4所不，模擬光刻后A處相鄰金屬層之間的間距為lOOnm。
[0038]其中，金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)獲得。本實(shí)施例較佳地根據(jù)金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與金屬層光刻的目標(biāo)結(jié)果，即理論結(jié)果，進(jìn)行模擬，得到光刻后的金屬層模擬圖形。
[0039]步驟S03，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立金屬層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S02得到的光刻后金屬層模擬圖形與金屬層刻蝕變化量模型，得到金屬層刻蝕模擬圖形，如圖5所示，模擬刻蝕后A處相鄰金屬層之間的間距為90nm。
[0040]其中，考慮到實(shí)際刻蝕工藝會(huì)對(duì)刻蝕效果和尺寸產(chǎn)生一定影響，本步驟將步驟S02得到的光刻后金屬層模擬圖形與刻蝕變化量模型進(jìn)行處理，得到模擬刻蝕后的圖形以及模擬刻蝕后的尺寸。
[0041]步驟S04，導(dǎo)入金屬硬掩模一體化刻蝕中相關(guān)的通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對(duì)其進(jìn)行模擬得到光刻后通孔層模擬圖形，如圖6所示。
[0042]其中，通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)獲得。本實(shí)施例較佳地根據(jù)通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與通孔層光刻的目標(biāo)結(jié)果，即理論結(jié)果，進(jìn)行模擬，得到光刻后的通孔層模擬圖形。
[0043]步驟S05，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立通孔層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S04得到的光刻后通孔層模擬圖形與通孔層刻蝕變化量模型，得到通孔層刻蝕模擬圖形，如圖7所示。
[0044]其中，考慮到實(shí)際刻蝕工藝會(huì)對(duì)刻蝕效果和尺寸產(chǎn)生一定影響，本步驟將步驟S04得到的光刻后通孔層模擬圖形與刻蝕變化量模型進(jìn)行處理，得到模擬刻蝕后的圖形以及模擬刻蝕后的尺寸。
[0045]步驟S06，將步驟S03得到的金屬層刻蝕模擬圖形與步驟S05得到的通孔層刻蝕模擬圖形合并，如圖8所示，模擬刻蝕后，A處通孔層與相鄰金屬層的間距為85nm。
[0046]其中，本步驟可以將金屬層刻蝕模擬圖形與通孔層刻蝕模擬圖形的圖片疊加合并，也可以將金屬層刻蝕模擬圖形中金屬層的位置信息與通孔層刻蝕模擬圖形中通孔層的位置信息進(jìn)行疊加合并，目的是為了得到相關(guān)通孔層與相鄰金屬層的間距。在其他實(shí)施例中，金屬層與通孔層刻蝕模擬圖形的合并還可以采取其他方式，只要能后續(xù)得到所需的間距，即在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0047]步驟S07，判斷相關(guān)的通孔層中是否存在與相鄰金屬層的間距小于一預(yù)設(shè)閾值的通孔層，圖8中A處通孔層與相鄰金屬層的間距為85nm，以lOOnm正常工藝窗口的10%來(lái)計(jì)，85nm小于工藝窗口下限90nm，貝lj判斷A處圖形在金屬硬掩模一體化刻蝕工藝中存在潛在橋接風(fēng)險(xiǎn)。
[0048]其中，本步驟還包括測(cè)量相關(guān)的通孔層與相鄰金屬層的間距，較佳地為判斷和測(cè)量每個(gè)相關(guān)通孔層與每個(gè)與其相鄰的金屬層的最近距離，而每個(gè)相關(guān)通孔層與每個(gè)相鄰金屬層的最近距離都預(yù)先設(shè)有預(yù)設(shè)閾值。
[0049]步驟S08，若存在，則將該通孔層作為橋接熱點(diǎn)輸出。若不存在，則判斷為無(wú)橋接。
[0050]實(shí)際應(yīng)用中，本實(shí)施例的檢測(cè)方法還可以包括步驟S09，對(duì)檢測(cè)出橋接的熱點(diǎn)進(jìn)行處理，并重復(fù)步驟S02至步驟S08，處理后的模擬圖如圖9所示。其中，對(duì)橋接熱點(diǎn)進(jìn)行處理可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)整，如根據(jù)橋接的可能性、對(duì)器件性能的影響程度，對(duì)光刻和刻蝕工藝的部分或全部，進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測(cè)方法，其特征在于，其包括以下步驟: 步驟S01，提供待進(jìn)行金屬硬掩模一體化刻蝕的版圖； 步驟S02，導(dǎo)入所述版圖中金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對(duì)其進(jìn)行模擬得到光刻后金屬層模擬圖形； 步驟S03，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立所述金屬層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S02得到的光刻后金屬層模擬圖形與金屬層刻蝕變化量模型，得到金屬層刻蝕模擬圖形； 步驟S04，導(dǎo)入所述金屬硬掩模一體化刻蝕中相關(guān)的通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果，對(duì)其進(jìn)行模擬得到光刻后通孔層模擬圖形； 步驟S05，根據(jù)實(shí)際刻蝕工藝建立所述通孔層刻蝕變化量模型，根據(jù)步驟S04得到的光刻后通孔層模擬圖形與通孔層刻蝕變化量模型，得到通孔層刻蝕模擬圖形； 步驟S06，將步驟S03得到的金屬層刻蝕模擬圖形與步驟S05得到的通孔層刻蝕模擬圖形合并； 步驟S07，判斷所述相關(guān)的通孔層中是否存在與相鄰金屬層的間距小于一預(yù)設(shè)閾值的通孔層； 步驟S08，若存在，則將該通孔層作為橋接熱點(diǎn)輸出；若不存在，則判斷為無(wú)橋接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于:步驟S06包括將所述金屬層刻蝕模擬圖形與通孔層刻蝕模擬圖形的圖片疊加合并。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于:步驟S06包括將所述金屬層刻蝕模擬圖形中金屬層的位置信息與所述通孔層刻蝕模擬圖形中通孔層的位置信息進(jìn)行疊加合并。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的檢測(cè)方法，其特征在于:步驟S07還包括測(cè)量所述相關(guān)的通孔層與相鄰金屬層的間距，并與預(yù)設(shè)閾值相比較。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述間距為通孔層與每個(gè)與其相鄰的金屬層的最近距離。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)方法，其特征在于:每個(gè)所述相關(guān)通孔層與每個(gè)相鄰金屬層的最近距離都具有預(yù)設(shè)閾值。7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的檢測(cè)方法，其特征在于:步驟S02包括根據(jù)所述金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與所述金屬層光刻的目標(biāo)結(jié)果進(jìn)行模擬，得到光刻后金屬層模擬圖形。8.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的檢測(cè)方法，其特征在于:步驟S04包括根據(jù)所述通孔層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正結(jié)果與所述通孔層光刻的目標(biāo)結(jié)果進(jìn)行模擬，得到光刻后通孔層模擬圖形。9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法還包括步驟S09，對(duì)檢測(cè)出橋接的熱點(diǎn)進(jìn)行處理，并重復(fù)步驟S02至步驟S08。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬硬掩模一體化刻蝕中橋接位置的檢測(cè)方法，通過(guò)在金屬層的光學(xué)臨近效應(yīng)修正、并經(jīng)過(guò)實(shí)際刻蝕變化量調(diào)整后的金屬層刻蝕模擬圖形中，導(dǎo)入金屬硬掩模一體化刻蝕的相關(guān)通孔層的經(jīng)過(guò)光學(xué)臨近效應(yīng)修正、并經(jīng)過(guò)實(shí)際刻蝕變化量調(diào)整后的通孔層刻蝕模擬圖形，合并金屬層和通孔層的刻蝕模擬圖形，可以判斷每個(gè)相關(guān)通孔層和相鄰金屬層的間距，從而檢測(cè)整個(gè)金屬硬掩模一體化刻蝕中是否有橋接風(fēng)險(xiǎn)的位置，以便在掩模板制造前加以修正。
【IPC分類(lèi)】G03F1/36
【公開(kāi)號(hào)】CN105137711
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510489081
【發(fā)明人】張 浩, 張辰明, 魏芳, 呂煜坤, 朱駿, 張旭升
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年8月11日