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      正負(fù)相移雙金屬波帶片的制作方法

      文檔序號(hào):9373858閱讀:308來(lái)源:國(guó)知局
      正負(fù)相移雙金屬波帶片的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及X射線顯微成像領(lǐng)域,更具體地涉及一種正負(fù)相移雙金屬波帶片。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 波帶片是X射線波段最常用的衍射光學(xué)元件之一,常用來(lái)聚焦X射線以及充當(dāng) 成像系統(tǒng)的物鏡。波帶片實(shí)質(zhì)上就是一圓形的衍射光學(xué)元件,它是由線密度徑向增加的 明暗相間的同心圓環(huán)構(gòu)成(如圖1所示)。根據(jù)菲涅爾圓孔衍射理論,如果半徑按式子 (η為環(huán)數(shù),λ為波長(zhǎng),f為焦距),把圓孔連續(xù)分割成一個(gè)個(gè)環(huán)帶,把奇數(shù)或者 偶數(shù)環(huán)帶遮住,就構(gòu)成一個(gè)菲涅爾波帶片。構(gòu)成波帶片的環(huán)帶稱為半波帶,任意兩個(gè)相鄰半 波帶到達(dá)焦點(diǎn)的光程差為λ/2。這意味著通過(guò)兩個(gè)相鄰半波帶的光波到達(dá)焦點(diǎn)時(shí)的相位 差為η,在焦點(diǎn)處會(huì)發(fā)生相互減弱的干涉。因此,波帶片由透明和不透明相間的半波帶構(gòu) 成,達(dá)到相干增強(qiáng)的目的。如果把波帶片不透明半波帶變成相移η的透明半波帶,即產(chǎn)生 光程為λ/2的透明半波帶,這樣通過(guò)兩個(gè)相鄰半波帶的光波到達(dá)焦點(diǎn)時(shí)的相位差不是0就 是2 π,通過(guò)波帶片的光將全部在焦點(diǎn)處形成相互加強(qiáng)的干涉,這就是普通相位型波帶片的 原理。[參考:同步輻射光源及其應(yīng)用,下冊(cè),Ρ686]
      [0003] 波帶片兩個(gè)最重要的參數(shù)是最外環(huán)寬度以及環(huán)厚度。波帶片成像系統(tǒng)的空間分辨 率(Λ)由波帶片的最外環(huán)寬度(dr N)決定,Λ= 1.22drN。在一定范圍內(nèi),波帶片的衍射 效率隨著環(huán)厚度的增加而提高。然而,目前限制波帶片發(fā)展的一個(gè)重要因素是高寬比,由于 加工技術(shù)等因素,波帶片的最外環(huán)寬度與環(huán)厚度之間存在矛盾。現(xiàn)階段波帶片的最外環(huán)寬 度無(wú)法做到更小,或者高分辨的波帶片效率無(wú)法做到很高。因此,波帶片成像系統(tǒng)的空間分 辨率出現(xiàn)了瓶頸(硬X射線:30nm ;水窗:10nm)。
      [0004] 物質(zhì)的折射率可表示為η = 1- δ +i β,其中δ為相位項(xiàng),β為吸收項(xiàng)。在某些 特定的能量下,一種物質(zhì)的S和β都會(huì)發(fā)生突變,而其中的相位項(xiàng)δ可能會(huì)出現(xiàn)負(fù)值。對(duì) 于利用元素相移特性制作的相位型波帶片來(lái)說(shuō),負(fù)值相移的出現(xiàn),很可能帶來(lái)新的突破。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 在本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種正負(fù)相移雙金屬波帶片,所述正負(fù)相移雙金屬波 帶片包含:
      [0006] 第一金屬材料,所述第一金屬材料具有正相移;
      [0007] 第二金屬材料,所述第二金屬材料在工作能量點(diǎn)具有負(fù)相移;
      [0008] 所述第一金屬材料與所述第二金屬材料交替排列,以使得所述第二金屬材料替代 傳統(tǒng)波帶片的一個(gè)周期中的空白部分。
      [0009] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片是環(huán)形的,所述第一 金屬材料與所述第二金屬材料形成交替的環(huán)結(jié)構(gòu)。
      [0010] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述第一金屬材料常選自鎳、金、鍺、鈦、釩、鉻、 猛、鐵、鉆、銅、鋒等。
      [0011] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述第二金屬材料選自鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、 銅、鋅、鎵、鍺、鉿、鶴、錸和鋨等。
      [0012] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片在與普通單金屬相位 波帶片厚度相同的情況下,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片的衍射效率高于所述普通單金屬相 位波帶片的衍射效率。
      [0013] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片為釩鎳雙金屬新型波 帶片。
      [0014] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片的厚度為10~ 500nm,因波帶片分辨率不同而不同,在加工條件允許的情況下盡可能選擇高的厚度。
      [0015] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片的結(jié)構(gòu)中不存在空心 部分,這種結(jié)構(gòu)可以避免普通波帶片可能坍塌的問(wèn)題。
      [0016] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片的效率與環(huán)厚度直接 相關(guān),在一定范圍內(nèi),波帶片的衍射效率隨著環(huán)厚度的增加而提商。對(duì)于商分辨(30nm以 下)波帶片,由于高寬比的限制,環(huán)高度暫時(shí)無(wú)法做到太高,衍射效率受到限制。
      [0017] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述正負(fù)相移雙金屬波帶片的工作能量根據(jù)波帶 片材料不同而限定于不同的能量點(diǎn)。其原因是不同金屬的負(fù)相移出現(xiàn)在不同狹窄能量段 (幾個(gè)eV)。
      [0018] 本發(fā)明的另一個(gè)方面提供一種制備正負(fù)相移雙金屬波帶片的方法,所述方法包括 以下步驟:
      [0019] a.在基片上沉積第一金屬材料的薄膜;
      [0020] b.在第一金屬材料的薄膜上形成具有波帶片結(jié)構(gòu)的光刻膠;
      [0021] c.經(jīng)由所形成的具有波帶片結(jié)構(gòu)的光刻膠進(jìn)行刻蝕,將波帶片結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至所述第 一金屬材料的薄膜上,形成第一金屬材料的波帶片結(jié)構(gòu);
      [0022] d.在刻蝕出的空隙處沉積第二金屬材料;
      [0023] e.去除光刻膠,形成正負(fù)相移雙金屬波帶片結(jié)構(gòu)。
      [0024] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述光刻膠通過(guò)旋涂涂布,之后對(duì)其進(jìn)行電子束 曝光,從而形成具有波帶片結(jié)構(gòu)的光刻膠。
      [0025] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述步驟d中的刻蝕通過(guò)氬離子刻蝕和各種反應(yīng) 離子刻蝕進(jìn)行。
      [0026] 在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方案中,所述方法還包括在步驟e得到的正負(fù)相移雙金屬 波帶片結(jié)構(gòu)背面開(kāi)窗,獲得正負(fù)相移雙金屬波帶片。
      【附圖說(shuō)明】
      [0027] 圖1是傳統(tǒng)波帶片結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0028] 圖2是正負(fù)相移雙金屬波帶片結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0029] 圖3是能量為511. 9eV時(shí),普通鎳波帶片和釩鎳雙金屬波帶片一級(jí)衍射效率與材 料厚度關(guān)系;
      [0030] 圖4是厚度為140nm情況下,釩鎳雙金屬波帶片一級(jí)衍射效率與能量的關(guān)系圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0031] 本發(fā)明提出一種新型相位波帶片,該波帶片能達(dá)到兩種效果:1)能夠降低達(dá)到最 大一級(jí)衍射效率時(shí)所需金屬厚度;2)在不增加環(huán)高度的情況下提高波帶片的衍射效率。 本發(fā)明的主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn)是利用兩種金屬交替的結(jié)構(gòu)取代傳統(tǒng)的單金屬波帶片,在工作能量 點(diǎn),其中一種金屬的相移為正數(shù)而另一種金屬相移為負(fù)值。我們稱之為"正負(fù)相移雙金屬波 帶片"。
      [0032] 不同于傳統(tǒng)的波帶片,我們利用另一種材料替代了傳統(tǒng)波帶片一個(gè)周期中的空白 部分,所選的替代材料要求在工作能量點(diǎn)出現(xiàn)負(fù)值相移,這樣一來(lái),要達(dá)到相鄰環(huán)帶產(chǎn)生的 相位差為η所需的材料厚度可以降低,從而降低制作波帶片的難度。該新型波帶片結(jié)構(gòu)如 圖2所示,其環(huán)半徑同樣由公式/; (η為環(huán)數(shù),λ為波長(zhǎng),f為焦距)計(jì)算得出。從 結(jié)構(gòu)上看,與圖1所示傳統(tǒng)波帶片相比,圖2增加了一種在工作能量處相移為負(fù)值的材料, 其中負(fù)值相移材料可以為結(jié)構(gòu)圖中的任意一種。
      [0033] 多數(shù)金屬在特定的能量會(huì)出現(xiàn)負(fù)數(shù)相移的情況,這些能量點(diǎn)在本文被稱為工作能 量點(diǎn)。例如鈦(453eV)、釩(512eV)、鉻(574eV)、錳(638eV)、鐵(706eV)、鈷(778eV)、鎳 (852eV)、銅(932eV)、鋅(1022eV)、鎵(1116eV)、鍺(1217eV)、鉿(1661eV)、鎢(1809eV)、錸 (1883eV)、鋨(1960eV)等金屬都會(huì)在對(duì)應(yīng)的能量附近出現(xiàn)負(fù)數(shù)相移。理論上這些金屬都可 以用來(lái)制作工作在不同能量的正負(fù)相移雙金屬波帶片。
      [0034] 計(jì)算表明,相比于傳統(tǒng)的單金屬相位波帶片,正負(fù)相移雙金屬波帶片出現(xiàn)一級(jí)衍 射效率峰值所需的金屬厚度更低,并且能保持其峰值效率與單金屬峰值效率相當(dāng)。因此,我 們實(shí)現(xiàn)降低制作波帶片難度的同時(shí),保持了高的衍射效率。而且,在相同的波帶片厚度下 (分辨率優(yōu)于150nm的情況),正負(fù)相移雙金屬
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