金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的光學(xué)臨近效應(yīng)修正技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路設(shè)計(jì)和制造進(jìn)入超深亞微米階段，光學(xué)臨近效應(yīng)造成的光刻圖形變形和失真現(xiàn)象嚴(yán)重影響電路性能和產(chǎn)品良率，如相同圖形處于密集環(huán)境和孤立環(huán)境時(shí)的尺寸差異，關(guān)鍵尺寸圖形斷線或橋接等。為了解決上述問題，一種有效的方法是光學(xué)臨近效應(yīng)修正。光學(xué)臨近效應(yīng)修正過程中會(huì)檢查圖形尺寸和間距，并對超出規(guī)格范圍的工藝弱點(diǎn)進(jìn)行報(bào)警。
[0003]金屬硬掩模一體化刻蝕(metal hard mask all in one)工藝以其在刻蝕選擇性、關(guān)鍵尺寸控制等方面的顯著優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于金屬層及下層通孔層刻蝕中，如圖1所示，其工藝流程為:首先進(jìn)行金屬層光刻，然后進(jìn)行硬掩?？涛g并去除光刻膠，再做通孔層光刻，隨后進(jìn)行部分孔刻蝕并去除光刻膠，最后是金屬層與通孔層一體化刻蝕，主要特點(diǎn)為金屬層與下層通孔層刻蝕一步完成。
[0004]在實(shí)際版圖中經(jīng)常會(huì)有裸露在金屬層外的通孔層存在，而由于光學(xué)臨近效應(yīng)造成的偏差，這種情況下，在金屬硬掩模一體化刻蝕工藝中會(huì)產(chǎn)生橋接現(xiàn)象，原因是通孔層部分孔刻蝕時(shí)會(huì)刻穿硬掩模，導(dǎo)致金屬層圖形之間的溝槽尺寸縮小。如圖2A至2D所示，圖2A中x為版圖要求尺寸，由于光學(xué)臨近效應(yīng)造成了光刻的偏差造成了通孔層位置的偏移，在圖2B中的部分孔刻蝕過程中，會(huì)將部分需要保留的硬掩?？涛g掉，在圖2C去除光刻膠步驟之后，圖2D中y為金屬硬掩模一體化刻蝕后晶圓上實(shí)際尺寸，由圖可清楚的看出，晶圓上實(shí)際尺寸1遠(yuǎn)小于版圖要求尺寸X。若該版圖要求尺寸為最小設(shè)計(jì)規(guī)則，就會(huì)產(chǎn)生橋接現(xiàn)象。
[0005]因此，如何提供一種能夠檢測由光學(xué)臨近效應(yīng)引起的金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的方法，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明提供一種金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法，通過在金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正后的模擬圖形中導(dǎo)入金屬硬掩模一體化刻蝕的相關(guān)通孔層，合并金屬層和通孔層的刻蝕模擬圖形，用于檢測到整個(gè)金屬硬掩模一體化刻蝕中有橋接風(fēng)險(xiǎn)的位置，以便在掩模板制造前加以修正。
[0007]本發(fā)明提供的金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法，其包括以下步驟:
[0008]步驟S01，提供待進(jìn)行金屬硬掩模一體化刻蝕的版圖；
[0009]步驟S02，導(dǎo)入所述版圖中金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對其進(jìn)行模擬得到光刻后金屬層模擬圖形；
[0010]步驟S03，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立所述金屬層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S02得到的光刻后金屬層模擬圖形與金屬層刻蝕變化量模型，得到金屬層刻蝕模擬圖形；
[0011]步驟S04，導(dǎo)入所述金屬硬掩模一體化刻蝕中相關(guān)的通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對其進(jìn)行模擬得到光刻后通孔層模擬圖形；
[0012]步驟S05，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立所述通孔層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S04得到的光刻后通孔層模擬圖形與通孔層刻蝕變化量模型，得到通孔層刻蝕模擬圖形；
[0013]步驟S06，將步驟S03得到的金屬層刻蝕模擬圖形與步驟S05得到的通孔層刻蝕模擬圖形合并；
[0014]步驟S07，判斷所述相關(guān)的通孔層中是否存在與相鄰金屬層的間距小于一預(yù)設(shè)閾值的通孔層；
[0015]步驟S08，若存在，則將該通孔層作為橋接熱點(diǎn)輸出；若不存在，則判斷為無橋接。
[0016]進(jìn)一步地，步驟S06包括將所述金屬層刻蝕模擬圖形與通孔層刻蝕模擬圖形的圖片疊加合并。
[0017]進(jìn)一步地，步驟S06包括將所述金屬層刻蝕模擬圖形中金屬層的位置信息與所述通孔層刻蝕模擬圖形中通孔層的位置信息進(jìn)行疊加合并。
[0018]進(jìn)一步地，步驟S07還包括測量所述相關(guān)的通孔層與相鄰金屬層的間距，并與預(yù)設(shè)閾值相比較。
[0019]進(jìn)一步地，所述間距為通孔層與每個(gè)與其相鄰的金屬層的最近距離。
[0020]進(jìn)一步地，每個(gè)所述相關(guān)通孔層與每個(gè)相鄰金屬層的最近距離都具有預(yù)設(shè)閾值。
[0021]進(jìn)一步地，步驟S02包括根據(jù)所述金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與所述金屬層光刻的目標(biāo)結(jié)果進(jìn)行模擬，得到光刻后金屬層模擬圖形。
[0022]進(jìn)一步地，步驟S04包括根據(jù)所述通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與所述通孔層光刻的目標(biāo)結(jié)果進(jìn)行模擬，得到光刻后通孔層模擬圖形。
[0023]進(jìn)一步地，所述檢測方法還包括步驟S09，對檢測出橋接的熱點(diǎn)進(jìn)行處理，并重復(fù)步驟S02至步驟S08。
[0024]本發(fā)明提供的金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法，通過在金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正、并經(jīng)過實(shí)際刻蝕變化量調(diào)整后的金屬層刻蝕模擬圖形中，導(dǎo)入金屬硬掩模一體化刻蝕的相關(guān)通孔層的經(jīng)過光學(xué)臨近效應(yīng)修正、并經(jīng)過實(shí)際刻蝕變化量調(diào)整后的通孔層刻蝕模擬圖形，合并金屬層和通孔層的刻蝕模擬圖形，可以判斷每個(gè)相關(guān)通孔層和相鄰金屬層的間距，從而檢測整個(gè)金屬硬掩模一體化刻蝕中是否有橋接風(fēng)險(xiǎn)的位置，以便在掩模板制造前加以修正。
【附圖說明】
[0025]為能更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，其中:
[0026]圖1是現(xiàn)有金屬硬掩模一體化刻蝕的工藝方法；
[0027]圖2A至2D是現(xiàn)有金屬硬掩模一體化刻蝕工藝中發(fā)生橋接現(xiàn)象過程的示意圖；
[0028]圖3是本發(fā)明金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置檢測方法的流程示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明檢測方法中光刻后金屬層模擬圖形；
[0030]圖5是本發(fā)明檢測方法中金屬層刻蝕模擬圖形；
[0031]圖6是本發(fā)明檢測方法中光刻后通孔層模擬圖形；
[0032]圖7是本發(fā)明檢測方法中通孔層刻蝕模擬圖形；
[0033]圖8是本發(fā)明檢測方法中金屬層刻蝕模擬圖形與通孔層刻蝕模擬圖形合并示意圖；
[0034]圖9是本發(fā)明檢測方法中橋接熱點(diǎn)處理后的合并示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]請同時(shí)參閱圖3至圖9，本實(shí)施例的金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測方法具體包括以下步驟:
[0036]步驟S01，提供待進(jìn)行金屬硬掩模一體化刻蝕的版圖。
[0037]步驟S02，導(dǎo)入版圖中金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對其進(jìn)行模擬得到光刻后金屬層模擬圖形，如圖