一種抗反射基板及其制備方法和應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于平板顯示裝置的抗反射基板及 其制備方法和應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 在戶外條件下，特別是強光條件下，諸如液晶顯示裝置（IXD)、等離子體顯示面板 (PDP)、有機電致發(fā)光顯示器（0LED)等平板顯示裝置極易反射環(huán)境光，造成對比度不足，從 而使得顯示效果變差。
[0003] 針對平板顯示裝置在強光下對比度不足的問題，現(xiàn)有技術(shù)中提出了多種方法。
[0004] 一是在顯示裝置的顯示表面設(shè)置偏光片，但該方法會大幅度降低顯示器亮度，顯 示裝置的透光率會被偏光片降低45%以上。在液晶顯示裝置等被動發(fā)光裝置中必須增加 背光源亮度，在有機電致發(fā)光顯示裝置等主動發(fā)光裝置中必須增加操作電壓以達(dá)到亮度要 求，而這些增加亮度的方法均會影響顯示裝置的使用壽命。
[0005] 二是在顯示裝置的顯示表面設(shè)置光學(xué)反射層。例如，中國專利CN103197361A公開 了一種透明無色度的抗反射涂層，所述抗反射層包括交替布置在襯底上的多個高反射層和 多個低反射層，所述高反射層具有大于1. 9的折射率，所述低反射層具有小于1. 6的折射 率；經(jīng)測試，所述抗反射涂層具有透明無色度的特點，可以使得應(yīng)用其的顯示裝置不因任意 顏色或反射而失真，并且可以改善顯示裝置在戶內(nèi)或戶外的可讀性。但是所述抗反射涂層 需要通過選擇性利用晶體厚度控制方法（QCM)和光學(xué)厚度控制方法（0PM)來控制所述高反 射層和所述低反射層的厚度，精確度要求高、工藝難度大，不適合實施大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有解決平板顯示裝置表面反射光的技術(shù)或者影響裝 置壽命，或者結(jié)構(gòu)復(fù)雜、工藝難度大的問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡單、工藝成本低的抗反射基板 及其制備方法和應(yīng)用。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：
[0008] 本發(fā)明所述的一種抗反射基板，包括透明的基板本體，所述基板本體中均勻分散 有透明粒子，所述基板本體的折射率為1. 3~1. 9,所述透明粒子的折射率為1. 3~1. 9,所 述透明粒子的粒徑為0. 1~150 y m ;所述基板本體的厚度為0. 2~1. 1mm。
[0009] 所述基板本體為玻璃基板本體，所述透明粒子為玻璃粒子，所述玻璃粒子的熔融 溫度比所述玻璃基板本體的熔融溫度高50~200°C。
[0010] 所述基板本體為聚合物基板本體，所述透明粒子為玻璃粒子或二氧化硅粒子或聚 合物粒子。
[0011] 所述聚合物粒子的熔融溫度比所述聚合物基板本體的熔融溫度高50~200°C。
[0012] 本發(fā)明所述的抗反射基板的制備方法，包括如下步驟：
[0013] S1、加熱基板本體材料，使之處于熔融狀態(tài)，并穩(wěn)定溫度；
[0014] S2、將透明粒子加入到熔融狀態(tài)的所述基板本體材料中，混合均勻；
[0015] S3、將步驟S2中制得的混合物形成板材，并冷卻形成所述抗反射基板。
[0016] 步驟S1中所述溫度小于步驟S2中所述透明粒子的熔融溫度。
[0017] 本發(fā)明所述的一種平面顯示裝置，所述平面顯示裝置的透光面設(shè)置有所述的抗反 射基板。
[0018] 所述平面顯示裝置為有機電致發(fā)光顯示裝置。
[0019] 所述有機電致發(fā)光顯示裝置包括若干并置的有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極 管包括依次堆疊設(shè)置的第一電極層、有機層和第二電極層，所述第二電極層為出光電極，所 述抗反射基板設(shè)置在所述第二電極上。
[0020] 所述平面顯示裝置為液晶顯示裝置。
[0021] 步驟S3中所述板材的成型工藝包括注射成型、擠壓成型、壓制成型、澆注成型、溢 流成型或浮法成型中的一種。
[0022] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點：
[0023]1、本發(fā)明所述的抗反射基板，包括透明基板本體以及均勻分散在透明基板本體中 的透明粒子，透明粒子與基板本體之間存在曲面和/或平面界面，外界光線入射到所述抗 反射基板時，在界面處折射率發(fā)生變化，形成漫反射，從而實現(xiàn)反射率的降低。
[0024] 2、本發(fā)明所述的抗反射基板的制備方法，結(jié)構(gòu)簡單、工藝成熟，適合大規(guī)模生產(chǎn)。
[0025] 3、本發(fā)明應(yīng)用所述抗反射基板的所述平面顯示裝置，不需要在現(xiàn)有平面顯示裝置 中增加元件或改變裝置結(jié)構(gòu)，即可實現(xiàn)降低反射率的目的，工藝簡單、良品率高，可有效提 高經(jīng)濟效率。
【附圖說明】
[0026] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合 附圖，對本發(fā)明作進一步詳細(xì)的說明，其中
[0027] 圖1是本發(fā)明所述的一種抗反射面板的剖視圖。
[0028] 附圖標(biāo)記：1-基板本體、2-透明粒子。
【具體實施方式】
[0029] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實 施方式作進一步地詳細(xì)描述。
[0030] 本發(fā)明可以以許多不同的形式實施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實施例。 相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給 本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和粒 子的尺寸和相對尺寸。
[0031] 下述實施例和對比例中所述的無堿娃酸鹽玻璃（Alumino Silicate Glass)與無 堿娃酸鹽玻璃粒子購自康寧（corning)公司，聚氨酯購自美國杜邦公司（DuPont),聚氯乙 烯粒子購自日本三井化學(xué)。
[0032] 實施例1
[0033] 本實施例提供一種抗反射基板，如圖1所示，包括透明的基板本體1，所述基板本 體1中均勻分散有透明粒子2。
[0034] 所述基板本體1為玻璃基板本體,本實施例優(yōu)選為融化溫度為1000°C的無堿娃酸 鹽玻璃；所述透明粒子2為玻璃粒子，本實施例優(yōu)選熔融溫度為1200°C的無堿硅酸鹽玻璃 粒子。
[0035] 作為本發(fā)明的其他實施例，所述玻璃粒子的熔融溫度比所述玻璃基板本體的熔融 溫度高50~200°C即可現(xiàn)實本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范圍。
[0036] 所述基板本體1的折射率為1. 3,所述透明粒子2的折射率為1. 9,所述透明粒子 2的粒徑為1um。
[0037] 所述基板本體1的厚度為0? 4mm。
[0038] 作為本發(fā)明的其他實施例，所述透明粒子2的粒徑還可以為0. 1~150 ym。所述 基板本體1的厚度還可以為〇. 2~1. 1_，均可以現(xiàn)實本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護范 圍。
[0039] 所述的抗反射基板的制備方法，包括如下步驟：
[0040] S1、將基板本體材料(融化溫度為1000°C的無堿硅酸鹽玻璃)加入浮法式熔解池中 被加熱至熔融狀態(tài)，并穩(wěn)定溫度在1000°c;
[0041]S2、將熔融溫度為1200°C的無堿硅酸鹽玻璃粒子按透明粒子2和基板本體1以 1:30的體積比加入到熔融狀態(tài)的所述基板本體材料中，混合均勻；
[0042]S3、通過均勻移動的移動腔體將步驟S2中制得的混合物形成板材，并通過冷卻隧 道將所述板材冷卻形成所述抗反射基板。
[0043] 作為本發(fā)明的其他實施例，步驟S3中所述板材的成型工藝還可以根據(jù)基板本體 材料的性質(zhì)進行選擇，選自但不限于注射成型、擠壓成