型、壓制成型、澆注成型、溢流成型或 浮法成型中的一種。
[0044] 實(shí)施例2
[0045] 本實(shí)施例提供一種抗反射基板，如圖1所示，包括透明的基板本體1，所述基板本 體1中均勻分散有透明粒子2。
[0046] 所述基板本體1為聚合物基板本體，本實(shí)施例優(yōu)選為熔融溫度為200°C的聚氨酯， 所述透明粒子為玻璃粒子，本實(shí)施例優(yōu)選熔融溫度為1200°C的無堿硅酸鹽玻璃粒子。
[0047] 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，所述玻璃粒子的熔融溫度比所述聚合物基板本體的熔 融溫度高50~200°C即可現(xiàn)實(shí)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0048] 所述基板本體1的折射率為1. 7,所述透明粒子2的折射率為1. 3,所述透明粒子 2的粒徑為10ym。所述基板本體1的厚度為0. 7mm。
[0049] 所述的抗反射基板的制備方法，包括如下步驟：
[0050] S1、通過加熱板加熱基板本體材料，使之處于熔融狀態(tài)，并穩(wěn)定溫度在200°C;
[0051]S2、將透明粒子2加入到熔融狀態(tài)的所述基板本體材料中，透明粒子2與所述基本 本體1的體積比為1:50,混合均勻；
[0052]S3、通過擠壓成型工藝將步驟S12中制得的混合物形成板材，并通過冷板工藝將 所述板材冷卻形成所述抗反射基板。
[0053] 實(shí)施例3
[0054] 本實(shí)施例提供一種抗反射基板，如圖1所示，包括透明的基板本體1，所述基板本 體1中均勻分散有透明粒子2。
[0055] 所述基板本體1為聚合物基板本體，本實(shí)施例優(yōu)選為熔融溫度為200°C的聚氨酯， 所述透明粒子2為聚合物粒子，本實(shí)施例優(yōu)選熔融溫度為180°C的聚氯乙烯粒子。
[0056] 作為本發(fā)明的其他實(shí)施例，所述聚合物粒子的熔融溫度比所述聚合物基板本體的 熔融溫度高50~200°C即可現(xiàn)實(shí)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0057] 所述基板本體1的折射率為1. 4,所述透明粒子2的折射率為1. 6,所述透明粒子 2的粒徑為7 y m。所述基板本體1的厚度為0. 4mm。
[0058] 所述的抗反射基板的制備方法，包括如下步驟：
[0059] S1、通過加熱板將基板本體材料，使之處于熔融狀態(tài)，并穩(wěn)定溫度在120°C ;
[0060] S2、將透明粒子2加入到熔融狀態(tài)的所述基板本體材料中，透明粒子2與基本本體 1的體積比1:25,混合均勻；
[0061] S3、通過壓制成型工藝將步驟S12中制得的混合物形成板材，并通過冷板工藝將 所述板材冷卻形成所述抗反射基板。
[0062] 對(duì)比例1
[0063] 本對(duì)比例提供一種基板，所述基板的材料和制備方法同實(shí)施例1，唯一不同的是， 基板本體1中不含透明粒子2,制備方法中不含步驟S2。
[0064] 對(duì)比例2
[0065] 本對(duì)比例提供一種基板，所述基板的材料和制備方法同實(shí)施例2,唯一不同的是， 基板本體1中不含透明粒子2,制備方法中不含步驟S2。
[0066]實(shí)施例4
[0067] 本實(shí)施例提供一種平面顯示裝置，所述平面顯示裝置為有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置， 包括多個(gè)并置的有機(jī)發(fā)光二極管以及設(shè)置在所述有機(jī)發(fā)光二極管出光面上的所述的抗反 射基板。所述有機(jī)發(fā)光二極管包括依次堆疊設(shè)置的第一電極、有機(jī)層和第二電極，所述第二 電極為出光電極，所述抗反射基板為實(shí)施例1中所述的抗反射基板。
[0068]實(shí)施例5
[0069] 本實(shí)施例提供一種平面顯示裝置，具體結(jié)構(gòu)同實(shí)施例4,唯一不同的是所述抗反射 基板為實(shí)施例2中所述的抗反射基板。
[0070] 實(shí)施例6
[0071] 本實(shí)施例提供一種平面顯示裝置，具體結(jié)構(gòu)同實(shí)施例4,唯一不同的是所述抗反射 基板為實(shí)施例3中所述的抗反射基板。
[0072] 對(duì)比例3
[0073] 本實(shí)施例提供一種平面顯示裝置，具體結(jié)構(gòu)同實(shí)施例4,唯一不同的是設(shè)置在所述 第二電極上的基板為對(duì)比例1中所述的基板。
[0074] 對(duì)比例4
[0075] 本實(shí)施例提供一種平面顯示裝置，具體結(jié)構(gòu)同實(shí)施例4,唯一不同的是設(shè)置在所述 第二電極上的基板為對(duì)比例2中所述的基板。
[0076] 通過購自德國Autronic-Melchers的DMS系列光電測(cè)試儀對(duì)上述實(shí)施例1-3所述 的抗反射基板以及對(duì)比例1和2中所述的基板進(jìn)行測(cè)試，具體測(cè)試數(shù)據(jù)如下表所示。
[0077]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種抗反射基板，包括透明的基板本體，其特征在于，所述基板本體中均勻分散有透 明粒子，所述基板本體的折射率為1. 3~1. 9,所述透明粒子的折射率為1. 3~1. 9,所述透 明粒子的粒徑為〇. 1~150 y m ;所述基板本體的厚度為0. 2~I. 1mm。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗反射基板,其特征在于,所述基板本體為玻璃基板本體， 所述透明粒子為玻璃粒子，所述玻璃粒子的熔融溫度比所述玻璃基板本體的熔融溫度高 50 ~2001：。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗反射基板，其特征在于，所述基板本體為聚合物基板本體， 所述透明粒子為玻璃粒子或二氧化硅粒子或聚合物粒子。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的抗反射基板，其特征在于，所述聚合物粒子的熔融溫度比所 述聚合物基板本體的熔融溫度高50~200°C。
5. -種權(quán)利要求1-4任一所述的抗反射基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 51、 加熱基板本體材料，使之處于熔融狀態(tài)，并穩(wěn)定溫度； 52、 將透明粒子加入到熔融狀態(tài)的所述基板本體材料中，混合均勻； 53、 將步驟S2中制得的混合物形成板材，并冷卻形成所述抗反射基板。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗反射基板的制備方法，其特征在于，步驟Sl中所述溫度小 于步驟S2中所述透明粒子的熔融溫度。
7. -種平面顯示裝置，其特征在于，所述平面顯示裝置的透光面設(shè)置有權(quán)利要求1~4 任一所述的抗反射基板。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平面顯示裝置，其特征在于，所述平面顯示裝置為有機(jī)電致 發(fā)光顯示裝置。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的平面顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置包 括若干并置的有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管包括依次堆疊設(shè)置的第一電極層、有 機(jī)層和第二電極層，所述第二電極層為出光電極，所述抗反射基板設(shè)置在所述第二電極上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的平面顯示裝置，其特征在于，所述平面顯示裝置為液晶顯示 裝直。
【專利摘要】本發(fā)明所述的抗反射基板，包括透明基板本體以及均勻分散在透明基板本體中的透明粒子，透明粒子與基板本體之間存在曲面和/或平面界面，外界光線入射到所述抗反射基板時(shí)，在界面處折射率發(fā)生變化，形成漫反射，從而實(shí)現(xiàn)反射率的降低。本發(fā)明所述的抗反射基板的制備方法，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工藝成熟，適合大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明應(yīng)用所述抗反射基板的所述平面顯示裝置，不需要在現(xiàn)有平面顯示裝置中增加元件或改變裝置結(jié)構(gòu)，即可實(shí)現(xiàn)降低反射率的目的，工藝簡(jiǎn)單、良品率高，可有效提高經(jīng)濟(jì)效率。
【IPC分類】G02F1-1333, H01L27-32, G02B5-02, G09F9-00
【公開號(hào)】CN104749667
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310731233
【發(fā)明人】李勃
【申請(qǐng)人】昆山國顯光電有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請(qǐng)日】2013年12月26日