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      一種陣列基板及包括其的顯示裝置的制作方法

      文檔序號(hào):12731111閱讀:來源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種陣列基板,包括:

      襯底基板,包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;

      第一金屬層,位于所述顯示區(qū)域和所述非顯示區(qū)域;

      第二金屬層,位于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);

      第三金屬層,位于所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);

      第一絕緣層,設(shè)置于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間;

      第二絕緣層,設(shè)置于所述第二金屬層和所述第三金屬層之間;

      第一氧化物導(dǎo)體層,位于所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);

      第二氧化物導(dǎo)體層,位于所述第一氧化物導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè);

      第三絕緣層,位于所述第一氧化物導(dǎo)體層和所述第三金屬層之間;

      其中,在所述顯示區(qū)域,所述第一氧化物導(dǎo)體層和所述第二氧化物導(dǎo)體層之間設(shè)置有第四絕緣層,在所述非顯示區(qū)域,所述第三金屬層與所述第二金屬層至少通過所述第一氧化物導(dǎo)體層電連接。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第二絕緣層包括平坦化層,所述平坦化層具有通孔,所述通孔向所述襯底基板的垂直投影與所述第二金屬層向所述襯底基板的垂直投影交疊。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述平坦化層還設(shè)置有凹槽。

      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一氧化物導(dǎo)體層與所述第三金屬層通過第一過孔連接,所述第一氧化物導(dǎo)體層與所述第二金屬層通過第二過孔連接,所述第一過孔貫穿所述第三絕緣層,所述第二過孔貫穿所述第二絕緣層和所述第三絕緣層,所述第二過孔向所述襯底基板的垂直投影與所述平坦化層的通孔向所述襯底基板的垂直投影交疊。

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第三金屬層與所述第二金屬層通過所述第一氧化物導(dǎo)體層、所述第二氧化物導(dǎo)體層電連接。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第二氧化物導(dǎo)體層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,在所述第一區(qū)域,所述第二氧化物導(dǎo)體層與所述第一氧化物導(dǎo)體層之間設(shè)置有所述第四絕緣層;在所述第二區(qū)域,所述第二氧化物導(dǎo)體層與所述第一氧化物導(dǎo)體層相互接觸;所述第二區(qū)域向所述襯底基板的垂直投影與所述平坦化層的通孔向所述襯底基板的垂直投影重疊。

      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第四絕緣層還設(shè)置在所述非顯示區(qū)域,所述第二氧化物導(dǎo)體層與所述第三金屬層通過第三過孔連接,所述第二氧化物導(dǎo)體層與所述第二金屬層通過所述第四過孔連接,所述第三過孔貫穿所述第五絕緣層和所述第三絕緣層,所述第四過孔貫穿所述第五絕緣層、所述第三絕緣層和所述第二絕緣層;所述第四過孔向所述襯底基板的垂直投影與所述平坦化層的通孔向所述襯底基板的垂直投影重疊。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示區(qū)域包括多個(gè)顯示薄膜晶體管、多條數(shù)據(jù)線、多條柵極線以及多條觸控電極線;所述顯示薄膜晶體管包括柵極、源極/漏極,所述顯示薄膜晶體管的柵極和所述多條柵極線包括于所述第一金屬層,所述顯示薄膜晶體管的源極/漏極和所述多條數(shù)據(jù)線包括于所述第二金屬層,所述多條觸控電極線包括于所述第三金屬層。

      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述第一透明電極為像素電極,所述第二透明電極為公共電極;或者所述第一透明電極為公共電極,所述第二透明電極為像素電極。

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極復(fù)用為觸控電極,所述觸控電極與所述多條觸控電極線在所述顯示區(qū)域?qū)?yīng)電連接。

      11.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,在所述非顯示區(qū)域設(shè)置有防靜電電路,所述防靜電電路包括防靜電薄膜晶體管,所述防靜電薄膜晶體管包括柵極、源極/漏極,所述防靜電薄膜晶體管的柵極包括于所述第一金屬層,所述防靜電薄膜晶體管的源極/漏極包括于所述第二金屬層。

      12.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述非顯示區(qū)域的控制部,所述第一金屬層、所述第二金屬以及所述第三金屬層均與所述控制部電連接。

      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板,其特征在于,所述第三金屬層通過所述第二金屬層和所述第一金屬層與所述控制部電連接;其中,所述第三金屬層和所述第二金屬層電連接,所述第二金屬層通過第五過孔與所述第一金屬層電連接。

      14.一種顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的陣列基板。

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