[0180]請(qǐng)參考圖18，其示出的是在屏蔽電極024上形成至少一個(gè)開口 0241后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，屏蔽電極024可以為長條狀結(jié)構(gòu)，屏蔽電極024的一端可以與第二電極023連接，另一端與第二電極023未連接，這樣可以減小屏蔽電極024與第二電極023連接部位的寬度，使得屏蔽電極024對(duì)第二電極023的影響減小，可以在屏蔽電極024上與第二電極023連接的位置處形成至少一個(gè)開口 0241，使至少一個(gè)開口 0241位于數(shù)據(jù)線022在屏蔽電極024的正投影區(qū)域內(nèi)。可選地，開口 0241的寬度可以大于或者等于數(shù)據(jù)線022的寬度。
[0181]具體地，可以采用曝光工藝對(duì)屏蔽電極024進(jìn)行曝光，使屏蔽電極024上與第二電極023連接的位置處形成完全曝光區(qū)域，之后采用顯影工藝去除該完全曝光區(qū)域的屏蔽電極，形成至少一個(gè)開口 0241。
[0182]在步驟1207中，在形成有第二絕緣層的襯底基板上形成薄膜晶體管，使薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線位于同一層。
[0183]其中，在形成有第二絕緣層的襯底基板上形成薄膜晶體管后的結(jié)構(gòu)示意圖可以參考圖6，其中，薄膜晶體管可以包括源極、柵極和漏極，該源極可以與數(shù)據(jù)線022連接，柵極可以與柵線021連接，漏極可以與第一電極或第二電極連接，該薄膜晶體管025還可以包括柵絕緣層、有源層等結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0184]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法步驟的先后順序可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進(jìn)行相應(yīng)增減，示例地，步驟1207可以位于步驟1201之前，在襯底基板020上形成柵線后形成薄膜晶體管，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，因此不再贅述。
[0185]還需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法可以適用于高級(jí)超維轉(zhuǎn)換(英文:ADvanced Super Dimens1n Switch，簡稱:ADS)型、平面轉(zhuǎn)換(英文:In-PlaneSwitching，簡稱:IPS)型、扭曲向列(英文:Twist Nematic，簡稱:TN)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0186]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線，在形成有數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極，在形成有第一電極的襯底基板上形成第一絕緣層，在形成有第一絕緣層的襯底基板上形成第二電極和屏蔽電極，使數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影落在屏蔽電極在襯底基板上的正投影內(nèi)，在屏蔽電極上形成至少一個(gè)開口，使至少一個(gè)開口位于數(shù)據(jù)線在屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例通過在屏蔽電極上形成開口，減小了屏蔽電極與數(shù)據(jù)線的正對(duì)面積，進(jìn)而減小了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)的影響，解決了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的負(fù)載較大的問題，達(dá)到了降低數(shù)據(jù)線的負(fù)載的效果。
[0187]由于形成屏蔽電極后，屏蔽電極與第二電極位于同一層，數(shù)據(jù)線的信號(hào)也會(huì)對(duì)屏蔽電極的信號(hào)造成干擾，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)第二電極的信號(hào)的影響，若數(shù)據(jù)線的信號(hào)的波動(dòng)較大，則會(huì)導(dǎo)致第二電極的信號(hào)的波動(dòng)較大，進(jìn)而導(dǎo)致采用該陣列基板形成的顯示裝置的屏幕出現(xiàn)Greenish、flicker等現(xiàn)象。而本發(fā)明實(shí)施例通過在屏蔽電極上形成開口，減小了數(shù)據(jù)線與屏蔽電極的正對(duì)面積，進(jìn)而減小了數(shù)據(jù)線上的信號(hào)對(duì)屏蔽電極的信號(hào)的影響，從而減小了對(duì)第二電極的信號(hào)的影響，避免采用該陣列基板形成的顯示裝置的屏幕出現(xiàn)Greenish、flicker等現(xiàn)象。
[0188]請(qǐng)參考圖19，其示出了本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法的方法流程圖，該陣列基板的制造方法可以用于制造圖3至圖10任一所示的陣列基板，且在本發(fā)明實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線與第一電極可以位于同一層，也可以位于不同層，本實(shí)施例以數(shù)據(jù)線與第一電極位于同一層為例進(jìn)行說明，本實(shí)施例以該陣列基板的制造方法應(yīng)用于圖9所示的陣列基板02為例進(jìn)行說明。
[0189]其中，該陣列基板02可以包括:襯底基板020，襯底基板020可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅(jiān)固性的導(dǎo)光且非金屬材料制成的基板。在本發(fā)明實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線與第一電極可以位于同一層，也可以位于不同層，本實(shí)施例以數(shù)據(jù)線與第一電極位于不同層為例進(jìn)行說明，參見圖19，該陣列基板的制造方法可以包括如下幾個(gè)步驟:
[0190]在步驟1901中，在襯底基板上形成第二絕緣層。
[0191]該步驟1901與圖12所示實(shí)施例中的步驟1201相同或類似，其實(shí)現(xiàn)過程可以參考圖12所示實(shí)施例中的步驟1201，本實(shí)施例在此不再贅述。
[0192]在步驟1902中，在形成有第二絕緣層的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線。
[0193]該步驟1902與圖12所示實(shí)施例中的步驟1202相同或類似，其實(shí)現(xiàn)過程可以參考圖12所示實(shí)施例中的步驟1202，本實(shí)施例在此不再贅述。
[0194]在步驟1903中，在形成有數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第三絕緣層。
[0195]請(qǐng)參考圖20，其示出的是在形成有數(shù)據(jù)線022的襯底基板020上形成第三絕緣層029后的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0196]具體地，可以采用涂覆、磁控濺射、熱蒸發(fā)或者PECVD等方法在形成有數(shù)據(jù)線022的襯底基板020上沉積一層具有一定厚度的光刻膠薄膜，采用掩模板對(duì)光刻膠薄膜進(jìn)行曝光，使光刻膠薄膜形成完全曝光區(qū)和非曝光區(qū)，之后采用顯影工藝處理，使完全曝光區(qū)的光刻膠薄膜被完全去除，非曝光區(qū)域的光刻膠薄膜全部保留，烘烤處理后形成第三絕緣層029。其中，第三絕緣層029可以選用氧化物、氮化物或氧氮化合物生成，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、隊(duì)的混合氣體或SiH 2C12、NH3、隊(duì)的混合氣體。
[0197]其中，在形成有數(shù)據(jù)線022的襯底基板020上形成第三絕緣層029，使得數(shù)據(jù)線022與后續(xù)的第一電極026之間彼此絕緣。
[0198]在步驟1904中，在形成有第三絕緣層的襯底基板上形成第一電極。
[0199]圖21是圖19所示實(shí)施例提供的在形成有第三絕緣層029的襯底基板020上形成第一電極026后的結(jié)構(gòu)不意圖。
[0200]在步驟1905中，在形成有第一電極的襯底基板上形成第一絕緣層。
[0201]圖22是圖19所示實(shí)施例提供的在形成有第一電極026的襯底基板020上形成第一絕緣層027后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0202]在步驟1906中，在形成有第一絕緣層的襯底基板上形成第二電極和屏蔽電極，使數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影落在屏蔽電極在襯底基板上的正投影內(nèi)。
[0203]圖23是圖19所示實(shí)施例提供的在形成有第一絕緣層027的襯底基板020上形成第二電極023和屏蔽電極024后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0204]在步驟1907中，在屏蔽電極上形成至少一個(gè)開口，使至少一個(gè)開口位于數(shù)據(jù)線在屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。
[0205]圖24是圖19所示實(shí)施例提供的在屏蔽電極024上形成至少一個(gè)開口 0241后的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0206]在步驟1908中，在形成有第二絕緣層的襯底基板上形成薄膜晶體管，使薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線位于同一層。
[0207]上述步驟1904至步驟1908與圖12所示實(shí)施例中的步驟1203至步驟1207相同或者類似，其實(shí)現(xiàn)過程可以參考圖12所示實(shí)施例中的步驟1203至步驟1207，各個(gè)步驟中的構(gòu)圖工藝可以包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，本實(shí)施例在此不再贅述。
[0208]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法步驟的先后順序可以進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，步驟也可以根據(jù)情況進(jìn)行相應(yīng)增減，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化的方法，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，因此不再贅述。
[0209]還需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法可以適用于ADS型、IPS型、TN型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。ADS技術(shù)通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0210]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，通過在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線，在形成有數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成第一電極，在形成有第一電極的襯底基板上形成第一絕緣層，在形成有第一絕緣層的襯底基板上形成第二電極和屏蔽電極，使數(shù)據(jù)線在襯底基板上的正投影落在屏蔽電極在襯底基板上的正投影內(nèi)，在屏蔽電極上形成至少一個(gè)開口，使至少一個(gè)開口位于數(shù)據(jù)線在屏蔽電極的正投影區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例通過在屏蔽電極上形成開口，減小了屏蔽電極與數(shù)據(jù)線的正對(duì)面積，進(jìn)而減小了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)的影響，解決了屏蔽電極的信號(hào)對(duì)數(shù)據(jù)線上的信號(hào)產(chǎn)生影響，導(dǎo)致數(shù)據(jù)線的負(fù)載較大的問題，達(dá)到了降低數(shù)據(jù)線的負(fù)載的效果。
[0211]由于形成屏蔽電極后，屏蔽電極與第二電極位于同一層，數(shù)據(jù)線的信號(hào)也會(huì)對(duì)屏蔽電極的信號(hào)造成干擾，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)第二電極的信號(hào)的影響，若數(shù)據(jù)線的信號(hào)的波動(dòng)較大，則會(huì)導(dǎo)致第二電極的信號(hào)的波動(dòng)較大，進(jìn)而導(dǎo)致采用該陣列基板形成的顯示裝置的屏幕出現(xiàn)Greenish、flicker等現(xiàn)象。而本發(fā)明實(shí)施例通過在屏蔽電極上形成開口，減小了數(shù)據(jù)線與屏蔽電極的正對(duì)面積，進(jìn)而減小了數(shù)據(jù)線上的信號(hào)對(duì)屏蔽電極的信號(hào)的影響，從而減小了對(duì)第二電極的信號(hào)的影響，避免采用該陣列基板形成的顯示裝置的屏幕出現(xiàn)Greenish、flicker等現(xiàn)象。
[0212]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，該顯示裝置可以包括:圖3至圖10任一所示的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管(英文=OrganicLight-Emitting D1de，簡稱:0LED)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0213]示例地，請(qǐng)參考圖25，其示出了本