陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示裝置廣泛應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，現(xiàn)有的顯示裝置通?？梢詾楸∧ぞw管液晶顯示器(英文:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱:TFT-1XD)，TFT-1XD以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢(shì)而廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。
[0003]顯示裝置通?？梢园▽?duì)盒成型的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。圖1是相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板00的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1，陣列基板00包括襯底基板001，襯底基板001上形成有多根數(shù)據(jù)線002 (圖1中僅示出一根)和柵線(圖1中未畫(huà)出)，各個(gè)數(shù)據(jù)線和柵線交叉且絕緣，且相鄰的兩根數(shù)據(jù)線002和與該相鄰的兩根數(shù)據(jù)線002相交的相鄰的兩根柵線圍成像素區(qū)(圖1中未畫(huà)出)，每個(gè)像素區(qū)內(nèi)形成有像素電極003和公共電極004，其中，像素電極003可以為板狀電極，公共電極004可以為狹縫電極，數(shù)據(jù)線002與像素電極003位于同一層，公共電極004與數(shù)據(jù)線002位于不同層，且公共電極004位于數(shù)據(jù)線002與像素電極003的上方，公共電極004所在層與數(shù)據(jù)線002所在層之間、數(shù)據(jù)線002所在層與襯底基板001之間都設(shè)置有絕緣層005。由于公共電極004和數(shù)據(jù)線002位于不同層，公共電極004和數(shù)據(jù)線002之間存在一定距離，使得數(shù)據(jù)線002和公共電極004之間形成電場(chǎng)，該電場(chǎng)導(dǎo)致液晶顯示裝置中位于數(shù)據(jù)線002上方以及數(shù)據(jù)線002上方的兩側(cè)的液晶分子無(wú)法有效偏轉(zhuǎn)，造成顯示裝置漏光。相關(guān)技術(shù)中，為了避免數(shù)據(jù)線002和公共電極004之間形成電場(chǎng)，通常在數(shù)據(jù)線002上方設(shè)置屏蔽電極006來(lái)屏蔽數(shù)據(jù)線002的信號(hào)，如圖1所示，屏蔽電極006覆蓋數(shù)據(jù)線002在公共電極004所在層的正投影區(qū)域，其中，且屏蔽電極006可以與公共電極004連接。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:在數(shù)據(jù)線上方設(shè)置屏蔽電極后，屏蔽電極的信號(hào)會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線在承受原有負(fù)載的基礎(chǔ)上，還需要承受由于屏蔽電極的信號(hào)的影響產(chǎn)生的負(fù)載，因此，數(shù)據(jù)線的負(fù)載較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的負(fù)載較大的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0007]襯底基板，
[0008]所述襯底基板上形成有數(shù)據(jù)線；
[0009]形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有第一電極；
[0010]形成有所述第一電極的襯底基板上形成有第一絕緣層；
[0011]形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成有第二電極和屏蔽電極；
[0012]其中，所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影落在所述屏蔽電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)，所述屏蔽電極上形成有至少一個(gè)開(kāi)口，且所述至少一個(gè)開(kāi)口位于所述數(shù)據(jù)線在所述屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0013]可選地，所述屏蔽電極與所述第二電極連接。
[0014]可選地，所述屏蔽電極為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，一端與所述第二電極連接，另一端與所述第二電極未連接，所述屏蔽電極上與所述第二電極連接的位置處形成有至少一個(gè)開(kāi)口，且所述至少一個(gè)開(kāi)口位于所述數(shù)據(jù)線在所述屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0015]可選地，所述開(kāi)口的寬度大于或者等于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0016]可選地，所述屏蔽電極與所述第二電極呈一體結(jié)構(gòu)。
[0017]可選地，所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極位于同一層，
[0018]所述襯底基板上形成有第二絕緣層；
[0019]形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成有所述數(shù)據(jù)線；
[0020]形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成有所述第一電極。
[0021]可選地，所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極位于不同層，
[0022]所述襯底基板上形成有第二絕緣層；
[0023]形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成有所述數(shù)據(jù)線；
[0024]形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有第三絕緣層；
[0025]形成有所述第三絕緣層的襯底基板上形成有所述第一電極。
[0026]可選地，形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接，源極與所述第一電極或者所述第二電極連接。
[0027]可選地，所述第一電極為板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。
[0028]可選地，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極；
[0029]或者，
[0030]所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
[0031]可選地，所述狹縫電極的狹縫在所述襯底基板上的正投影的長(zhǎng)度方向與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影的長(zhǎng)度方向存在夾角。
[0032]第二方面，提供一種陣列基板的制造方法，用于制造第一方面或第一方面任一可選方式所述的陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板，所述陣列基板的制造方法包括:
[0033]在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線；
[0034]在形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極；
[0035]在形成有所述第一電極的襯底基板上形成第一絕緣層；
[0036]在形成有所述第一絕緣層的襯底基板上形成第二電極和屏蔽電極，使所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影落在所述屏蔽電極在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；
[0037]在所述屏蔽電極上形成至少一個(gè)開(kāi)口，使所述至少一個(gè)開(kāi)口位于所述數(shù)據(jù)線在所述屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0038]可選地，所述屏蔽電極與所述第二電極連接。
[0039]可選地，所述屏蔽電極為長(zhǎng)條狀結(jié)構(gòu)，一端與所述第二電極連接，另一端與所述第二電極未連接，
[0040]所述在所述屏蔽電極上形成至少一個(gè)開(kāi)口，使所述至少一個(gè)開(kāi)口位于所述數(shù)據(jù)線在所述屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)，包括:
[0041 ] 在所述屏蔽電極上與所述第二電極連接的位置處形成至少一個(gè)開(kāi)口，使所述至少一個(gè)開(kāi)口位于所述數(shù)據(jù)線在所述屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0042]可選地，所述開(kāi)口的寬度大于或者等于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0043]可選地，所述屏蔽電極與所述第二電極呈一體結(jié)構(gòu)。
[0044]可選地，所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極位于同一層，
[0045]在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線之前，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0046]在所述襯底基板上形成第二絕緣層；
[0047]所述在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線，包括:
[0048]在形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成所述數(shù)據(jù)線；
[0049]所述在形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極，包括:
[0050]在形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成所述第一電極。
[0051]可選地，所述數(shù)據(jù)線與所述第一電極位于不同層，
[0052]在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線之前，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0053]在所述襯底基板上形成第二絕緣層；
[0054]所述在所述襯底基板上形成數(shù)據(jù)線，包括:
[0055]在形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成所述數(shù)據(jù)線；
[0056]在形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極之前，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0057]在形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第三絕緣層；
[0058]所述在形成有所述數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極，包括:
[0059]在形成有所述第三絕緣層的襯底基板上形成所述第一電極。
[0060]可選地，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0061]在形成有所述第二絕緣層的襯底基板上形成薄膜晶體管，使所述薄膜晶體管的漏極與所述數(shù)據(jù)線連接，源極與所述第一電極或者所述第二電極連接。
[0062]可選地，所述第一電極為板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。
[0063]可選地，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極；
[0064]或者，
[0065]所述板狀電極為公共電極，所述狹縫電極為像素電極。
[0066]可選地，所述狹縫電極的狹縫在所述襯底基板上的正投影的長(zhǎng)度方向與所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影的長(zhǎng)度方向存在夾角。
[0067]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:第一方面或第一方面任一可選方式所述的陣列基板。
[0068]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0069]本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，陣列基板包括:襯底基板，襯底基板上形成有數(shù)據(jù)線；形成有數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有第一電極；形成有第一電極的襯底基板上形成有第一絕緣層；形成有第一絕緣層的襯底基板上形成有第二電極和屏蔽電極；數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影落在屏蔽電極在襯底基板上的正投影內(nèi)，屏蔽電極上形成有至少一個(gè)開(kāi)口，且至少一個(gè)開(kāi)口位于數(shù)據(jù)線在屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明通過(guò)在屏蔽電極上形成開(kāi)口，減小了屏蔽電極與數(shù)據(jù)線的正對(duì)面積，進(jìn)而減小了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)的影響，解決了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的負(fù)載較大的問(wèn)題，達(dá)到了降低數(shù)據(jù)線的負(fù)載的效果。
[0070]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說(shuō)明】
[0071]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0072]圖1是相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0073]圖2是相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板