第1光纖連接器內(nèi)的第1插 頭套管20a介由套筒30與第2光纖連接器內(nèi)的第2插頭套管（其他的構(gòu)件）2化連接。第 1插頭套管20a與第2插頭套管2化是不同的。
[0102] 第1插頭套管20a的結(jié)構(gòu)與第2插頭套管20b的結(jié)構(gòu)相同。在此，列舉第1插頭 套管20a為例子進(jìn)行說明。第1插頭套管20a具有光纖2、套管3、及突緣21。光纖2對(duì)光 進(jìn)行導(dǎo)通。套管3內(nèi)包有光纖2。突緣21被設(shè)置在套管3的端部上，且內(nèi)包有套管3之中 的至少一部分。 陽103] 在多個(gè)套管3彼此連接一側(cè)的端面5上，設(shè)置有異物移動(dòng)抑制部，所述異物移動(dòng)抑 制部抑制因插頭套管的插拔而從套管3的外周部朝向中屯、部移動(dòng)的異物。更具體而言，在 與第2插頭套管2化連接一側(cè)的端面5上，其為第1插頭套管20a的套管3的端面5,設(shè)置 有異物移動(dòng)抑制部，所述異物移動(dòng)抑制部抑制因第1插頭套管20a及第2插頭套管20b的 至少任意一個(gè)的插拔而從套管3的外周部朝向中屯、部移動(dòng)的異物。即使在與第1插頭套管 20a連接一側(cè)的端面5上，其為第2插頭套管20b的套管3的端面5,也相同地設(shè)置有異物 移動(dòng)抑制部。
[0104] 第1插頭套管20a的套管3的端面5被研磨成凸球面。換言之，第1插頭套管20a的套管3在與第2插頭套管2化連接一側(cè)上具有研磨成凸球面狀的端面5。端面5的曲率 半徑R為例如約R7~R25左右。
[01化]例如，如關(guān)于圖1而前述的那樣，在套管3的端面5上，設(shè)置有用于收容從套管3 的外周部朝向中屯、部移動(dòng)的異物的相連成圓周狀的凹部8。 例如，如關(guān)于圖2 (a)~圖2(d)而前述的那樣，凹部8的剖視圖形成為四角形、V形狀、 半圓、或隨著向底面前進(jìn)而寬度變細(xì)的各種形狀。
[0106] 例如，如關(guān)于圖3而前述的那樣，相連成圓周狀的凹部8被形成在比區(qū)域9更外側(cè) 上，所述區(qū)域9在將第1插頭套管20a插入于套筒30時(shí)，存在有第1插頭套管20a與第2 插頭套管2化進(jìn)行接觸的可能性（參照?qǐng)D3)。 例如，如關(guān)于圖4而前述的那樣，凹部8的內(nèi)面的表面粗糖度比套管3的端面5的凹部 8W外的區(qū)域的表面粗糖度更大。凹部8的內(nèi)面的表面粗糖度如關(guān)于圖4而前述的那樣。 陽107] 例如，如關(guān)于圖5而前述的那樣，在套管3的端面5上，設(shè)置有多個(gè)相連成圓周狀 的凹部（例如圖5所示的第1凹部81及第2凹部82)。 例如，如關(guān)于圖6 (a)及圖6化）而前述的那樣，在套管3的端面5上，在研磨成凸球面 狀的中央部5a(參照?qǐng)D6化)）的外側(cè)上，設(shè)置有外側(cè)部11。外側(cè)部11的表面粗糖度被形成 為比中央部5a的表面粗糖度更大，W便抑制從外周部側(cè)朝向中央部5a移動(dòng)的異物的移動(dòng)。
[0108] 例如，如關(guān)于圖7(a)及圖7(b)而前述的那樣，在套管3的端面5上，設(shè)置有從研 磨成凸球面狀的中央部5a(參照?qǐng)D7化)）起相連到套管3的外周部的錐部13。錐部13的 表面粗糖度被形成為比中央部5a的表面粗糖度更大，W便抑制從外周部側(cè)朝向中央部5a 移動(dòng)的異物的移動(dòng)。
[0109] 例如，如關(guān)于圖8 (a)及圖8(b)而前述的那樣，包含套管3的端面5的突起部化從 錐部15突出。更具體而言，從錐部15進(jìn)行觀察，包含第1插頭套管20a的套管3的端面5 的突起部化向第1插頭套管20a的套管3與第2插頭套管20b的套管3連接的一側(cè)突出。
[0110] 套管3的形狀及材料、W及套管3的端面5的形狀及粗糖度等如關(guān)于圖1~圖8化） 而前述的那樣。 陽111] 根據(jù)本實(shí)施方式，能夠在將第1插頭套管20a及第2插頭套管20b的至少任意一 個(gè)反復(fù)插拔于套筒30時(shí)，防止因套管3的外周部的異物向套管3的端面5的中屯、部移動(dòng)而 產(chǎn)生損失。
[0112] 下面，針對(duì)本發(fā)明人所實(shí)施的與表面粗糖度相關(guān)的研究，參照附圖進(jìn)行說明。 圖10是例示本發(fā)明人所實(shí)施的與表面粗糖度相關(guān)的研究的結(jié)果的一個(gè)例子的表。 圖10(a)是例示加工面（粗糖的面）上的算數(shù)平均粗糖度Ra、平均高度Rc、及失真度 Rsk的表。圖10 (b)是例示未加工面上的算數(shù)平均粗糖度Ra、平均高度Rc、及失真度Rsk的 表。圖10(c)是例示研磨面上的算數(shù)平均粗糖度Ra、平均高度Rc、及失真度Rsk的表。圖 10(d)是例示分別在加工面、未加工面、及研磨面上的算數(shù)平均粗糖度Ra、平均高度Rc、及 失真度Rsk的平均值的表。 陽113]"加工面（粗糖的面）"是指比研磨成凸球面狀的中央部5a的表面更粗糖的面。在 關(guān)于圖6而前述的光插座Ia中，加工面為外側(cè)部11的表面。在關(guān)于圖7而前述的光插座 化中，加工面為錐部13的表面。 "未加工面"是指未實(shí)施有表面加工或表面處理的面。 "研磨面"是指被研磨的面。在關(guān)于圖6而前述的光插座Ia中，研磨面為凸球面狀的中 央部5a的表面。在關(guān)于圖7而前述的光插座Ib中，研磨面為端面5 (在圖7的例子中與中 央部5a同等）。 陽114] 如圖10(a)所示，對(duì)于加工面，測(cè)定了 5個(gè)試樣。如圖10(b)所示，對(duì)于未加工面， 測(cè)定了 5個(gè)試樣。對(duì)于研磨面，測(cè)定了 2個(gè)試樣。
[0115] 算數(shù)平均粗糖度Ra、平均高度Rc及失真度Rsk是基于JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）B0601-2001而算出的。 在本實(shí)施方式中，在W下的條件下測(cè)定了套管3的端面的粗糖度曲線。 測(cè)定儀器：激光顯微鏡（Olympus株式會(huì)社制、化S4000) 測(cè)定倍率：50倍 截止（相位補(bǔ)償型高通濾波器）AC:25ym 由根據(jù)上述的條件測(cè)定的粗糖度曲線，由W下的式（1)求出算數(shù)平均粗糖度Ra,由W下的式似求出平均高度Re,并由W下的式（3)求出失真度Rsk。
[0117] 在式似中，m為輪廓曲線要素的數(shù)，Zti為輪廓曲線要素的高度的平均值。 在式（3)中，Zq為均方根高度，化為粗糖度曲線中的高度的值。
[0118] 失真度Rsk表示凸凹形狀的峰（凸）和谷（凹）的對(duì)稱性。如果凸凹形狀是正弦 分布，則失真度Rsk為0。失真度Rsk為負(fù)是表示，在與套管3的端面垂直的方向上進(jìn)行觀 察時(shí)的峰（凸）的面積比谷（凹）的面積更大（凸部的尖比凹部的尖更?。?。 陽119] 如圖10(a)所示，加工面的算數(shù)平均粗糖度Ra為0. 130W上、0. 192W下。加工 面的算數(shù)平均粗糖度Ra的平均值為0. 166。加工面的平均高度Re為0. 305W上、0. 606W下。加工面的平均高度Re的平均值為0. 489。加工面的失真度Rsk為-0. 355W上、-0. 198 W下。加工面的失真度Rsk的平均值為-0. 268。
[0120] 加工面上的異物對(duì)策效果在全部的試樣上都為0K(O)。 對(duì)于"異物對(duì)策效果"，反復(fù)進(jìn)行向光插座的插頭套管的插拔，每插拔5次對(duì)研磨面上 的異物的附著進(jìn)行了確認(rèn)。在25次反復(fù)向光插座的插頭套管的插拔的情況下，在附著于研 磨面的異物為3個(gè)W下時(shí)，將異物對(duì)策效果作為"0K(O)"。另一方面，在附著于研磨面的 異物為4個(gè)W上時(shí)，將異物對(duì)策效果作為"NG(X)"。 陽121] 如圖10(b)所示，未加工面的算數(shù)平均粗糖度Ra為0.020W上、0.201W下。未 加工面的算數(shù)平均粗糖度Ra的平均值為0. 124。未加工面的平均高度Rc為0. 047W上、 0.072W下。未加工面的平均高度Rc的平均值為0.061。未加工面的失真度Rsk為-0.182 W上、0. 183W下。未加工面的失真度Rsk的平均值為-0. 021。未加工面上的異物對(duì)策效 果在全部的試樣上都為NG(X)。
[0122] 如圖10(c)所示，研磨面的算數(shù)平均粗糖度Ra為0.002W上、0.004W下。研磨 面的算數(shù)平均粗糖度Ra的平均值為0. 003。研磨面的平均高度Rc為0. 008W上、0. 009W 下。研磨面的平均高度Rc的平均值為0. 0085。研磨面的失真度Rsk為0. 532W上、0. 954 W下。研磨面的失真度Rsk的平均值為0. 743。
[0123] 據(jù)此，當(dāng)平均高度Rc相對(duì)大時(shí)，則存在于表面的峰谷的高度大，異物容易在峰或 谷上掛住。因此，當(dāng)平均高度Rc相對(duì)大時(shí)，能夠妨礙異物向中央部5a的移動(dòng)。 另外，當(dāng)失真度Rsk相對(duì)小時(shí)，則平面成為多峰（在寬度相對(duì)大的峰和峰之間存在有寬 度相對(duì)小的谷的狀態(tài)），異物與面的接觸面積相對(duì)較廣。因此，當(dāng)失真度Rsk相對(duì)小時(shí)，則能 夠妨礙異物向中央部5a的移動(dòng)。
[0124] 圖11是例示本發(fā)明人所實(shí)施的與表面粗糖度相關(guān)的研究的結(jié)果的其他的一個(gè)例 子的曲線圖。 本發(fā)明人使用具備具有加工面的套管3的光插座、及具備具有未加工面的套管3的光 插座，而進(jìn)行了與表面粗糖度相關(guān)的研究。本研究的"加工面"是在套管3的成型后，使用 金剛石磨具進(jìn)行了表面加工的面。本研究的"未加工面"是維持了套管3的在成型后所形 成的狀態(tài)的面。
[01巧]研究方法如下所述。首先，充分地進(jìn)行光插座及插頭套管的雙方的清掃，并反復(fù)進(jìn) 行向光插座的插頭套管的插拔。接下來，每插拔5次對(duì)研磨面上的異物的附著進(jìn)行確認(rèn)，并 反復(fù)進(jìn)行30次向光插座的插頭套管的插拔。但是，在研磨面上確認(rèn)有異物的附著的時(shí)刻， 中斷插頭套管的插拔。對(duì)于具備具有加工面的套管3的光插座，測(cè)定了 5個(gè)試樣。對(duì)于具 備具有未加工面的套管3的光插座，測(cè)定了 5個(gè)試樣。試樣數(shù)是W"Telcordia標(biāo)準(zhǔn)"為標(biāo) 準(zhǔn)的。 陽126]研究結(jié)果的一個(gè)例子如圖11所示。圖11所示的曲線圖的橫軸表示在研磨面上確 認(rèn)有異物的附著時(shí)的插頭套管的插拔次數(shù)。圖11所示的曲線圖的縱軸表示在研磨面上附 著有異物的試樣數(shù)（累計(jì)數(shù)）。如圖11所示，在具備具有加工面的套管3的光插座中，在 2