技術(shù)特征：

1.CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，包括

一個雙向光柵耦合器：由一個用于垂直耦合的均勻光柵和兩個模式轉(zhuǎn)換器組成，其中均勻光柵作為單模光纖的垂直耦合接口，兩個模式轉(zhuǎn)換器分別作為雙向光柵耦合器兩側(cè)多模光波導與單模脊形光波導的連接，可以實現(xiàn)近似無損耗的光傳輸以及模式轉(zhuǎn)換；

一個雙介質(zhì)包層結(jié)構(gòu)：由SiO₂和Si₃N₄兩層組成，位于雙向光柵耦合器的上方，用于抑制雙向光柵耦合器對入射光的向上反射；

一個CMOS IC芯片：作為CMOS后工藝的襯底材料，其中位于CMOS IC芯片表面、雙向光柵耦合器底部的金屬焊盤作為雙向光柵耦合器的襯底反射鏡；

一個二氧化硅隔離層：位于CMOS IC芯片和雙向光柵耦合器之間，作為雙向光柵耦合器的下包層；

一個環(huán)形金屬對準標記：位于雙介質(zhì)包層結(jié)構(gòu)的上方，環(huán)繞在雙向光柵耦合器中均勻光柵的周圍，用于光柵測試時對單模光纖的對準。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，雙介質(zhì)包層結(jié)構(gòu)為Si₃N₄/SiO₂雙層結(jié)構(gòu)，頂部二氧化硅包層用作折射率匹配層，第二層氮化硅層為整個雙向光柵耦合器結(jié)構(gòu)提供良好的抗反射性能。通過雙介質(zhì)包層結(jié)構(gòu)，將向上光反射損耗抑制到最低。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，位于CMOS IC芯片表面且在雙向光柵耦合器底部的金屬焊盤作為雙向光柵耦合器的襯底反射鏡，用來消除向襯底泄露的光損耗。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，其中襯底反射鏡和環(huán)形金屬對準標記的材料為CMOS后工藝兼容材料鋁或銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，其中環(huán)形金屬對準標記內(nèi)徑為單模光纖包層直徑125微米，該環(huán)形金屬對準標記與雙向光柵耦合器的均勻光柵同心。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS后工藝集成高效率雙向光柵耦合器，其中雙向光柵耦合器的光波導材料為CMOS后工藝兼容材料多晶硅。