射型的顯示裝置的制造方法中在每個反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0048]以下，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的示例性實施例，示例性實施例在附圖中示出。然而，可以以許多不同的形式實施示例性實施例，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的示例性實施例。相反，提供這些實施例從而本公開將會徹底和完整，并將完全地將示例性實施例的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0049]根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的反射型的顯示裝置包括:由多個像素單元構(gòu)成的像素單元陣列，其中，每個像素單元包括由不同顏色的子像素單元構(gòu)成的子像素單元陣列。
[0050]每個子像素單元包括:垂直分層排列的至少兩個基底和多個微納米顆粒。具體說來，多個微納米顆粒能夠反射預(yù)定顏色的環(huán)境光，并分別布置在所述至少兩個基底之中的各個基底上，其中，基底上設(shè)有能夠使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過的孔，并且，所述多個微納米顆粒在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，在所述預(yù)定晶格形式中，相鄰的微納米顆粒之間具有預(yù)定間距。
[0051]此外，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的反射型的顯示裝置還包括:驅(qū)動單元，用于驅(qū)動所述至少兩個基底的至少一個基底沿預(yù)定軌跡移動，以使至少一部分相鄰的微納米顆粒之間的間距發(fā)生變化，從而改變從所述子像素單元反射的所述預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強。這里，驅(qū)動單元可以是能夠使所述至少一個基底沿所述預(yù)定軌跡移動的任意驅(qū)動單元，作為示例，所述驅(qū)動單元可基于熱效應(yīng)、壓電效應(yīng)、靜電效應(yīng)和機械效應(yīng)之中的至少一項來驅(qū)動所述至少一個基底沿預(yù)定軌跡移動。
[0052]這里，當(dāng)驅(qū)動單元使所述至少兩個基底彼此靠近時，各個基底上的微納米顆?？晌挥谕凰矫嫔希藭r，位于同一水平面的多個微納米顆?？沙暑A(yù)定晶格形式。并且，由周期性排列的微納米顆粒的光學(xué)特性可知:呈預(yù)定晶格形式的微納米顆粒反射的環(huán)境光的顏色與晶格中相鄰的微納米顆粒之間的間距相關(guān)。具體說來，當(dāng)呈預(yù)定晶格形式的微納米顆粒中相鄰顆粒之間具有的所述預(yù)定間距與特定顏色的光的波長相應(yīng)時，呈所述預(yù)定晶格形式的微納米顆粒可反射該特定顏色的光。因此，當(dāng)驅(qū)動單元驅(qū)動所述至少兩個基底的至少一個基底沿預(yù)定軌跡移動，使至少一部分相鄰的微納米顆粒之間的間距發(fā)生變化時，多個微納米顆粒的預(yù)定晶格形式會被破壞，多個微納米顆粒反射的該特定顏色的光的光強就會減弱，也就是說，子像素單元反射的所述預(yù)定顏色的光的光強減弱。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的反射型的顯示裝置可通過控制所述至少一個基底的移動程度，來控制子像素單元所反射的所述預(yù)定顏色的光的光強。這里，所述預(yù)定軌跡可為能夠改變多個微納米顆粒反射的光的光強的任意軌跡，作為示例，所述預(yù)定軌跡可為垂直移動軌跡或水平移動軌跡。
[0053]由于通?？赏ㄟ^對RGB (紅色、綠色和藍(lán)色)三原色進(jìn)行混色并對RGB三原色的光強進(jìn)行調(diào)整來顯示豐富的色彩，因此，作為示例，子像素單元可包括:紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元。并且根據(jù)上述提到的周期性排列的微納米顆粒的光學(xué)特性可知，紅色光、綠色光和藍(lán)色光的波長各不相同，則紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元中的呈預(yù)定晶格形式的多個微納米顆粒(位于同一水平面)中，相鄰的微納米顆粒之間具有的間距也各不相同。優(yōu)選地，在紅色子像素單元中，所述預(yù)定間距可為680納米(nm);在綠色子像素單元中，所述預(yù)定間距可為520納米；在藍(lán)色子像素單元中，所述預(yù)定間距可為420納米。這里，所述預(yù)定晶格形式可以為滿足微納米顆粒之間的間距要求的任意晶格形式。作為示例，所述預(yù)定晶格形式可為以下項中的任意一個:正方晶格、斜方晶格、長方晶格、六角晶格、準(zhǔn)晶排列晶格、分形排列晶格和螺旋排列晶格。
[0054]這里，為了分別使子像素單元中的紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元更好地反射相應(yīng)顏色的光，可使紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元中的微納米顆粒的特征尺寸分別在相應(yīng)的范圍內(nèi)。作為示例，在紅色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍可為[240納米，400納米];在綠色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍可為[200納米，360納米];在藍(lán)色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍可為[160納米，320納米]。
[0055]此外，為了保證分布于所述至少兩個基底上的微納米顆粒能夠反射環(huán)境光，作為示例，所述至少兩個基底之中的每個基底可均為透明基底。并且，為了使各層基底上的微納米顆粒能夠位于同一水平面上，每個基底的厚度應(yīng)盡量小，作為示例，所述至少兩個基底的每個基底的厚度可均小于200納米。
[0056]由于通常滿足上述條件的基底一般具有小于1.5的折射率，因此，為了使微納米顆粒更好地反射預(yù)定顏色的環(huán)境光，微納米顆粒的折射率可大于1.5。而且微納米顆粒的光學(xué)特性與微納米顆粒的特征尺寸相關(guān)而與微納米顆粒的形狀無關(guān)，所以微納米顆?？梢允侨我庑螤畹奈⒓{米顆粒，例如，圓柱形、立方體形、四面體形、球形、橢球形、核殼結(jié)構(gòu)形或圓環(huán)形等。并且，微納米顆粒的材料也可以是諸如娃、五氧化二鉭、氧化鉭、砷化鎵等的介質(zhì)材料，或諸如金、銀等的金屬材料。
[0057]圖3示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的微納米顆粒的示例的示圖。
[0058]如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的微納米顆粒為圓柱形。此時，在子像素單元的多個微納米顆粒位于同一水平面而呈預(yù)定晶格形式的情況下，相鄰微納米顆粒之間的具有的預(yù)定間距可為微納米顆粒的圓柱頂面圓心之間的距離L。
[0059]微納米顆粒的特征尺寸可為圓柱的直徑D的尺寸。作為優(yōu)選示例，在紅色子像素單元中，圓柱形的微納米顆粒的特征尺寸(即，直徑D)可為320納米；在綠色子像素單元中，圓柱形的微納米顆粒的特征尺寸D可為280納米；在藍(lán)色子像素單元中，圓柱形的微納米顆粒的特征尺寸D可為240納米。此外，為了使圓柱形的微納米顆粒更好地反射環(huán)境光，可使微納米顆粒的圓柱的高度H均在預(yù)定高度范圍內(nèi)。作為示例，微納米顆粒的圓柱的高度H范圍可為[20納米，200納米]，作為優(yōu)選示例，微納米顆粒的圓柱的高度H可為50納米。
[0060]這里，根據(jù)反射型的顯示裝置的存儲空間及分辨率的不同，像素單元中的各個子像素單元可以以不同的排列形式排列，作為示例，各個子像素單元可以以標(biāo)準(zhǔn)子像素排列形式排列或Pentile排列形式排列。
[0061]圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的當(dāng)反射型的顯示裝置的子像素單元以標(biāo)準(zhǔn)子像素排列形式排列時像素單元的示例的示圖。
[0062]如圖4所示，像素單元為正方形，并包括三個子像素單元(例如，紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元)，三個子像素單元以標(biāo)準(zhǔn)子像素排列形式排列，每個子像素單元的大小相同。每個子像素單元中的微納米顆粒構(gòu)成預(yù)定晶格形式，并且，三個子像素可分別反射相應(yīng)顏色的環(huán)境光。
[0063]圖5示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖4的像素單元的示例的示意圖。
[0064]如圖5所示，圖4的像素單元為邊長為S的正方形，像素單元包括三個子像素單元，每個子像素為長為S且寬為S/3的長方形。
[0065]應(yīng)該理解，當(dāng)各個子像素單元以Pentile排列形式排列時，像素單元中每個子像素單元的大小可能不同，但像素單元的結(jié)構(gòu)類似于圖4或圖5的像素單元的結(jié)構(gòu)。
[0066]圖6示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的當(dāng)反射型的顯示裝置的子像素單元以Pentile排列形式排列時像素單元的示例的示意圖。
[0067]如圖6所示，子像素單元的排列形式為RGBG(紅色、綠色、藍(lán)色和綠色)的Pentile排列形式。每個像素單元中具有兩個子像素單元:紅色子像素單元和綠色子像素單元或者藍(lán)色子像素單元和綠色子像素單元。
[0068]此外，子像素單元除了包括上述提到的紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元外，子像素單元還可包括:白色子像素單元。此時，子像素單元可以以Pentile排列形式排列。
[0069]圖7示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的當(dāng)反射型的顯示裝置的子像素單元以Pentile排列形式排列時像素單元的另一示例的示意圖。
[0070]如圖7所示，子像素單元的排列形式為RGBW(紅色、綠色、藍(lán)色、白色)的Pentile排列形式。每個像素單元中具有兩個子像素單元:紅色子像素單元和綠色子像素單元或者藍(lán)色子像素單元和白色子像素單元。
[0071 ] 圖8示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的圖4的像素單元中的子像素單元的示例的示圖。
[0072]如圖8所示，子像素單元具有兩個基底，位于上面的上層基底上設(shè)有能夠使位于其下方的下層基底上的微納米顆粒穿過的孔，微納米顆粒呈圓柱形，兩個基底間的間距為do并且，當(dāng)兩個基底彼此靠近(即，d = O)，以使子像素單元的多個微納米顆粒位于同一水平面時，多個微納米顆粒呈正方晶格形式。
[0073]應(yīng)該理解，雖然圖8僅示出子像素單元包括兩個基底的示例，但子像素單元可包括多于兩個基底的多個基底。并且，基底還可以是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的基底或柱狀支撐結(jié)構(gòu)的基底。微納米顆粒也不限于構(gòu)成圖8所示的正方晶格形式，還可以構(gòu)成其它晶格形式。
[0074]這里，當(dāng)驅(qū)動單元驅(qū)動圖8所示的兩個基底中的一個基底，使所述一個基底沿垂直移動軌跡移動以使間距d變化時，圖8所示的子像素單元反射的預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強會發(fā)生改變。
[0075]圖9示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的當(dāng)圖8的子像素單元為紅色子像素單元時反射的環(huán)境光的光強的波形圖。
[0076]當(dāng)圖8的子像素單元為紅色子像素單元時，在紅色子