定方法可為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):旋轉(zhuǎn)涂覆法、電子束蒸發(fā)法、濺射法、離子輔助沉積法、原子層沉積法和溶膠-凝膠法。這里，在每個(gè)基底上形成的反射層可為用于制作微納米顆粒的反射材料，例如上述提到的諸如硅、五氧化二鉭、氧化鉭、砷化鎵等的介質(zhì)材料，或諸如金、銀等的金屬材料。
[0103]在步驟S300，使用預(yù)定刻蝕方法在每個(gè)反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列，并在相應(yīng)的基底上刻蝕出能夠使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過(guò)的孔，以使每個(gè)子像素單元所對(duì)應(yīng)的所有基底的所有微納米顆粒陣列在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，并使在所述預(yù)定晶格形式中，相鄰的微納米顆粒之間具有預(yù)定間距。
[0104]這里，所述預(yù)定刻蝕方法可為能夠在反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列的任何刻蝕方法。作為示例，所述預(yù)定刻蝕方法可為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):干涉光刻法、反應(yīng)離子刻蝕法、掩膜光刻法、電子束曝光光刻法和聚焦離子束刻蝕法。
[0105]由上述描述可知:當(dāng)位于同一水平面的微納米顆粒呈預(yù)定晶格形式并且相鄰微納米顆粒具有預(yù)定間距時(shí)，子像素單元可反射預(yù)定顏色的環(huán)境光，并且此時(shí)反射的預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)最強(qiáng)。通過(guò)破壞微納米顆粒的預(yù)定晶格形式，可使子像素單元反射的所述預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)減弱。因此，需要使制造出的每個(gè)子像素單元所對(duì)應(yīng)的所有基底的所有微納米顆粒陣列在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，并使所述預(yù)定晶格形式中相鄰的微納米顆粒之間具有預(yù)定間距。并且為了使每個(gè)子像素單元的所有微納米顆粒陣列能夠位于同一水平面上，還需要在相應(yīng)的基底上刻蝕出能夠使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過(guò)的孔。
[0106]圖17示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的反射型的顯示裝置的制造方法中在每個(gè)反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列步驟的流程圖。
[0107]如圖17所示，在步驟S310，使用旋轉(zhuǎn)涂覆法在每個(gè)反射層上形成抗反射層。這里，由于反射層的反光性能較好，為了影響后續(xù)制造步驟，需要在每個(gè)反射層上形成抗反射層。
[0108]在步驟S320，使用旋轉(zhuǎn)涂覆法在抗反射層上形成光刻膠層。
[0109]在步驟S330，使用所述預(yù)定刻蝕方法在光刻膠層上刻蝕出與所述微納米顆粒陣列一致的刻蝕圖案。作為示例，可使用干涉光刻法和顯影技術(shù)使光刻膠層曝光并在光刻膠層留下具有與微納米顆粒陣列一致的刻蝕圖案。
[0110]在步驟S340，使用所述預(yù)定刻蝕方法按照所述刻蝕圖案來(lái)刻蝕抗反射層和反射層。這里，可首先使用反應(yīng)離子刻蝕法按照所述刻蝕圖案來(lái)刻蝕抗反射層，以在抗反射層上刻蝕出與所述刻蝕圖案一致的圖案，然后使用反應(yīng)離子刻蝕方法按照所述刻蝕圖案來(lái)刻蝕反射層，以在反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列。
[0111]在步驟S350，使用等離子灰化法去除光刻膠層和抗反射層，以暴露出反射層上刻蝕出的所述微納米顆粒陣列。這里，由于微納米顆粒陣列上覆蓋有光刻膠層和抗反射層，因此，可通過(guò)去除光刻膠層和抗反射層來(lái)暴露出刻蝕出的微納米顆粒陣列。
[0112]再次參照?qǐng)D16，在步驟S400，使用反應(yīng)離子刻蝕方法去除硅晶圓。這里，當(dāng)制造出每個(gè)基底和微納米顆粒后，可去除用于制造基底和微納米顆粒的硅晶圓。
[0113]在步驟S500，將每個(gè)子像素單元的至少一個(gè)基底與驅(qū)動(dòng)單元連接。這里，由于需要通過(guò)驅(qū)動(dòng)單元沿預(yù)定移動(dòng)軌跡驅(qū)動(dòng)至少一個(gè)基底來(lái)改變子像素單元反射的預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)。因此，需要將驅(qū)動(dòng)單元與每個(gè)子像素單元的至少一個(gè)基底相連接，以使所述至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)。作為示例，所述驅(qū)動(dòng)單元可基于熱效應(yīng)、壓電效應(yīng)、靜電效應(yīng)和機(jī)械效應(yīng)之中的至少一項(xiàng)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)。
[0114]在根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的反射型的顯示裝置的制造方法中，可制造出能夠通過(guò)使至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)來(lái)破壞微納米顆粒的晶格結(jié)構(gòu)，從而改變子像素單元反射的預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)的反射型的顯示裝置，進(jìn)而能夠使制造出的顯示裝置的像素單元顯示更加豐富的色彩。
[0115]應(yīng)注意，本發(fā)明的以上各個(gè)實(shí)施例僅僅是示例性的，而本發(fā)明并不受限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解:在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變，其中，本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求及其等同物中限定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種反射型的顯示裝置，包括: 由多個(gè)像素單元構(gòu)成的像素單元陣列，其中，每個(gè)像素單元包括由不同顏色的子像素單元構(gòu)成的子像素單元陣列，每個(gè)子像素單元包括: 垂直分層排列的至少兩個(gè)基底； 多個(gè)微納米顆粒，能夠反射預(yù)定顏色的環(huán)境光，并分別布置在所述至少兩個(gè)基底之中的各個(gè)基底上，其中，基底上設(shè)有能夠使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過(guò)的孔，并且，所述多個(gè)微納米顆粒在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，在所述預(yù)定晶格形式中，相鄰的微納米顆粒之間具有預(yù)定間距； 驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)所述至少兩個(gè)基底的至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)，以使至少一部分相鄰的微納米顆粒之間的間距發(fā)生變化，從而改變從所述子像素單元反射的所述預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)。2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，各個(gè)子像素單元以標(biāo)準(zhǔn)子像素排列形式排列或Pentile排列形式排列。3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，子像素單元包括:紅色子像素單元、綠色子像素單元和藍(lán)色子像素單元。4.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中， 在紅色子像素單元中，所述預(yù)定間距為680納米； 在綠色子像素單元中，所述預(yù)定間距為520納米； 在藍(lán)色子像素單元中，所述預(yù)定間距為420納米。5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述微納米顆粒的折射率大于1.5。6.如權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中， 在紅色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍為[240納米，400納米]; 在綠色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍為[200納米，360納米]; 在藍(lán)色子像素單元中，所述微納米顆粒的特征尺寸范圍為[160納米，320納米]。7.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述至少兩個(gè)基底之中的每個(gè)基底均為透明基底且厚度小于200納米。8.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述預(yù)定晶格形式為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):正方晶格、斜方晶格、長(zhǎng)方晶格、六角晶格、準(zhǔn)晶排列晶格、分形排列晶格和螺旋排列晶格。9.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述預(yù)定軌跡為垂直移動(dòng)軌跡或水平移動(dòng)軌跡。10.如權(quán)利要I所述的顯示裝置，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元基于熱效應(yīng)、壓電效應(yīng)、靜電效應(yīng)和機(jī)械效應(yīng)之中的至少一項(xiàng)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)。11.一種權(quán)利要求1所述的反射型的顯示裝置的制造方法，包括: 在至少兩個(gè)硅晶圓上分別使用預(yù)定工藝方法形成垂直分層排列的至少兩個(gè)基底層，其中，每個(gè)基底層包括與每個(gè)像素單元中的每個(gè)子像素單元—對(duì)應(yīng)的基底； 在每個(gè)基底上使用預(yù)定方法形成能夠反射預(yù)定顏色的環(huán)境光的反射層； 使用預(yù)定刻蝕方法在每個(gè)反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列，并在相應(yīng)的基底上刻蝕出能夠使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過(guò)的孔，以使每個(gè)子像素單元所對(duì)應(yīng)的所有基底的所有微納米顆粒陣列在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，并使在所述預(yù)定晶格形式中，相鄰的微納米顆粒之間具有預(yù)定間距； 使用反應(yīng)離子刻蝕方法去除硅晶圓； 將每個(gè)子像素單元的至少一個(gè)基底與驅(qū)動(dòng)單元連接。12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述預(yù)定工藝方法為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):電子束沉積法、真空蒸發(fā)法、磁控濺射法、溶膠-凝膠法和脈沖激光沉積法。13.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述預(yù)定方法為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):旋轉(zhuǎn)涂覆法、電子束蒸發(fā)法、濺射法、離子輔助沉積法、原子層沉積法和溶膠-凝膠法。14.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，使用預(yù)定刻蝕方法在每個(gè)反射層上刻蝕出微納米顆粒陣列的步驟包括: 使用旋轉(zhuǎn)涂覆法在每個(gè)反射層上形成抗反射層； 使用旋轉(zhuǎn)涂覆法在抗反射層上形成光刻膠層； 使用所述預(yù)定刻蝕方法在光刻膠層上刻蝕出與所述微納米顆粒陣列一致的刻蝕圖案； 使用所述預(yù)定刻蝕方法按照所述刻蝕圖案來(lái)刻蝕抗反射層和反射層； 使用等離子灰化法去除光刻膠層和抗反射層，以暴露出反射層上刻蝕出的所述微納米顆粒陣列。15.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述預(yù)定刻蝕方法為以下項(xiàng)中的任意一個(gè):干涉光刻法、反應(yīng)離子刻蝕法、掩膜光刻法、電子束曝光光刻法和聚焦離子束刻蝕法。16.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中，所述驅(qū)動(dòng)單元基于熱效應(yīng)、壓電效應(yīng)、靜電效應(yīng)和機(jī)械效應(yīng)之中的至少一項(xiàng)來(lái)驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種反射型的顯示裝置及其制造方法。所述顯示裝置包括：由多個(gè)像素單元構(gòu)成的像素單元陣列，每個(gè)像素單元包括由不同顏色的子像素單元構(gòu)成的子像素單元陣列，每個(gè)子像素單元包括：垂直分層排列的至少兩個(gè)基底；多個(gè)微納米顆粒，能夠反射預(yù)定顏色的環(huán)境光，分別布置在至少兩個(gè)基底的各基底上，基底上設(shè)有能使位于其下方的各基底上的微納米顆粒穿過(guò)的孔，多個(gè)微納米顆粒在位于同一水平面的情況下呈預(yù)定晶格形式，在預(yù)定晶格形式中相鄰微納米顆粒之間具有預(yù)定間距；驅(qū)動(dòng)單元，驅(qū)動(dòng)至少兩個(gè)基底的至少一個(gè)基底沿預(yù)定軌跡移動(dòng)，使至少一部分相鄰的微納米顆粒之間的間距發(fā)生變化，從而改變從所述子像素單元反射的所述預(yù)定顏色的環(huán)境光的光強(qiáng)。
【IPC分類】G02F1/19
【公開號(hào)】CN105159006
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510585369
【發(fā)明人】郝銳, 馮天華
【申請(qǐng)人】廣州三星通信技術(shù)研究有限公司, 三星電子株式會(huì)社
【公開日】2015年12月16日
【申請(qǐng)日】2015年9月15日