[006引圖1中的附圖標記lY、IM、1C和化表示鼓狀靜電潛像承載構(gòu)件（下文中有時稱為 "感光鼓"），并且圍繞感光鼓1，配置了充電設(shè)備2Y、2M、2C、2k，曝光設(shè)備3Y、3M、3C、3k，顯影 設(shè)備4Y、4M、4C、4k，和中間轉(zhuǎn)印帶（中間轉(zhuǎn)印裝置）6。感光鼓l沿箭頭F指示的方向W預(yù) 定的圓周速度（處理速度）驅(qū)動旋轉(zhuǎn)。充電設(shè)備2給感光鼓1的周面充電至預(yù)定極性和電 位（一次充電）。當(dāng)做曝光設(shè)備3的激光束掃描器輸出根據(jù)從外部裝置（未示出）如圖像 掃描器或計算機輸入的圖像信息開啟/關(guān)閉調(diào)節(jié)的激光光，由此使已進行充電處理的感光 鼓1的表面進行掃描曝光。掃描曝光導(dǎo)致根據(jù)感興趣的圖像信息在感光鼓1的表面上形成 靜電潛像。
[0063] 顯影設(shè)備4Y、4M、4C、4k包含分別含有黃色燈)、品紅色（M)、青色似和黑色化） 用彩色組分的調(diào)色劑。另外，所使用的顯影設(shè)備4基于圖像信息來選擇，顯影劑（調(diào)色劑） 在感光鼓1的表面上顯影，并且將靜電潛像可視化為調(diào)色劑圖像。在該實施方案中，如剛剛 所述的，使用其中通過使調(diào)色劑附著至靜電潛像的曝光部來進行顯影的反轉(zhuǎn)顯影系統(tǒng)。另 夕F，此類充電設(shè)備、曝光設(shè)備和顯影設(shè)備構(gòu)成圖像形成單元。
[0064]另外，中間轉(zhuǎn)印帶6是根據(jù)本發(fā)明的環(huán)狀電子照相用帶，W抵接感光鼓1的表面的 方式配置，并且通過多個拉伸漉20、21、22來拉伸。另外，構(gòu)造中間轉(zhuǎn)印帶6W使其沿箭頭G 指示的方向旋轉(zhuǎn)。在該實施方案中，拉伸漉20是構(gòu)造成控制中間轉(zhuǎn)印帶6的張力在恒定水 平下的張力漉，拉伸漉22是中間轉(zhuǎn)印帶6用驅(qū)動漉，并且拉伸漉21是二次轉(zhuǎn)印用相對漉。 另外，在感光鼓1相對地穿過中間轉(zhuǎn)印帶6的一次轉(zhuǎn)印位置，分別配置一次轉(zhuǎn)印漉5Y、5M、 5C>5k〇
[0065] 將分別形成于感光鼓1上的各顏色的未定影的調(diào)色劑圖像連續(xù)地通過將具有與 調(diào)色劑的電荷極性相反的正極性的一次轉(zhuǎn)印偏壓用很定電壓源或恒定電流源施加至一次 轉(zhuǎn)印漉5而進行靜電一次轉(zhuǎn)印至中間轉(zhuǎn)印帶6上。因而，其中由四色形成的未定影的調(diào)色 劑圖像疊加的全色圖像在中間轉(zhuǎn)印帶6上獲得。中間轉(zhuǎn)印帶6在承載如剛剛所述的從感光 鼓1轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像的同時旋轉(zhuǎn)。對于在一次轉(zhuǎn)印后的感光鼓1的每一次旋轉(zhuǎn)，感光鼓 1的表面用清潔設(shè)備11清潔轉(zhuǎn)印殘余調(diào)色劑W使其重復(fù)用于圖像形成過程。
[0066]另外，在面向記錄介質(zhì)7的輸送路徑的中間轉(zhuǎn)印帶6中的二次轉(zhuǎn)印位置，配置二次 轉(zhuǎn)印漉（轉(zhuǎn)印構(gòu)件）9W使其與中間轉(zhuǎn)印帶6的調(diào)色劑圖像承載表面?zhèn)葔航?。另外，在?間轉(zhuǎn)印帶6相對于二次轉(zhuǎn)印位置的背面?zhèn)龋渲卯?dāng)做二次轉(zhuǎn)印漉9用對向電極（opposing electrode)并且被施加偏壓的相對漉21。在將中間轉(zhuǎn)印帶6上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印至記錄 介質(zhì)7上之時，具有與調(diào)色劑相同的極性的偏壓用轉(zhuǎn)印偏壓施加單元28施加至相對漉21， 例如，施加-1，000V至-3, 000V的偏壓從而造成-10yA至-50yA的電流流動。此時的轉(zhuǎn) 印電壓用高轉(zhuǎn)印電壓檢測單元29檢測。此外，在相對于二次轉(zhuǎn)印位置的下游側(cè)，配置用于 除去二次轉(zhuǎn)印之后中間轉(zhuǎn)印帶6上殘留的調(diào)色劑的清潔設(shè)備（帶用清潔器）12。
[0067] 記錄介質(zhì)7沿箭頭H指示的方向經(jīng)由輸送導(dǎo)軌8輸送，然后導(dǎo)入二次轉(zhuǎn)印位置。導(dǎo) 入的記錄介質(zhì)7在被夾持在二次轉(zhuǎn)印位置之間的同時輸送，并且在輸送期間，二次轉(zhuǎn)印漉9 用相對漉21從二次轉(zhuǎn)印偏壓施加單元28供應(yīng)有控制為預(yù)定值的恒定偏壓（轉(zhuǎn)印偏壓）。 通過具有與調(diào)色劑相同的極性的轉(zhuǎn)印偏壓施加至相對漉21，將疊加在中間轉(zhuǎn)印帶6上的由 四色形成的全色圖像（調(diào)色劑圖像）在轉(zhuǎn)印部位立即轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)7上。因而，全色未定 影的調(diào)色劑圖像形成于記錄介質(zhì)上。將已轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像的記錄介質(zhì)7導(dǎo)入定影單元（未 示出），并且加熱未定影的調(diào)色劑圖像w使其定影至記錄介質(zhì)。
[0068] 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案，可獲得其表面平滑性非常優(yōu)異且甚至在重復(fù)使用后 也具有高調(diào)色劑脫模性的單層中間轉(zhuǎn)印帶。另外，根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案，可獲得能 夠穩(wěn)定地形成高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相圖像形成設(shè)備。
[0069] 連施例
[0070] 下面通過實施例和比較例的方式具體描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于此。應(yīng)注 意到，在實施例和比較例中，生產(chǎn)出中間轉(zhuǎn)印帶，并且如下所述進行用于實施例和比較例中 的分析和物理性質(zhì)測量。
[0071](特征值的測量方法和評價方法）
[0072]用于實施例和比較例中生產(chǎn)的中間轉(zhuǎn)印帶的特征值的測量方法和評價方法如下 所述。
[007引 （1)調(diào)色劑脫模性
[0074] 調(diào)色劑脫模性W二次轉(zhuǎn)印效率（％ )方面來評價。二次轉(zhuǎn)印效率由從感光鼓一次 轉(zhuǎn)印的導(dǎo)致的中間轉(zhuǎn)印帶的表面上承載的調(diào)色劑量F(g)和在二次轉(zhuǎn)印至記錄介質(zhì)上之后 中間轉(zhuǎn)印帶的表面上殘留的殘余調(diào)色劑量S(g)來計算。具體而言，二次轉(zhuǎn)印效率由下式 巧]表示。
[0075] 二次轉(zhuǎn)印效率（％ ) = (1-S/巧X100凹
[0076] 實際評價中，將中間轉(zhuǎn)印帶安裝至具有如圖1中示出的設(shè)備結(jié)構(gòu)的中間轉(zhuǎn)印系統(tǒng) 的串聯(lián)型全色電子照相設(shè)備（商品名：LBP-7700C，由CanonInc.制造）的轉(zhuǎn)印單元中，并 且青色和品紅色的實屯、圖像打印在記錄介質(zhì)上。應(yīng)注意到所用的記錄介質(zhì)是已經(jīng)在23°C的 溫度和45%的相對濕度的環(huán)境下放置1天的算術(shù)平均粗糖度（Ra)為4ym和十點平均粗糖 度巧Z)為15ym的表面粗糖化的紙。將打印在第10張上的圖像定定義為在初始階段的圖 像，并將打印在第100, 000張上的圖像定義為在重復(fù)使用后的圖像。在初始階段的圖像和 在重復(fù)使用后的圖像用于評價二次轉(zhuǎn)印效率。
[0077] 似表面粗糖度
[0078] 帶的表面粗糖度用表面粗糖度測量儀器化0SAKA-SE3500,由Nihonkai Keisoku Tokki Co.，Ltd.制造）通過沿寬度方向用測量端子掃描帶的表面來評價。下面示出測量條 件。使用十點平均粗糖度巧zjis)進行評價。
[0079] ?測量試樣尺寸：30mmX30mm
[0080] ?測量間距：4. 0mm
[0081] ?端子掃描速度：0.Imm/sec
[0082]另外，在沒有共混稍后描述的實施例1中的各自包含具有氣化控基的聚合物的顆 粒1和硅油1的情況下生產(chǎn)的中間轉(zhuǎn)印帶用作標準帶，并且預(yù)先測量其表面粗糖度化jis 為 0. 23ym。
[0083] (3)各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒的平均一次粒徑的評價
[0084] 各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒的平均一次粒徑通過下述方法評價。
[0085]首先，將生產(chǎn)出的中間轉(zhuǎn)印帶分割為沿軸向的四等分，并且各自所得截面的部分 進一步用超薄切片機等切割出。圖5中示出的沿帶厚度（=T)方向的四個部位（最外表 面（調(diào)色劑圖像承載表面）、參照帶外表面的lT/4、2T/4( = 1T/2)和3T/4處）用透射電子 顯微鏡（透射電子顯微鏡法：TEM)在200, 000的放大倍率下觀察并且拍照。
[0086] 另外，同時，能量分散型X-射線光譜法巧D訝用于進行在觀察的照片中可見的顆 粒的元素分析W鑒定各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒。此外，100個各自包含具有氣 化控基的聚合物的顆粒從所得照片中選擇，并且測量沿帶厚度方向的最大長度（nm)和沿 與帶厚度方向正交的方向的最大長度（nm)，采用通過將運些值的總和除W2得到的值作為 一次粒徑。然后，所選擇的100個各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒的一次粒徑的算 術(shù)平均值定義為本發(fā)明中各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒的平均一次粒徑。
[0087] (4)各自包含具有氣化控基的聚合物的顆粒沿帶厚度方向的分散性的評價
[008引帶沿厚度方向的截面通過與部分（3)中相同的方法來切出。沿厚度方向的S個地 方（最外表面、1T/4和2T/4)各自使用透射電子顯微鏡在100, 000的放大倍率下觀察，并且 聚合物顆粒的分散性基于所得圖像評價。如下所述設(shè)定評價標準。
[0089]A:在最外表面的顆粒數(shù)為在1T/4部分的顆粒數(shù)的0. 7倍W上且1. 5倍W下，并且 比在2T/4部分的顆粒數(shù)大0. 7倍W上且1. 5倍W下。
[0090]B:在最外表面的顆粒數(shù)為在1T/4部分或2T/4部分的顆粒數(shù)的0. 2倍W上且0. 5 倍W下，或者大2倍W上且小于5倍。
[0091]C:在最外表面的顆粒數(shù)為在1T/4部分或2T/4部分的顆粒數(shù)的小于0.2倍或5倍 社。
[0092] (5)硅油來源的娃原子的存在比
[0093] 硅油來源的娃原子的存在量使用飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（飛行時間二次離子 質(zhì)譜法）測量。將未使用的中間轉(zhuǎn)印帶在任意部分的表面切成SOmmXSOmm的尺寸，并且進 行娃原子的元素分析且進行最大峰強度（P1)的評價。隨后，將相同的帶切割或進行表面研 磨W具有1T/2的厚度，并且類似地進行在1T/2的厚度的部分娃原子的元素分析且在與P1 的檢測軸相同的分子量/電荷數(shù)（M/幻下進行峰強度（P2)的評價。硅油來源的娃原子的 存在量比例通過考慮在帶的表面和1T/2部分之間的硅油來源的娃原子的存在量比例定義 為Pl/P2(倍）。
[0094](用于實施例和比較例的帶用樹脂組合物的材料）
[0095] 下面表1至4示出用于稍后描述的實施例和比較例中的樹脂組合物用材料。應(yīng)當(dāng) 注意表5和7示出用于實施例的材料的共混。