本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板，以及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示(liquid crystal display，LCD)裝置具有功耗低、攜帶方便而成為目前廣泛使用的顯示裝置，而有機發(fā)光顯示(organic electroluminesence display，OLED)裝置具有廣視角、高對比度、高反應(yīng)速度等優(yōu)點逐漸成為新一代主流的顯示裝置。

不論是液晶顯示裝置還是有機發(fā)光顯示裝置，陣列基板都是不可或缺的組件。目前，陣列基板包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域，陣列排布有多個薄膜晶體管、多條相互交叉絕緣的數(shù)據(jù)線和掃描線等；而在非顯示區(qū)域，包括各類用于與顯示區(qū)域的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、掃描線等電連接的外圍走線，以及移位寄存器電路、防靜電電路等。

近年來，內(nèi)置觸控顯示裝置將觸控功能和顯示功能集成于一體，與傳統(tǒng)的外掛式觸控顯示裝置，內(nèi)置觸控顯示裝置具有更輕、更薄的優(yōu)點。通常地，應(yīng)用于內(nèi)置觸控顯示裝置的陣列基板會設(shè)置有觸控電極以及觸控電極引線，觸控電極引線用于電連接觸控電極與驅(qū)動芯片。此外，由于觸控電極引線在生產(chǎn)過程中容易產(chǎn)生靜電，因此，現(xiàn)有技術(shù)中會將觸控電極引線在非顯示區(qū)域連接至防靜電電路。

對于目前常用的面內(nèi)電場(in-plane switch，IPS)顯示模式和邊緣電場(fringe field switch，F(xiàn)FS)顯示模式而言，觸控電極線與驅(qū)動芯片之間，以及觸控電極線與防靜電電路之間通過跨橋方式進行電連接。具體地，現(xiàn)有技術(shù)中，在形成最后一層氧化物導(dǎo)體層(可以是像素電極或者是公共電極)前，通過掩膜版在非顯示區(qū)域形成通孔，繼而在形成最后一層氧化物導(dǎo)體層時實現(xiàn)觸控電極線與防靜電電路的電連接，以及觸控電極線與驅(qū)動芯片的電連接。

現(xiàn)有技術(shù)中，觸控電極線通常采用金屬材料制成且作為第三金屬層，而觸控電極與防靜電電路的電連接是通過第三金屬層與防靜電電路中薄膜晶體管的源極/漏極(第二金屬層)電連接實現(xiàn)；觸控電極線與驅(qū)動芯片間的電連接是通過第三金屬層與第二金屬層電連接、第二金屬層再與第一金屬層電連接的方式實現(xiàn)(即采用換線的方式)。然而，通過上述方式制備得到的陣列基板容易發(fā)生接觸不良，從而造成陣列基板容易被靜電擊傷、或者觸控靈敏度下降等問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板以及一種顯示裝置，以實現(xiàn)觸控電極線與防靜電電路的良好接觸從而提高陣列基板的防靜電能力，以及實現(xiàn)觸控電極與驅(qū)動芯片的良好接觸從而提高觸控靈敏度。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供如下技術(shù)方案：

首先，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；第一金屬層，位于所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域；第二金屬層，位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；第三金屬層，位于所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；第一絕緣層，設(shè)置于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間；第二絕緣層，設(shè)置于所述第二金屬層和所述第三金屬層之間；第一氧化物導(dǎo)體層，位于所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；第二氧化物導(dǎo)體層，位于所述第一氧化物導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)；第三絕緣層，位于所述第一氧化物導(dǎo)體層和所述第三金屬層之間；其中，在所述顯示區(qū)域，所述第一氧化物導(dǎo)體層和所述第二氧化物導(dǎo)體層之間設(shè)置有第四絕緣層，在所述非顯示區(qū)域，所述第三金屬層與所述第二金屬層至少通過所述第一氧化物導(dǎo)體層電連接。

其次，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述陣列基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例提供的陣列基板以及顯示裝置具有如下技術(shù)效果：1、由于采用第一氧化物半導(dǎo)體層實現(xiàn)第三金屬層和第二金屬層間的電連接，第一氧化物導(dǎo)體層與第二金屬層之間的膜層數(shù)量較少，從而降低跨橋電極(第一氧化導(dǎo)體層)在在通孔中的斷線風(fēng)險；2、第一氧化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)設(shè)置有第三絕緣層和/或第二氧化物導(dǎo)體層，從而避免跨橋電極(第一氧化物導(dǎo)體層)在后續(xù)制成中被腐蝕。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1所示陣列基板顯示區(qū)域中一個子像素的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為圖1所示陣列基板顯示區(qū)域中一個子像素的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域中防靜電電路單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4所示結(jié)構(gòu)沿AA'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為圖3所示結(jié)構(gòu)沿AA'的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域中防靜電電路單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為圖7所示結(jié)構(gòu)沿BB'的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層換線處的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10為圖9所示結(jié)構(gòu)沿CC'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖11為圖9所示結(jié)構(gòu)沿CC'的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖12為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層換線處的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖13為圖12所示結(jié)構(gòu)沿DD'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖14為圖9所示結(jié)構(gòu)沿CC'的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層換線處的又一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖16為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

為了提高第三金屬層和第二金屬層之間的電連接穩(wěn)定性，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，襯底基板包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，位于顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的第一金屬層；位于第一金屬層遠(yuǎn)離遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)的第二金屬層；位于第二金屬層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)的第三金屬層；設(shè)置于第一金屬層和第二金屬層之間的第一絕緣層，設(shè)置于第二金屬層和第三金屬層之間的第二絕緣層；位于第三金屬層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)的第一氧化物導(dǎo)體層；位于第一氧化物導(dǎo)體層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)的第二氧化物導(dǎo)體層；位于第一氧化物導(dǎo)體層和第三金屬層之間的第三絕緣層；其中，在顯示區(qū)域，第一氧化物導(dǎo)體層和第二氧化物導(dǎo)體層之間設(shè)置有第四絕緣層，在非顯示區(qū)域，第三金屬層與第二金屬層至少通過第一氧化物導(dǎo)體層連接。

請參考圖1至圖5，圖1為本發(fā)明實施例提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1所示陣列基板顯示區(qū)域中一個子像素的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖1所示陣列基板顯示區(qū)域中一個子像素的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域中防靜電電路單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4所示結(jié)構(gòu)沿AA'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

結(jié)合圖1和圖2，陣列基板包括襯底基板220，襯底基板220包括顯示區(qū)域10和非顯示區(qū)域20。顯示區(qū)域10包括多個顯示薄膜晶體管DT、多條數(shù)據(jù)線106、多條柵極線104以及多條觸控電極線206；顯示薄膜晶體管DT包括柵極104a、源極106a/漏極108和有源層102，顯示薄膜晶體管DT的柵極104a和多條柵極線104包括于第一金屬層M1，顯示薄膜晶體管DT的源極106a/漏極108和多條數(shù)據(jù)線106包括于第二金屬層M2，多條觸控電極線206包括于第三金屬層M3。在觸控電極線206遠(yuǎn)離襯底基板220的一側(cè)設(shè)置有像素電極208，在像素電極208遠(yuǎn)離襯底基板220的一側(cè)設(shè)置有公共電極210，像素電極208通過過孔與源極106a電連接。通常地，像素電極208和公共電極210為氧化物材料的導(dǎo)體，更為具體地，像素電極208和公共電極210通常為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)。

其中，公共電極210通過過孔與觸控電極線206電連接；在第一金屬層M1(例如：柵極104a和柵極線104)和第二金屬層M2(例如：源極106a/漏極108和數(shù)據(jù)線106)之間設(shè)置有第一絕緣層224，在第二金屬層M2(例如：源極106a/漏極108和數(shù)據(jù)線106)和第三金屬層M3(例如：觸控電極線206)之間設(shè)置有第二絕緣層226；在第一氧化物導(dǎo)體層OC1(例如：像素電極208)和第三金屬層M3(例如：觸控電極線206)之間的第三絕緣層228。此外，在顯示區(qū)域10，第一氧化物導(dǎo)體層OC1(例如：像素電極208)和第二氧化物導(dǎo)體層OC2(例如：公共電極210)之間設(shè)置有第四絕緣層229。

需要說明的是，雖然在圖2所述結(jié)構(gòu)示意圖中第一氧化物導(dǎo)體層OC1為像素電極208，第二氧化物導(dǎo)體層OC2為公共電極210，但是本發(fā)明實施例并非局限于此，例如，如圖3所示，第一氧化物導(dǎo)體層可以為公共電極210，第二氧化物導(dǎo)體層OC2可以為像素電極208。本發(fā)明實施例中，第一氧化導(dǎo)體層和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間能夠形成橫向電場，當(dāng)本發(fā)明實施例提供的陣列基板應(yīng)用于液晶顯示面板或者液晶顯示裝置時，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2形成的橫向電場能夠控制液晶發(fā)生旋轉(zhuǎn)以實現(xiàn)顯示。

需要說明的是，在圖2和圖3所示結(jié)構(gòu)中，像素電極208和公共電極210的其中一者在一個像素對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)設(shè)置有多個條形開口，另一者在一個子像素對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)為整面結(jié)構(gòu)，這樣的設(shè)置方式為邊緣場開關(guān)技術(shù)(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)。然而，本發(fā)明實施例對像素電極208和公共電極210之間的電場模式并不做限制，例如，在其他的實施例中，像素電極208和公共電極210還可以按照平面開關(guān)技術(shù)(In Plane Switch，IPS)進行設(shè)置。例如，像素電極208和公共電極210在一個子像素對應(yīng)的區(qū)域內(nèi)均設(shè)置有條形開口，此時，像素電極208作為第一氧化物導(dǎo)體層OC1、公共電極210作為第二氧化物導(dǎo)體層OC2，或者，公共電極210作為第一氧化物導(dǎo)體層OC1、像素電極208作為第二氧化物導(dǎo)體層OC2。當(dāng)像素電極208和公共電極210位于同一層且相互絕緣時，像素電極208和公共電極210可以作為第一氧化物導(dǎo)體層OC1或者第二氧化物導(dǎo)體層OC2，其他電極可以作為第二氧化物導(dǎo)體層OC2或者第一氧化物導(dǎo)體層OC1，例如，其他電極可以為觸控電極。

需要說明的是，在圖2和圖3所示結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為低溫多晶硅型薄膜晶體管，即，顯示薄膜晶體管DT的有源層102為低溫多晶硅材料。如圖2和圖3所示，當(dāng)有源層102為低溫多晶硅材料時，顯示薄膜晶體管DT通常采用頂柵結(jié)構(gòu)，即柵極104a位于有源層102遠(yuǎn)離襯底基板220的一側(cè)，在有源層102和柵極104a之間設(shè)置有柵極絕緣層222。然而，本發(fā)明實施例并非局限于此，在本發(fā)明的其他實施例中，顯示薄膜晶體管DT的有源層還可以是非晶硅材料或者氧化物半導(dǎo)體材料，當(dāng)有源層為氧化物半導(dǎo)體時，可選有源層為銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)。此外，顯示薄膜晶體管DT的結(jié)構(gòu)還可以是底柵結(jié)構(gòu)，例如，當(dāng)顯示薄膜晶體管DT的有源層為非晶硅時采用底柵結(jié)構(gòu)。

進一步地，下面將詳細(xì)闡述本發(fā)明實施例提供的陣列基板在非顯示區(qū)域的部分結(jié)構(gòu)。結(jié)合圖1、圖4和圖5，陣列基板的非顯示區(qū)域20包括防靜電電路202，其中，防靜電電路202包括多個防靜電單元ESD?？蛇x地，防靜電電路202的防靜電單元ESD如圖3所示，即包括兩個防靜電薄膜晶體管ET1和ET2，防靜電薄膜晶體管ET1的源極2022a和防靜電薄膜晶體管ET2的源極2022b電連接，防靜電薄膜晶體管ET1的漏極2024a和防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b電連接。具體地，防靜電薄膜晶體管ET1的柵極2026a與自身的漏極2024a電連接，防靜電薄膜晶體管ET2的柵極2026b與自身的漏極2024b電連接。觸控電極線206與防靜電單元ESD通過過孔電連接。

需要說明的是，本發(fā)明實施例還包括觸控電極層，所述觸控電極層包括多個觸控電極單元，觸控電極線在顯示區(qū)域與觸控電極單元對應(yīng)電連接，因此，本發(fā)明實施例中的防靜電電路能夠及時導(dǎo)走觸控電極塊和觸控信號線的靜電，防止觸控電極塊、觸控信號線被靜電擊傷。在本發(fā)明的一些實施例中，公共電極復(fù)用為觸控電極，例如，當(dāng)觸控結(jié)構(gòu)為自電容時，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1或者第二氧化物導(dǎo)體層OC2的公共電極可以復(fù)用為觸控電極，復(fù)用為觸控電極的公共電極包括多個塊狀的公共電極單元(觸控電極塊)；當(dāng)觸控結(jié)構(gòu)為互電容結(jié)構(gòu)時，公共電極可以復(fù)用為觸控驅(qū)動電極或者觸控檢測電極，復(fù)用為觸控驅(qū)動電極或者觸控檢測電極的公共電極包括多個條狀的公共電極塊(觸控驅(qū)動電極單元或者觸控檢測電極單元)。具體地，如圖1所示，公共電極210被分割為多個矩形的公共電極塊210a。圖1中僅僅示意圖出上述自電容模式常見的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明實施例中公共電極210分割為公共電極塊210a的形狀還可以為其他形狀，例如，菱形、多邊形、條形等。

進一步地，觸控電極線(第三金屬層M3)與防靜電電路電連接的具體結(jié)構(gòu)請參考圖4和圖5，圖5為圖4所示結(jié)構(gòu)沿AA'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。在非顯示區(qū)域，觸控電極線206與防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b之間通過連接導(dǎo)體電連接，具體地，觸控電極線206與連接導(dǎo)體208a電連接，連接導(dǎo)體208a與防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b電連接，第四絕緣層229覆蓋連接導(dǎo)體208a。其中，位于非顯示區(qū)域的連接導(dǎo)體208a可以與圖2中位于顯示區(qū)域的像素電極208同層設(shè)置，也可以和圖3中位于顯示區(qū)域的公共電極210同層設(shè)置；防靜電薄膜晶體管ET2的柵極2026b包括于第一金屬層M1，防靜電薄膜晶體管ET2的源極2022b/漏極2024b包括于第二金屬層M2，連接導(dǎo)體208a包括于第一氧化物導(dǎo)體層OC1，位于非顯示區(qū)域的觸控電極線206位于第三金屬層M3。因此，本發(fā)明實施例中，第三金屬層M3和第二金屬層M2在非顯示區(qū)域通過第一氧化物導(dǎo)體層OC1中的連接導(dǎo)體208a電連接，而第一氧化物導(dǎo)體層OC1遠(yuǎn)離襯底基板220的一側(cè)設(shè)置有第四絕緣層229，能夠防止連接導(dǎo)體208a在后續(xù)制程中被腐蝕，從而提高第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的電連接穩(wěn)定性。因此，本實施例提供的陣列基板能及時導(dǎo)出位于第三金屬層M3中的觸控電極線206、與觸控電極線206電連接的觸控電極上的靜電，從而防止發(fā)生靜電擊傷、提高觸控靈敏度。所述“后續(xù)制程”除包括形成第二氧化物導(dǎo)體層OC2外還包括本發(fā)明實施例提供的陣列基板與對向基板的貼合、填充液晶等；或者所述“后續(xù)流程”除包括形成第二氧化物導(dǎo)體層OC2還包括封裝步驟等。

可選地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板中，在第二金屬層M2和第三金屬層M3之間設(shè)置的第二絕緣層包括平坦化層，所述平坦化層具有通孔，所述通孔向襯底基板的垂直投影與第二金屬層M2向襯底基板的垂直投影交疊。如圖5所示，第二絕緣層226僅有一層絕緣層，即為平坦化層2264，且平坦化層2264具有通孔2264a，通孔2264a暴露出位于第二金屬層M2的防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b。此外，如圖5所示，在柵極2026b和有源層2020之間設(shè)置有柵極絕緣層222。

需要說明的是，本發(fā)明提供的一些實施例中，在平坦化層2264設(shè)置有通孔2264a，而不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層和第三絕緣層228的深孔，能夠避免連接導(dǎo)體208a跨越深孔，從而減少連接導(dǎo)體208a發(fā)生斷線的可能。

可選地，上述各實施中，平坦化層2264還設(shè)置有凹槽(圖中未示出)。通常地，平坦化層是位于陣列基板上厚度最大的絕緣層；在陣列基板的非顯示區(qū)域，平坦化層設(shè)置有凹槽，所述凹槽用于在陣列基板進行配向時防止配向液體向外擴散，其中，向外擴展是指向陣列基板的邊緣擴散。需要說明的是，所述凹槽的深度可以小于平坦化層2264的厚度，也可以等于平坦化層2264的厚度。此外，平坦化層2264的通孔2264a和平坦化層2264的凹槽可以采用同一道掩膜版制成，具體地，可以根據(jù)需要選擇普通掩膜版或者灰階掩膜版。

在本發(fā)明的一些實施例中，平坦化層2264的凹槽的形狀可以是圍繞非顯示區(qū)域的環(huán)形，也可以是圍繞非顯示區(qū)域的多個條形。需要說明的是，在另一些實施例中，當(dāng)?shù)诙^緣層226設(shè)置有其他絕緣層時，平坦化層2264可以僅設(shè)置在顯示區(qū)域，或者僅設(shè)置在顯示區(qū)域和部分非顯示區(qū)域，但是平坦化層2264在非顯示區(qū)域不設(shè)置凹槽。此外，上述列舉的實施中均設(shè)置有平坦化層2264，但是本發(fā)明實施例并非局限于此，在其他的實施例中，第二絕緣層226可以不設(shè)置平坦化層。

進一步地，請參考圖5，第一氧化物導(dǎo)體層OC1(圖5中的連接導(dǎo)體208a)與第三金屬層M3(圖5中的觸控電極線206)通過第一過孔h1連接，第一氧化物導(dǎo)體層OC1與第二金屬層(圖5中的防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b)通過第二過孔h2連接，第一過孔h1貫穿第三絕緣層228，第二過孔h2貫穿所述第二絕緣層226和第三絕緣層228，第二過孔h2向襯底基板220的垂直投影與平坦化層2264的通孔2264a向襯底基板的垂直投影交疊。需要說明的是，圖5中的第二絕緣層226只包括平坦化層2264，因此，第二過孔h2只需要貫穿第三絕緣層228即可實現(xiàn)第三金屬層M3與第二金屬層M2電連接，但是，當(dāng)?shù)诙^緣層226還設(shè)置有其他絕緣層時，第二過孔h2需要貫穿其他的絕緣層；如果第二絕緣層中沒有設(shè)置有通孔2264a的平坦化層，則第二過孔h2需要貫穿整個第二絕緣層226以實現(xiàn)第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接。

可選地，第三金屬層M3與第二金屬層M2通過第一氧化物導(dǎo)體層OC1、第二氧化物導(dǎo)體層OC2電連接。具體地，觸控電極線(第三金屬M3)與防靜電電路電連接的具體結(jié)構(gòu)請參考圖4和圖6，圖6為圖4所示結(jié)構(gòu)沿AA'的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖6所示結(jié)構(gòu)與圖5所示結(jié)構(gòu)類似，不同之處在于第三金屬層M3和第二金屬層M2的連接方式，其他相同之處本實施例不再贅述。在非顯示區(qū)域，觸控電極線206與防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b之間通過連接導(dǎo)體208a和210a電連接，具體地，觸控電極線206通過第一過孔h1與連接導(dǎo)體208a電連接，連接導(dǎo)體208a與防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b通過第二過孔h2電連接，輔助連接導(dǎo)體210a與連接導(dǎo)體210a直接接觸。需要說明的是，連接導(dǎo)體208a包括于第一氧化物導(dǎo)體層OC1，輔助連接導(dǎo)體210a包括于第二氧化物導(dǎo)體層OC2。

需要說明的是，第二氧化物導(dǎo)體層OC2包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，在所述第一區(qū)域，第二氧化物導(dǎo)體層OC2與第一氧化物導(dǎo)體層OC1之間設(shè)置有第四絕緣層；在所述第二區(qū)域，第二氧化物導(dǎo)體層OC2與第一氧化物導(dǎo)體層OC1相互接觸；所述第二區(qū)域向襯底基板的垂直投影與平坦化層的通孔向襯底基板的垂直投影重疊。具體地，在顯示區(qū)域中，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置有絕緣層以實現(xiàn)相互絕緣，但是在非顯示區(qū)域，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a和位于第二氧化物導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a相互接觸以實現(xiàn)電連接。為了實現(xiàn)第一氧化物導(dǎo)體層OC1在顯示區(qū)域相互絕緣，而在非顯示區(qū)域有相互電連接的區(qū)域，則在形成第二氧化導(dǎo)體層OC2之前，需要采用一道掩膜板將第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2相互電連接處的絕緣層刻蝕掉，在圖6所示的結(jié)構(gòu)中，需要將連接導(dǎo)體208a和輔助連接導(dǎo)體210a對應(yīng)位置處位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2的絕緣層刻蝕掉。同樣地，在非顯示區(qū)域中，除圖6示意的區(qū)域外，其他區(qū)域也可以在第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置第四絕緣層229。此時，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置有絕緣層的區(qū)域可以稱為第一區(qū)域，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間未設(shè)置絕緣層的區(qū)域可以稱為第二區(qū)域，輔助連接導(dǎo)體210a和連接導(dǎo)體208a位于第二區(qū)域，且，第二區(qū)域向襯底基板220的垂直投影與平坦化層2264的通孔2264a向襯底基板220的垂直投影重疊。

需要說明的是，本發(fā)明提供的部分實施例中，在平坦化層2264設(shè)置有通孔2264a，而不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層和第三絕緣層228的深孔，也不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層、第三絕緣層228和第四絕緣層229的深孔，能夠避免連接導(dǎo)體208a和輔助連接導(dǎo)體210a跨越深孔；從而減少連接導(dǎo)體208a發(fā)生斷線的可能。

本實施例中第三金屬層M3與第二金屬層M2通過第一氧化物導(dǎo)體層OC1、第二氧化物導(dǎo)體層OC2電連接，即，采用連接導(dǎo)體208a和輔助連接導(dǎo)體210a實現(xiàn)觸控電極線206和防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b之間的電連接，這樣的連接方式進一步提高第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的電連接穩(wěn)定性。具體地，由于第一氧化物導(dǎo)體層OC1與第二金屬層M2之間的絕緣層厚度較大，其和第二金屬層M2連接的路勁較為陡峭，且第一氧化導(dǎo)體層OC1的厚度與第二金屬層M2相比通常較薄，因此，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a容易發(fā)生斷線。然而，本實施例中增加了輔助連接電極210a可以斷線的連接導(dǎo)體208a電連接起來，從而提高第三金屬層M3(觸控電極線206)和第二金屬層M2(防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b)之間的電連接穩(wěn)定性。因此，本實施例提供的陣列基板能及時導(dǎo)出位于第三金屬層M3中的觸控電極線206、與觸控電極線206電連接的觸控電極上的靜電，從而防止發(fā)生靜電擊傷、提高觸控靈敏度。

還需要進一步說明的是，雖然本實施例中連接導(dǎo)體208a沒有被絕緣層覆蓋，但是連接導(dǎo)體208a被輔助連接導(dǎo)體210a覆蓋，因此，本實施例中仍然能夠避免連接第三金屬層M3(觸控電極線206)和第二金屬層M2(防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b)的連接導(dǎo)體208a在后續(xù)制程中被腐蝕。

可選地，第三金屬層M3和第二金屬層M2分別通過第一氧化物導(dǎo)體層OC1與第二氧化物導(dǎo)體層OC2電連接。具體地，請參考圖7和圖8，圖7為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域中防靜電電路單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為圖7所示結(jié)構(gòu)沿BB'的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖7所示的結(jié)構(gòu)與圖4所示的結(jié)構(gòu)類似，不同之處在于第三金屬層M3和第二金屬層M2的連接方式，其他相同之處不再贅述；圖8所示的結(jié)構(gòu)與圖6所示的結(jié)構(gòu)類似，不同之處在于第三金屬層M3和第二金屬層M2的連接方式，其他相同之處不再贅述。如圖8所示，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第一過孔h1連接，且與位于第二金屬層M2的防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b通過第二過孔h2連接；位于第二氧化物導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第三過孔h3連接，且與位于第二金屬層M2的防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b通過第四過孔h4連接。

需要說明的是，如圖8所示，在非顯示區(qū)域還設(shè)置有第四絕緣層229，第一過孔h1貫穿第三絕緣層228，第二過孔h2貫穿第三絕緣層228和第二絕緣層226，第三過孔h3貫穿第四絕緣層229和第三絕緣層228，第四過孔h4貫穿第四絕緣層229、第三絕緣層228和第二絕緣層226；第二過孔h2、第四過孔h4向襯底基板220的垂直投影與平坦化層2264的通孔2264a向襯底基板220的垂直投影重疊。具體地，第二過孔h2、第四過孔h4向平坦化層2264的垂直投影位于平坦化層2264的通孔2264a內(nèi)。

需要說明的是，本發(fā)明提供的部分實施例中，在平坦化層2264設(shè)置有通孔2264a，而不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層和第三絕緣層228的深孔，能夠避免連接導(dǎo)體208a跨越深孔，從而減少連接導(dǎo)體208a發(fā)生斷線的可能。

在本實施例中，位于第三金屬層M3的觸控電極線206與位于第二金屬層M2的防靜電薄膜晶體管ET2的漏極2024b之間分別通過位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a、位于第二氧化物導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a電連接，且第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間還設(shè)置有第四絕緣層229，因此，不僅能夠防止連接導(dǎo)體208a在后續(xù)制程中發(fā)生腐蝕，還能增強電連接穩(wěn)定性。即，如果連接導(dǎo)體208a發(fā)生斷路，輔助連接導(dǎo)體210a還可以實現(xiàn)第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的電連接。因此，本實施例提供的陣列基板能及時導(dǎo)出位于第三金屬層M3中的觸控電極線206、與觸控電極線206電連接的觸控電極上的靜電，從而防止發(fā)生靜電擊傷、提高觸控靈敏度。

為了便于說明，上述實施例中以觸控電極線和防靜電電路之間的電連接方式詳細(xì)說明了第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的連接方式。然而，本發(fā)明實施例并未局限于此，只要涉及第三金屬層M3和第二金屬層M2之間進行電連接都可以采用本發(fā)明提供的連接方式。為了更好的理解本發(fā)明，下面將針對如何將觸控電極線與控制部的電連接為例進行說明，其中，控制部可以是驅(qū)動芯片(Integarated Circuit，IC)或者柔性電路板(Flexible Printed Circuit，F(xiàn)PC)等。具體地，陣列基板還包括位于非顯示區(qū)域的所述控制部，第一金屬層M1、第二金屬層M2以及第三金屬層么均與所述控制部電連接。

請參考圖1和圖9，圖9為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層M3換線處的結(jié)構(gòu)示意圖。在圖1所示的陣列基板中，非顯示區(qū)域20中，在顯示區(qū)域10和驅(qū)動芯片IC之間設(shè)置有換線區(qū)204，所述換線區(qū)204為不同層之間的導(dǎo)線進行電連接以實現(xiàn)換線的區(qū)域。第三金屬層M3若要與驅(qū)動芯片IC進行電連接，需要通過換線方式實現(xiàn)，即，如圖9所示，位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過換線電極塊2042換線才能實現(xiàn)與位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044電連接，驅(qū)動引線2044與驅(qū)動芯片IC直接電連接。需要說明的是，圖9僅僅示意出本發(fā)明的一種實施例，但是在本發(fā)明的其他實施例中，與驅(qū)動芯片IC直接電連接的驅(qū)動引線2044還可以位于第二金屬層M2；驅(qū)動引線2044不與驅(qū)動芯片IC電連接，而是與柔性電路板直接電連接。

具體地，觸控電極線206的換線方式請參考圖10，圖10為圖9所示結(jié)構(gòu)沿CC'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖10所示的第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的連接方式圖5所示相同，因此，相同內(nèi)容本實施例不再贅述。如圖10所示，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第一過孔h1連接，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第二金屬層的換線電極塊2042通過第二過孔h2連接；第一過孔h1貫穿第三絕緣層228，第二過孔h2貫穿所述第二絕緣層226和第三絕緣層228。觸控電極線206通過前述設(shè)置方式與換線電極塊2042電連接，位于第二金屬層M2的換線電極塊2042通過第五過孔h5和位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044實現(xiàn)電連接，進而，位于第三金屬層M3的觸控電極線206實現(xiàn)了與位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044電連接。需要說明的是，在連接導(dǎo)體208a遠(yuǎn)離襯底基板220的一側(cè)設(shè)置有第四絕緣層229。本實施例中，通過位于第四絕緣層229靠近襯底基板220一側(cè)的連接導(dǎo)體208a實現(xiàn)觸控電極線206和換線電極塊2042的電連接，能夠防止連接導(dǎo)體208a在后續(xù)制程中發(fā)生腐蝕，確保觸控電極線206與驅(qū)動芯片IC的電連接穩(wěn)定，從而提高觸控靈敏度。

可選地，觸控電極線206的換線方式還可以參考圖11，圖11為圖9所示結(jié)構(gòu)沿BB'的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖11所示的第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的連接方式圖6所示相同，因此，相同內(nèi)容本實施例不再贅述。如圖11所示，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第一過孔h1連接，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第二金屬層的換線電極塊2042通過第二過孔h2連接；第一過孔h1貫穿第三絕緣層228，第二過孔h2貫穿所述第二絕緣層226和第三絕緣層228；位于第二氧化物導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a與連接導(dǎo)體208a直接接觸。觸控電極線206通過前述設(shè)置方式與換線電極塊2042電連接，位于第二金屬層M2的換線電極塊2042通過第五過孔h5和位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044實現(xiàn)電連接，進而，位于第三金屬層M3的觸控電極線206實現(xiàn)了與位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044電連接。本實施例中通過輔助連接導(dǎo)體210a與連接導(dǎo)體208a直接接觸增強了觸控電極線206和驅(qū)動芯片IC之間的電連接穩(wěn)定性，從而提高觸控靈敏度。

需要說明的是，圖11只是示意出了本實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)，在陣列基板的顯示區(qū)域，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置有絕緣層，例如，如圖2或者圖3所示，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置有第四絕緣層229。同樣地，在非顯示區(qū)域中，除圖10示意的區(qū)域外，其他區(qū)域也可以在第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置第四絕緣層229。此時，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間設(shè)置有絕緣層的區(qū)域可以稱為第一區(qū)域，第一氧化物導(dǎo)體層OC1和第二氧化物導(dǎo)體層OC2之間未設(shè)置絕緣層的區(qū)域可以稱為第二區(qū)域，輔助連接導(dǎo)體210a和連接導(dǎo)體208a位于第二區(qū)域，且，第二區(qū)域向襯底基板220的垂直投影與平坦化層2264的通孔2264a向襯底基板220的垂直投影重疊。

可選地，觸控電極線206的換線方式還可以參考圖12和圖13，圖12為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層換線處的另一種結(jié)構(gòu)示意圖，圖13為圖12所示結(jié)構(gòu)沿DD'的一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。其中，圖13所示的第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的連接方式圖8所示相同，因此，相同內(nèi)容本實施例不再贅述。如圖13所示，位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第一過孔h1連接，且與位于第二金屬層M2的換線電極塊2042通過第二過孔h2連接；位于第二氧化物導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a與位于第三金屬層M3的觸控電極線206通過第三過孔h3連接，且與位于第二金屬層M2的換線電極塊2042通過第四過孔h4連接；連接導(dǎo)體208a與輔助連接導(dǎo)體210a之間設(shè)置有第四絕緣層229。觸控電極線206通過前述設(shè)置方式與換線電極塊2042電連接，位于第二金屬層M2的換線電極塊2042通過第五過孔h5和位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044實現(xiàn)電連接，進而，位于第三金屬層M3的觸控電極線206實現(xiàn)了與位于第一金屬層M1的驅(qū)動引線2044電連接。本實施例中，通過位于第一氧化物導(dǎo)體層OC1的連接導(dǎo)體208a、位于第二氧化導(dǎo)體層OC2的輔助連接導(dǎo)體210a分別電連接位于第三金屬層M3的觸控電極線206和位于第二金屬層M2的換線電極塊2042，在輔助連接導(dǎo)體210a增強電連接穩(wěn)定性的同時，連接導(dǎo)體208a被第四絕緣層229保護以避免在后續(xù)制程發(fā)生腐蝕。因此，本實施例能夠進一步提高陣列基板的觸控靈敏度。

在上述實施例中以第二絕緣層226僅包括平坦化層2264進行舉例，然而，本發(fā)明提供的實施例并非局限于此，在本發(fā)明的其他實施例中，第二絕緣層226除了包括平坦化層2264外，還包括其他的層間絕緣層。下面將以觸控電極線與控制部之間的連接方式為例進行說明。

請參考圖14，圖14為圖9所示結(jié)構(gòu)沿CC'的又一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖14所示的第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的連接方式與圖10所示相同，因此，相同之處本實施例不再贅述。如圖14所示，第二絕緣層226包括平坦化層2264、第一層間絕緣層2262和第二層間絕緣層2266。具體地，第一層間絕緣層2262位于第二金屬層M2和平坦化層2264之間，第二層間絕緣層2266位于平坦化層2264和第三金屬層M3之間。此時，第二過孔h2需要貫穿第一層間絕緣層2262和第二層間絕緣層2266。由于平坦化層2264的通孔2264a是在形成第三金屬層M3之間形成，而通孔2264a已經(jīng)暴露出第二金屬層M2中需要和第第三金屬層M3電連接的區(qū)域，因此，在刻蝕第三金屬層M3時會腐蝕第二金屬層M2中位于通孔2264a中的區(qū)域。然而，本實施例中設(shè)置的第一層間絕緣層2262和第二層間絕緣層2266能夠防止第二金屬層M2在第三金屬層刻蝕的過程發(fā)生腐蝕，從而確保后續(xù)第三金屬層M3和第二金屬層M2之間的電連接穩(wěn)定性。

需要說明的是，圖14所示結(jié)構(gòu)只是本發(fā)明實施例中的一種，在其他的實施例中，位于第二絕緣層226的層間絕緣層可以只有一層或者多層，本發(fā)明實施例對此不作限制，在實際生產(chǎn)中可以根據(jù)需要選擇層間絕緣層的數(shù)量。

需要說明的是，圖5、圖6、圖8、圖10、圖11和圖13所示結(jié)構(gòu)中，第二絕緣層226也可以包括一層或者多層層間絕緣層。不管第二絕緣層226包括多少層間絕緣層，位于連接導(dǎo)體208a和第二金屬層M2之間的過孔都要貫穿所有的層間絕緣層，和/或，位于輔助連接導(dǎo)體210a和第二金屬層M2之間的過孔都要貫穿所有的層間絕緣層。

此外，觸控電極線206的換線方式還可以參考圖15，圖15為圖1所示陣列基板非顯示區(qū)域在第三金屬層換線處的又一種結(jié)構(gòu)示意圖。需要說明的是，圖15所示換線處的結(jié)構(gòu)和圖9類似，不同之處在于換線電極塊2042與兩條觸控電極線206電連接，其他相同之處不再贅述。需要說明的是，圖15所示結(jié)構(gòu)中與同換線電極塊2042電連接的兩條觸控電極線206在顯示區(qū)域與同一個觸控電極塊(公共電極塊)電連接。在本發(fā)明的其他實施例中，如果一個觸控電極塊與多條觸控電極線206電連接，則所述多條觸控電極線206在換線處電連接至同一換線電極塊2042。

同樣地，上述實施例中，在觸控電極線206換線處的平坦化層2264設(shè)置有通孔2264a，而不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層和第三絕緣層228的深孔，能夠避免連接導(dǎo)體208a跨越深孔；或/和，而不是在第三金屬層M3和第二金屬層M2電連接處設(shè)置貫穿平坦化層2264、第二絕緣層226中其他膜層、第三絕緣層228和第四絕緣層229的深孔，能夠避免輔助連接導(dǎo)體210a跨越深孔。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板減少連接導(dǎo)體208a發(fā)生斷線的可能。

最后，本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，如圖16所示，圖16為本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，該顯示裝置包括外殼2，顯示面板4、攝像頭6以及信號燈8，其中，顯示面板4包括上述任一實施例所述的陣列基板。由于本發(fā)明陣列基板中的位于第三金屬層M3的觸控電極線和第二金屬層M2之間的電連接穩(wěn)定性和/或防腐蝕性得到提高，從而提高顯示裝置的觸控靈敏度和使用壽命。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。