二側(cè)上該指定的坐標(biāo)范圍內(nèi)移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中采集圖像，以及，根據(jù)采集到的圖像確定第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影的區(qū)域。由于第一對(duì)位標(biāo)記是采用不透明的金屬材料制成，因此垂直投影區(qū)域的圖像對(duì)比度與其他區(qū)域是不同的，因此根據(jù)在機(jī)臺(tái)在移動(dòng)過程中采集到的圖像中可以抓取到第一對(duì)位標(biāo)記在襯底基板上的垂直投影的區(qū)域。

在獲取到目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)后，機(jī)臺(tái)根據(jù)目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位，確定第二對(duì)位標(biāo)記的位置，并在完成對(duì)位后，對(duì)透明膜層執(zhí)行一次圖案化處理，在襯底基板上目標(biāo)區(qū)域的位置形成第二對(duì)位標(biāo)記。由于此前已經(jīng)給定了第二對(duì)位標(biāo)記的坐標(biāo)范圍，因此，在給定的坐標(biāo)范圍內(nèi)，再次使用目標(biāo)區(qū)域的中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位，可以提高對(duì)位精度。

在一種可行的實(shí)現(xiàn)方案中，上述圖案化處理的流程可以包括：首先，在透明膜層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對(duì)涂覆的光刻膠進(jìn)行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，其中，掩膜版圖案區(qū)別與現(xiàn)有技術(shù)中的圖案，在掩膜版的圖案中需要包括第二對(duì)位標(biāo)記的圖案，在透明膜層上涂覆圖案確定后，對(duì)透明膜層進(jìn)行刻蝕，最后，剝離光刻膠，形成第二對(duì)位標(biāo)記。

103、在襯底基板的第二側(cè)和第二對(duì)位標(biāo)記上沉積用于形成黑色矩陣層的 膜層。

請(qǐng)參考圖5，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第三結(jié)構(gòu)示意圖，如圖5所示，在襯底基板11的第二側(cè)和第二對(duì)位標(biāo)記13上沉積用于形成黑色矩陣層的膜層140?？梢岳斫獾氖牵谝r底基板11的第二側(cè)沉積用于形成黑色矩陣層的膜層140時(shí)，由于第二對(duì)位標(biāo)記13的存在，所以在沉積用于形成黑色矩陣層的膜層140也會(huì)覆蓋在第二對(duì)位標(biāo)記13的表面。

104、利用機(jī)臺(tái)檢測(cè)襯底基板的第二側(cè)上膜層的段差，并根據(jù)段差進(jìn)行對(duì)位。

由于機(jī)臺(tái)能夠識(shí)別出的達(dá)到一定厚度的段差，因此，在本發(fā)明實(shí)施例中，第二對(duì)位標(biāo)記的厚度需要大于或者等于1um。

在襯底基板的第二側(cè)與第二對(duì)位標(biāo)記上均沉積了用于形成黑色矩陣層的膜層之后，由于第二對(duì)位標(biāo)記具有一定的厚度，因此第二側(cè)上存在膜層與第二對(duì)位標(biāo)記的重疊區(qū)域，以及只有膜層的區(qū)域，而只有膜層的區(qū)域的厚度小于重疊區(qū)域的厚度，因此膜層與第二對(duì)位標(biāo)記的重疊區(qū)域存在段差。因此，機(jī)臺(tái)在檢測(cè)襯底基板上第二對(duì)位標(biāo)記的位置時(shí)，還可以通過第二側(cè)上膜層的段差確定。

在一種可行的實(shí)現(xiàn)方案中，為了提高機(jī)臺(tái)檢測(cè)段差的效率，可以預(yù)先為機(jī)臺(tái)配置指定的坐標(biāo)范圍，該坐標(biāo)范圍內(nèi)包含第二對(duì)位標(biāo)記，利用機(jī)臺(tái)在襯底基板的第二側(cè)上指定的坐標(biāo)范圍內(nèi)移動(dòng)，并在移動(dòng)過程中檢測(cè)并記錄下第二側(cè)上膜層的段差，并根據(jù)檢測(cè)并記錄下的段差確定第二對(duì)位標(biāo)記與用于形成黑色矩陣層的膜層的重疊區(qū)域，進(jìn)而根據(jù)重疊區(qū)域確定第二對(duì)位標(biāo)記與用于形成黑色矩陣層的膜層的重疊區(qū)域的中心點(diǎn)。需要說明的是，機(jī)臺(tái)在確定重疊區(qū)域后，可以根據(jù)重疊區(qū)域的邊緣計(jì)算中心點(diǎn)。

可以理解的是，機(jī)臺(tái)在移動(dòng)過程中，會(huì)連續(xù)檢測(cè)并記錄段差，因此，可以根據(jù)相鄰兩次段差確定哪個(gè)段差對(duì)應(yīng)的位置屬于第二對(duì)位標(biāo)記與用于形成 黑色矩陣層的膜層的重疊區(qū)域。

在確定了中心點(diǎn)后，機(jī)臺(tái)可以進(jìn)一步根據(jù)中心點(diǎn)進(jìn)行對(duì)位。

需要說明的是，為了提高對(duì)位的精度與對(duì)位的速度，可以通過配置指定的坐標(biāo)范圍實(shí)現(xiàn)在機(jī)臺(tái)中設(shè)置對(duì)位區(qū)域，該對(duì)位區(qū)域也用于對(duì)位，但是由于對(duì)位區(qū)域具有一定覆蓋范圍，在機(jī)臺(tái)移動(dòng)過程中會(huì)存在一定的對(duì)位偏差，因此機(jī)臺(tái)可以根據(jù)第二對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行進(jìn)一步對(duì)位，相當(dāng)于在較粗對(duì)位的基礎(chǔ)上又進(jìn)行了調(diào)整，進(jìn)一步提高了對(duì)位準(zhǔn)確度，降低了誤差。

本發(fā)明實(shí)施例中，先在襯底基板的一側(cè)形成金屬層以及第一對(duì)位標(biāo)記，用于制作黑色矩陣層的機(jī)臺(tái)在襯底基板的另一側(cè)抓取到該第一位對(duì)標(biāo)記，進(jìn)而可以在襯底基板的另一側(cè)相同位置也能形成一個(gè)對(duì)位標(biāo)記，兩個(gè)對(duì)位標(biāo)記在所述襯底基板上的垂直投影完全相同，這樣，在形成第二對(duì)位標(biāo)記并沉積用于形成黑色矩陣層的膜層之后，機(jī)臺(tái)能夠通過由于第二對(duì)位標(biāo)記與用于形成黑色矩陣層的膜層的重疊所形成的段差，來抓取到第二對(duì)位標(biāo)記，并完成對(duì)位，這樣，襯底基板兩側(cè)的機(jī)臺(tái)(一個(gè)用于制造金屬層，另一個(gè)用于制作黑色矩陣層)，分別通過各自同側(cè)的對(duì)位標(biāo)記，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)機(jī)臺(tái)之間的對(duì)位，從而可以在襯底基板上的一側(cè)制造金屬層，在另一側(cè)制造黑色矩陣層時(shí)，實(shí)現(xiàn)黑色矩陣層與金屬網(wǎng)格之間的對(duì)準(zhǔn)，且對(duì)準(zhǔn)精度可以達(dá)到±2μm，與現(xiàn)有技術(shù)中的機(jī)械對(duì)準(zhǔn)方式(對(duì)準(zhǔn)精度為±200μm)相比，本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案可以在一定程度上提高對(duì)準(zhǔn)的準(zhǔn)確性，從而在一定程度上降低了摩爾紋的出現(xiàn)，提升了顯示裝置的顯示效果，采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的技術(shù)方案還具有無需使用新材料，降低生產(chǎn)成本的效果。

基于上述實(shí)施例所提供彩膜基板的制造方法，還提供在該制造方法基礎(chǔ)上的其他制作流程。請(qǐng)參考圖6，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的另一流程示意圖，如圖6所示，該方法在步驟101～步驟104之后，還包括以下步驟：

105、對(duì)用于形成黑色矩陣的膜層執(zhí)行一次圖案化處理，在襯底基板的第二側(cè)形成黑色矩陣層。

請(qǐng)參考圖7，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的第四結(jié)構(gòu)示意圖，可以理解的是，在上述實(shí)施例中的步驟104進(jìn)行對(duì)位后，開始對(duì)用于形成黑色矩陣的膜層進(jìn)行圖案化處理，以在襯底基板的第二側(cè)形成黑色矩陣層14。

具體地，圖案化處理可以包括：首先，在黑色矩陣的膜層上涂覆光刻膠，然后，使用掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，接著，通過噴灑顯影液使光刻膠形成圖案，在透明膜層上的圖案確定后，對(duì)黑色矩陣的膜層進(jìn)行刻蝕，最后剝離光刻膠，形成黑色矩陣層。

基于上述實(shí)施例中的彩膜基板的制造方法之后，在本發(fā)明實(shí)施例中，在提高了機(jī)臺(tái)的對(duì)準(zhǔn)精度之后，利用該機(jī)臺(tái)繼續(xù)制作黑色矩陣層，從而提高了在襯底基板的第二側(cè)制造黑色矩陣層后，黑色矩陣層與襯底基板第一側(cè)的金屬網(wǎng)格之間的對(duì)位精度。

基于上述實(shí)施例所提供彩膜基板的制造方法，請(qǐng)參考圖8，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的制造方法的再一流程示意圖，如圖8所示，該方法在步驟105之后，還包括以下步驟：

106、在襯底基板的第二側(cè)形成彩色色阻層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，彩色色阻層包括紅色色阻、藍(lán)色色阻和綠色色阻。

請(qǐng)參考圖9，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的彩膜基板1，包括：襯底基板11、第一對(duì)位標(biāo)記12、第二對(duì)位標(biāo)記13、黑色矩陣層14、金屬層15。

如圖9所示，在襯底基板11的第一側(cè)設(shè)置有金屬層15以及第一對(duì)位標(biāo)記12，在襯底基板11的第二側(cè)設(shè)置有第二對(duì)位標(biāo)記13，其中，第一對(duì)位標(biāo)記12在襯底基板11上的垂直投影與第二對(duì)位標(biāo)記13在襯底基板11上的垂直投影完全重疊，第一側(cè)和第二側(cè)為襯底基板11相對(duì)的兩側(cè)，在襯底基板 11的第二側(cè)和第二對(duì)位標(biāo)記13上還設(shè)置有黑色矩陣層14，此外，在襯底基板的第二側(cè)11上還設(shè)置有色阻層16。

本發(fā)明實(shí)施例所提供的彩膜基板可以利用圖2所示方法制作。

請(qǐng)參考圖10，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置包括：

如圖9所示的彩膜基板1；

陣列基板2；

位于彩膜基板1與陣列基板2之間的液晶3。

本發(fā)明實(shí)施例中，應(yīng)用了前述彩膜基板制造方法制作的顯示裝置，從而在一定程度上降低了摩爾紋的出現(xiàn)，提升了顯示裝置的顯示效果。

請(qǐng)參考圖11，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的制造方法的流程圖，如圖11所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的制造方法，具體可以包括如下步驟：

1001、利用彩膜基板的制造方法制造彩膜基板。

本實(shí)施例中彩膜基板的制造方法包括上述彩膜基板的制作方法。

1002、制造陣列基板。

可以理解的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，陣列基板可以為設(shè)置有多個(gè)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的基板。

1003、采用液晶注入工藝在彩膜基板和陣列基板之間注入液晶并成盒。

請(qǐng)參考圖12，其為本發(fā)明實(shí)施例所提供的顯示裝置的制造方法的另一流程圖，如圖12所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的制造方法，在一種可選的實(shí)現(xiàn)方案中，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在步驟1003之后，還可以包括如下步驟：

1004、對(duì)第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記的切割工藝。

需要說明的是，由于第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記具有一定的體積，因 此，為了防止這兩種對(duì)位標(biāo)記會(huì)對(duì)顯示裝置中其他部件的集成造成一定的影響，例如，當(dāng)顯示裝置的顯示面積較小的時(shí)候，第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記會(huì)占用一定的空間，且第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記用于制作黑色矩陣的機(jī)臺(tái)進(jìn)行對(duì)位，因此在顯示裝置制作完成之后，就可以對(duì)第一對(duì)位標(biāo)記、第二對(duì)位標(biāo)記以及兩個(gè)對(duì)位標(biāo)記所在的部分襯底基板進(jìn)行切割，以去除第一對(duì)位標(biāo)記、第二對(duì)位標(biāo)記和部分襯底基板。

當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，對(duì)于大尺寸的顯示裝置，如果第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記不影響顯示裝置中其他部件的集成，也可以不切割掉第一對(duì)位標(biāo)記和第二對(duì)位標(biāo)記。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。