式標(biāo)準(zhǔn)格式)或國(guó)際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)認(rèn)可的格式。需要注意的是，作為示例，圖2所示光罩的參考圖形僅為示意結(jié)構(gòu)。
[0032]同時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)本申請(qǐng)的教導(dǎo)設(shè)定對(duì)上述原始圖形進(jìn)行修正的方法。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，修正原始圖形的步驟包括:截取原始圖形中對(duì)應(yīng)于SEM圖形的部分作為初始參考圖形；對(duì)初始參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理，以獲得中間參考圖形；對(duì)中間參考圖形進(jìn)行放大處理，以獲得與SEM圖形的尺寸匹配的參考圖形。需要注意的是，對(duì)原始圖形進(jìn)行修正的方法還可以為其他方法，并僅限于該優(yōu)選實(shí)施方式。
[0033]在上述對(duì)原始圖形進(jìn)行修正的優(yōu)選實(shí)施方式中，原始數(shù)據(jù)文件可以存放于工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中。此時(shí)，在獲取原始圖形的步驟中，可以打開存放于工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中原始數(shù)據(jù)文件以獲得原始圖形；在獲取中間參考圖形的步驟中，可以采用工作臺(tái)視窗系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)初始參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理，以獲得中間參考圖形。
[0034]在獲取上述初始參考圖形的步驟中，可以截取部分原始圖形作為初始參考圖形。優(yōu)選地，截取邊長(zhǎng)為2?4μ m的原始圖形作為初始參考圖形。當(dāng)需要對(duì)整個(gè)光罩進(jìn)行修復(fù)時(shí)，可以多次執(zhí)行本申請(qǐng)?zhí)峁┑男迯?fù)方法，且多次修復(fù)過程中所截取部分原始圖形的總和覆蓋所有原始圖形。
[0035]獲取上述中間參考圖形的步驟中，邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理可以由工作臺(tái)視窗系統(tǒng)自動(dòng)完成。優(yōu)選地，獲取中間參考圖形的步驟包括:采用工作臺(tái)視窗系統(tǒng)對(duì)參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理，以使初始參考圖形的垂直邊角形成圓角；采用工作臺(tái)視窗系統(tǒng)對(duì)邊角圓滑處理后的初始參考圖形進(jìn)行輪廓抽邊處理，以獲得邊角圓滑處理后的初始參考圖形的圖形輪廓，并將圖形輪廓作為中間參考圖形。
[0036]應(yīng)當(dāng)注意的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員有能力根據(jù)本申請(qǐng)的教導(dǎo)，設(shè)定采用工作臺(tái)視窗系統(tǒng)進(jìn)行上述邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理的參數(shù)。例如，邊角圓滑的程度可以根據(jù)圓滑度(即圓角的大小，度數(shù)越大越接近圓)進(jìn)行定義，且本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)設(shè)定圓角的大小調(diào)整邊角圓滑的程度。
[0037]對(duì)上述中間參考圖形進(jìn)行放大處理的目的是獲得與SEM圖形的尺寸匹配的參考圖形，以便于將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，并便于定位光罩中的缺陷的位置。放大處理的倍數(shù)可以根據(jù)中間參考圖形和參考圖形之間的大小進(jìn)行設(shè)定，且本領(lǐng)域的技術(shù)人員有能力根據(jù)本申請(qǐng)的教導(dǎo)設(shè)定放大處理的倍數(shù)。
[0038]完成打開光罩的原始數(shù)據(jù)文件以獲取光罩的原始圖形，并通過修正原始圖形以獲取光罩的參考圖形的步驟之后，采用掃描機(jī)臺(tái)對(duì)部分光罩進(jìn)行掃描，以獲取光罩的SEM圖形，其結(jié)構(gòu)如圖3所示。其中，掃描機(jī)臺(tái)可以為CDSEM，當(dāng)然還可以為其他成像設(shè)備。采用掃描機(jī)臺(tái)獲取SEM圖形的操作方法及操作參數(shù)(例如真空度、成像倍率等)可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)定。需要注意的是，作為示例，圖3所示光罩的SEM圖形僅為示意結(jié)構(gòu)。
[0039]同時(shí)，由于光罩中含有缺陷，因此采用掃描機(jī)臺(tái)獲取的上述SEM圖形也含有缺陷部分(需要修復(fù)的部分)。在本申請(qǐng)?zhí)峁┑男迯?fù)方法的后續(xù)步驟中，將通過對(duì)參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比以定位光罩中的缺陷的位置，然后再修補(bǔ)光罩中的缺陷。
[0040]完成采用掃描機(jī)臺(tái)對(duì)部分光罩進(jìn)行掃描，以獲取光罩的SEM圖形的步驟之后，將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，以定位光罩中的缺陷的位置，其基體結(jié)構(gòu)如圖4所示。在該步驟中，可以將SEM圖形復(fù)制到工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中，以便于將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比。
[0041]上述定位光罩中的缺陷的位置的方法可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)定。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，定位光罩中的缺陷的位置的步驟包括:將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行疊加，以便于將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比；對(duì)比參考圖形和SEM圖形以找出光罩中的缺陷；獲取光罩中的缺陷的位置坐標(biāo)，以定位光罩中的缺陷的位置。對(duì)比參考圖形和SEM圖形的方式可以為肉眼觀察或缺陷自動(dòng)檢測(cè)，或這兩種方式的結(jié)合。
[0042]完成將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，以定位光罩中的缺陷的位置的步驟之后，修補(bǔ)光罩中的缺陷，進(jìn)而獲得如圖5所示結(jié)構(gòu)的光罩。光罩中的缺陷通常為具有凹陷部或突出部的缺陷，因此可以通過填充凹陷部或去除突出部的方式，實(shí)現(xiàn)修復(fù)光罩中的缺陷的目的。
[0043]優(yōu)選地，填充上述凹陷部的方法為離子反應(yīng)沉積，去除上述突出部的方式為聚焦離子束轟擊。聚焦離子束轟擊或離子反應(yīng)沉積的工藝參數(shù)可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行設(shè)定，在此不再贅述。當(dāng)然，填充凹陷部或去除突出部的方式有很多種，并不僅限于該優(yōu)選實(shí)施方式。
[0044]同時(shí)，本申請(qǐng)還提供了一種光罩，該光罩經(jīng)本申請(qǐng)上述的缺陷修復(fù)方法修復(fù)而成。該光罩中的缺陷得以修復(fù)，從而減少了光罩中的圖形誤差，進(jìn)而提高了采用該光罩定義電路圖形的位置的準(zhǔn)確性，最終提高了所形成器件的性能。
[0045]從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:
[0046](I)通過打開光罩的原始數(shù)據(jù)文件以獲取光罩的原始圖形，并通過修正原始圖形以獲取光罩的參考圖形，然后將參考圖形和光罩的SEM圖形進(jìn)行對(duì)比以定位光罩中的缺陷的位置，從而實(shí)現(xiàn)了修補(bǔ)光罩中的缺陷的目的。
[0047](2)該方法從光罩的原始數(shù)據(jù)文件獲取光罩的參考圖形，因而該方法能夠獲得任何光罩的參考圖形，從而解決了光罩的缺陷修復(fù)方法中難以找到參考圖形的問題。
[0048](3)該方法還通過將SEM圖形復(fù)制到工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中，并通過自動(dòng)參考圖形和所述SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，從而更準(zhǔn)確地獲取光罩中的缺陷位置，進(jìn)而提高了光罩中的缺陷修復(fù)的準(zhǔn)確性。
[0049]以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光罩的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述缺陷修復(fù)方法包括: 打開光罩的原始數(shù)據(jù)文件以獲取所述光罩的原始圖形，并通過修正所述原始圖形以獲取所述光罩的參考圖形； 采用掃描機(jī)臺(tái)對(duì)部分所述光罩進(jìn)行掃描，以獲取所述光罩的SEM圖形； 將所述參考圖形和所述SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，以定位所述光罩中的缺陷的位置； 修補(bǔ)所述光罩中的缺陷。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，修正所述原始圖形的步驟包括: 截取所述原始圖形中對(duì)應(yīng)于所述SEM圖形的部分作為初始參考圖形； 對(duì)所述初始參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理，以獲得中間參考圖形； 對(duì)所述中間參考圖形進(jìn)行放大處理，以獲得與所述SEM圖形尺寸匹配的所述參考圖形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，獲取所述原始圖形的步驟中，打開存放于工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中的所述原始數(shù)據(jù)文件以獲得所述原始圖形。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，獲取所述初始參考圖形的步驟中，截取邊長(zhǎng)為2?4μ m的所述原始圖形作為所述初始參考圖形。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，獲取所述中間參考圖形的步驟中，采用所述工作臺(tái)視窗系統(tǒng)自動(dòng)對(duì)所述初始參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理和輪廓抽邊處理，以獲得所述中間參考圖形。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，獲取所述中間參考圖形的步驟包括: 采用所述工作臺(tái)視窗系統(tǒng)對(duì)所述參考圖形進(jìn)行邊角圓滑處理，以使所述初始參考圖形的垂直邊角形成圓角； 采用所述工作臺(tái)視窗系統(tǒng)對(duì)所述邊角圓滑處理后的所述初始參考圖形進(jìn)行輪廓抽邊處理，以獲得所述邊角圓滑處理后的所述初始參考圖形的圖形輪廓，并將所述圖形輪廓作為所述中間參考圖形。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，在定位所述光罩中的缺陷的位置的步驟中，將所述SEM圖形復(fù)制到所述工作臺(tái)視窗系統(tǒng)中以將所述參考圖形和所述SEM圖形進(jìn)行對(duì)比。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，定位所述光罩中的缺陷的位置的步驟包括: 將所述參考圖形和所述SEM圖形進(jìn)行疊加； 對(duì)比所述參考圖形和所述SEM圖形以找出所述光罩中的缺陷； 獲取所述光罩中的缺陷的位置坐標(biāo)，以定位所述光罩中的缺陷的位置。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，修補(bǔ)所述光罩中的缺陷的方法為聚焦離子束轟擊或離子反應(yīng)沉積。10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的缺陷修復(fù)方法，其特征在于，所述原始數(shù)據(jù)文件為⑶S文件。11.一種光罩,其特征在于,所述光罩經(jīng)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的缺陷修復(fù)方法修復(fù)而成。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了一種光罩的缺陷修復(fù)方法及光罩。其中，該缺陷修復(fù)方法包括：打開光罩的原始數(shù)據(jù)文件以獲取光罩的原始圖形，并通過修正原始圖形以獲取光罩的參考圖形；采用掃描機(jī)臺(tái)對(duì)部分光罩進(jìn)行掃描，以獲取光罩缺陷的SEM圖形；將參考圖形和SEM圖形進(jìn)行對(duì)比，以定位光罩中的缺陷的位置；修補(bǔ)光罩中的缺陷。該方法從光罩的原始數(shù)據(jù)文件獲取光罩的參考圖形，因而該方法能夠獲得任何光罩的參考圖形，從而解決了難以找到光罩的參考圖形的問題。
【IPC分類】G03F1/72
【公開號(hào)】CN105511222
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410542511
【發(fā)明人】施維, 任快俠
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請(qǐng)日】2014年10月14日