液晶顯示面板及其像素充電電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種液晶顯示面板及其像素充電電路。
【背景技術】
[0002]液晶顯示器具有驅動電壓和功耗低、體積小、重量輕、無輻射等一系列優(yōu)點，受到了廣泛的重視，發(fā)展非常迅速，已經(jīng)成為平板顯示器的主流技術。
[0003]在現(xiàn)有的液晶顯示器的像素充電電路中，利用簡單的NMOS管或者PMOS管進行門開關的控制時，由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，電路的輸出信號會發(fā)生一定的變形，使得充電的像素不能保持理想的電位，從而影響面板的顯示效果。
[0004]因此亟需一種像素充電電路，在保證像素正常充電工作的前提下，能夠有效地降低由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，從而提高液晶顯示面板的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術問題之一是需要提供一種能夠有效地降低由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，從而提高顯示效果的像素充電電路。
[0006]為了解決上述技術問題，本發(fā)明的實施例首先提供了一種像素充電電路，包括:像素電路，其包括多個子像素，每個子像素包括與柵極線連接的第一開關；多路選擇器，其包括多個選擇模塊，所述多個選擇模塊的一端與同一數(shù)據(jù)信號輸出端連接，另一端分別與不同的子像素連接，每個選擇模塊在被選通后向對應的子像素提供數(shù)據(jù)信號進行像素充電，每個選擇模塊包括:第二開關；時鐘信號控制端，其輸出時鐘信號以控制所述第二開關的開啟和關閉；其中，所述第一開關與所述第二開關彼此互補，在進行像素充電時能夠消除所述柵極線和所述時鐘信號控制端輸出的信號跳變時所帶來的數(shù)據(jù)信號的誤差。
[0007]優(yōu)選地，所述第一開關為NMOS薄膜晶體管，所述第二開關為PMOS薄膜晶體管。
[0008]優(yōu)選地，所述第一開關為PMOS薄膜晶體管，所述第二開關為NMOS薄膜晶體管。
[0009]優(yōu)選地，所述第一開關和所述第二開關為基于LTPS的NMOS薄膜晶體管或PMOS薄膜晶體管。
[0010]本申請的實施例還提供了一種液晶顯示面板，其包括像素充電電路，所述像素充電電路包括:像素電路，其包括多個子像素，每個子像素包括與柵極線連接的第一開關；多路選擇器，其包括多個選擇模塊，所述多個選擇模塊的一端與同一數(shù)據(jù)信號輸出端連接，另一端分別與不同的子像素連接，每個選擇模塊在被選通后向對應的子像素提供數(shù)據(jù)信號進行像素充電，每個選擇模塊包括:第二開關；時鐘信號控制端，其輸出時鐘信號以控制所述第二開關的開啟和關閉；其中，所述第一開關與所述第二開關彼此互補，在進行像素充電時能夠消除所述柵極線和所述時鐘信號控制端輸出的信號跳變時所帶來的數(shù)據(jù)信號的誤差。
[0011]優(yōu)選地，所述第一開關為NMOS薄膜晶體管，所述第二開關為PMOS薄膜晶體管。
[0012]優(yōu)選地，所述第一開關為PMOS薄膜晶體管，所述第二開關為NMOS薄膜晶體管。
[0013]優(yōu)選地，所述第一開關和所述第二開關為基于LTPS的NMOS薄膜晶體管或PMOS薄膜晶體管。
[0014]與現(xiàn)有技術相比，上述方案中的一個或多個實施例可以具有如下優(yōu)點或有益效果O
[0015]本發(fā)明實施例提供的像素充電電路，采用N/PM0S混搭的設計，利用NMOS晶體管和PMOS晶體管互補的特性，在保證像素正常充電的前提下，有效地降低了由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，提高了像素的充電能力，使得像素能夠保持理想的電位，提升液晶顯不面板的顯不效果。
[0016]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明的技術方案而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構和/或流程來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0017]附圖用來提供對本申請的技術方案或現(xiàn)有技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，其中，表達本申請實施例的附圖與本申請的實施例一起用于解釋本申請的技術方案，但并不構成對本申請技術方案的限制:
[0018]圖1為本發(fā)明實施例的液晶顯示面板的的區(qū)域分布示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明第一實施例的像素充電電路的結構示意圖；
[0020]圖3為圖2所示的像素充電電路的波形時序圖；
[0021]圖4為本發(fā)明第二實施例的像素充電電路的結構示意圖；
[0022]圖5為圖4所示的像素充電電路的波形時序圖。
【具體實施方式】
[0023]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，以下結合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細說明。
[0024]第一實施例
[0025]圖1是液晶顯示面板的區(qū)域分布示意圖。如圖1所示，該液晶顯示面板的區(qū)域包括:AA區(qū)域10、G0A區(qū)域20、扇出(Fanout)區(qū)域30、多路選擇器(Demux)區(qū)域40、W0A區(qū)域50、IC區(qū)域60和FPC區(qū)域70。
[0026]其中，AA區(qū)域(Ative Area) 10為有效顯示區(qū)域，一般指顯示圖形的區(qū)域，該區(qū)域包含多個子像素。GOA區(qū)域20，即Gate On Array，用于產(chǎn)生面板內(nèi)TFT的柵極驅動信號。Fanout區(qū)域30，用于IC與AA區(qū)域10中的數(shù)據(jù)線的走線連接。Demux區(qū)域40，設置了多路選擇器，用于將從IC區(qū)域60引出的數(shù)據(jù)線進行拆分，供多條數(shù)據(jù)線的驅動。WOA區(qū)域50，即Wire On Array，用于面板周圍走線的連接。IC區(qū)域60，用于IC的綁定(Bonding)，通過IC驅動面板內(nèi)的電路和TFT。FPC區(qū)域70，用于FPC的綁定(Bonding)，通過FPC連接手機主板。
[0027]在一般的液晶顯示面板設計中，數(shù)據(jù)線從IC區(qū)域60引出，經(jīng)過Fanout區(qū)域30輸入到AA區(qū)域10的像素充電電路中。該像素充電電路包括多路選擇器和像素電路，其中，多路選擇器的作用是利用分時開關的原理使用一條數(shù)據(jù)線控制三列子像素的充電。在現(xiàn)有的多路選擇器和像素電路中，一般會采用相同類型的晶體管作為開關器件，例如，多路選擇器中使用NMOS薄膜晶體管(PM0S薄膜晶體管)進行多路選擇器的控制，同時像素電路中的開關采用NMOS薄膜晶體管(PM0S薄膜晶體管)。然而，利用這種單純的NMOS或者PMOS薄膜晶體管進行門開關的控制時，由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，電路的輸出信號會發(fā)生一定的變形，使得充電的像素不能保持理想的電位，從而影響整個驅動面板的顯示效果。
[0028]具體來說，在多路選擇器中，作為開關的晶體管存在寄生電容Cgs和Cgd。當晶體管的柵極有開關變化時，寄生電容會使得晶體管的輸出端隨著柵極線輸出的信號的跳變發(fā)生相應的改變。在像素電路中，作為開關的晶體管存在寄生電容Cgs和Cgd。當柵極驅動信號發(fā)生改變時，由于電容的耦合效應，會使得存儲電容的電位發(fā)生相應的改變。
[0029]也就是說，在對像素進行充電的過程中，像素在最后的階段不能保持理想的電位，像素的電位會受到兩次開關信號的影響。第一次像素電位的變化是由于多路選擇器中的時鐘控制信號CK由高電平到低電平跳變的影響，此時像素電位被耦合(Couple)到一個稍低的電位。第二次像素電位的變化是由于柵極線輸出的柵極驅動信號從高電平到低電平跳變的影響，此時像素電位被耦合(Couple)到一個更低的電位。因此，單純NMOS或者PMOS所構成的像素充電電路會影響像素的充電電位，使得共同電位發(fā)生一定的漂移，從而影響面板的顯示效果。
[0030]本發(fā)明實施例主要目的是提供一種像素充電電路，該電路在保證正常對像素進行充電的前提下，能夠有效的降低由于晶體管本身固有的寄生電容的電容耦合效應的影響，使像素充電電位保持理想電位，從而提高顯示效果。
[0031]圖2為本發(fā)明第一實施例的像素充電電路的結構示意圖。下面參考圖2來詳細說明該像素充電電路的結構。
[0032]如圖2所示，像素充電電路包括多路選擇器110和像素電路120。多路選擇器110包括多個(一般是至少3個)選擇模塊例如110A、1 1B及110C，多個選擇模塊的一端與同一數(shù)據(jù)信號輸出端DATA連接，另一端分別與像素電路120中不同的子像素連接，每個選擇模塊在被選通后向對應