本發(fā)明涉及半導體加工技術，特別是涉及不良芯粒標記裝置及方法。

背景技術：

在LED晶圓片制造后段過程，一般包含以下步驟：激光劃片，機械裂片，翻轉(zhuǎn)，擴張，AOI(Automatic Optical Inspection全自動光學檢測)測試，點測，分選等。分選過后的成品是由一顆顆的單個芯粒組成，每個芯粒上都有正極和負極。

按照芯粒出廠規(guī)格一般將LED晶圓片分成圓片和方片。方片是芯片廠最終出廠的成品，按照一定的亮度，顏色，電壓，ESD(靜電測試)等分類，屬于正規(guī)品。而圓片是激光劃片后沒有按照上述參數(shù)進行分選分級，其直接出售的產(chǎn)品，一般經(jīng)過AOI，點測等工序后，不經(jīng)過分選直接入庫，最終圓片的良率是AOI測試的總體良率和點測的良率。由于每片晶圓片中單個芯粒尺寸較小，一般是100～500um的尺寸大小，一片兩寸的晶圓片上一般有幾萬顆芯粒，終端客戶在使用圓片的時候無法準確得知每個單個芯粒的良率，即無法確定哪些芯粒是不良品，這種因素會影響圓片的使用效率。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種能夠方便終端客戶對不良芯粒進行判斷的不良芯粒標記裝置，同時還提供一種使用該不良芯粒標記裝置的不良芯粒標記方法。

一種不良芯粒標記裝置，包括：

載臺，所述載臺用于承載多個芯粒；

激光打標機構(gòu)，正對于所述載臺，所述激光打標機構(gòu)包括激光發(fā)生器、振鏡及聚焦鏡；

其中，多個所述芯?？山?jīng)過全自動光學檢測以確定不良芯粒的位置，所述激光發(fā)生器能夠發(fā)出激光，所述激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過所述振鏡的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至所述不良芯粒的位置，并通過所述聚焦鏡的聚焦，以對所述不良芯粒進行打標。

一種不良芯粒標記方法，包括以下步驟：

提供權(quán)利要求1所述的不良芯粒標記裝置；

獲取經(jīng)過全自動光學檢測的所述不良芯粒的位置信息；

所述激光發(fā)生器發(fā)出激光，所述激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過所述振鏡的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至所述不良芯粒的位置，并通過所述聚焦鏡的聚焦，以對所述不良芯粒進行打標。

在其中一個實施例中，在所述獲取經(jīng)過全自動光學檢測的所述不良芯粒的位置信息的步驟之前，還包括步驟：

通過全自動光學檢測多個所述芯粒，以確定所述不良芯粒，并確定所述不良芯粒的位置信息。

在其中一個實施例中，在所述獲取經(jīng)過全自動光學檢測的所述不良芯粒的位置信息的步驟之前，還包括步驟：

再次對多個所述芯粒進行掃描以確定所述不良芯粒的位置信息。

在其中一個實施例中，所述不良芯粒的位置信息為所述不良芯粒的坐標值。

在其中一個實施例中，所述激光發(fā)生器發(fā)出激光為紫外激光，波長為355nm，單點能量范圍是1～100uj。

在其中一個實施例中，對所述不良芯粒進行打標的方式為對所述不良芯粒的電極進行打標。

在其中一個實施例中，多個所述芯粒均貼合于藍膜上，并通過所述藍膜放置于所述載臺上。

上述不良芯粒標記裝置及使用該不良芯粒標記裝置的不良芯粒標記方法，能夠?qū)Σ涣夹玖＿M行激光打標，使得不良芯粒容易被終端客戶識別和辨認，解決了傳統(tǒng)的晶圓片制程領域圓片中不良芯粒無法識別的問題，提高了圓片的利用效率?？梢员苊夂罄m(xù)工序中對不良芯粒進行點測，分選等工藝，從而提高了生產(chǎn)效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他實施例的附圖。

圖1為本發(fā)明一實施例中不良芯粒標記裝置的工作示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中不良芯粒標記方法的流程圖；

圖3為芯粒的坐標示意圖；及

圖4為多個芯粒的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關附圖對本發(fā)明進行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn)，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發(fā)明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請一并參閱圖1，本發(fā)明一實施例中的不良芯粒標記裝置100，包括載臺110及激光打標機構(gòu)130。

載臺110用于承載多個芯粒20。多個芯粒20由圓形的晶圓片經(jīng)過激光劃片、機械裂片、翻轉(zhuǎn)、擴張等工藝形成。多個芯粒20在載臺110上排布。具體的，多個芯粒20均貼合于一藍膜30上，并通過藍膜30放置于載臺110上。

激光打標機構(gòu)130正對于載臺110。激光打標機構(gòu)130包括激光發(fā)生器(圖未示)、振鏡132及聚焦鏡134。

請一并參閱圖3，其中，多個芯粒20可經(jīng)過全自動光學檢測以確定不良芯粒40的位置。激光發(fā)生器能夠發(fā)出激光。激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過振鏡132的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至不良芯粒40的位置，并通過聚焦鏡134的聚焦，以對不良芯粒40進行打標。

上述不良芯粒標記裝置100，能夠?qū)Σ涣夹玖?0進行激光打標，使得不良芯粒40容易被終端客戶識別和辨認，解決了傳統(tǒng)的晶圓片制程領域圓片中不良芯粒40無法識別的問題，提高了圓片的利用效率。

此外，請一并參閱圖2，本發(fā)明還提供了一種不良芯粒標記方法，其具體包括以下步驟：

步驟S210，提供上述不良芯粒標記裝置100。

步驟S230，獲取經(jīng)過全自動光學檢測的不良芯粒40的位置信息。

具體的，多個芯粒20在載臺110上排布。多個芯粒20均貼合于一藍膜30上，并通過藍膜30放置于載臺110上。

需要指出的是，在步驟S230之前，還包括步驟S222，通過全自動光學檢測多個芯粒20，以確定不良芯粒40，并確定不良芯粒40的位置信息。

通過對載臺110上的多個芯粒20進行全自動光學檢測，以確定不良芯粒40，并確定不良芯粒40的位置信息。

不良芯粒40的位置信息具體可為不良芯粒40的坐標值。請再次參閱圖3，多個芯粒20粘于藍膜30上固定。芯粒20的電極N極43和P極41朝上，每個芯粒20之間已經(jīng)通過激光加工，裂片，翻膜，擴張等工序后相互分離。由于藍膜30的粘性每個芯粒20之間的相對位置基本固定不變。如設置系統(tǒng)中的一點O點的坐標為(0,0)，其它每一個芯粒20的中心在x和y方向都有一個確定的坐標值(x_i,y_i)。經(jīng)過全自動光學檢測后，全自動光學檢測工序會判斷部分的芯粒20為不良芯粒40，如圖3中的不良芯粒40等，這些不良芯粒40的坐標值被記錄下來。

為了保證不良芯粒40的位置信息的正確，在步驟S230之前，還可包括步驟S224，再次對多個芯粒20進行掃描以確定不良芯粒40的位置信息。

步驟S250，激光發(fā)生器發(fā)出激光，激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過振鏡132的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至不良芯粒40的位置，并通過聚焦鏡134的聚焦，以對不良芯粒40進行打標。

激光經(jīng)過振鏡132和聚焦鏡134后，振鏡132根據(jù)不良芯粒40的坐標值，移動激光聚焦的焦點在x方向和y方向的位置，使激光聚焦的焦點分別作用于芯粒20上，經(jīng)過聚焦鏡134聚焦后，激光將芯粒20打黑，以達到便于識別的目的。

具體在本實施例中，激光發(fā)生器發(fā)出激光為紫外激光，波長為355nm，單點能量范圍是1～100uj。

具體的，請一并參閱圖4，對不良芯粒40進行打標的方式為對不良芯粒40的電極進行打標。在激光聚焦的作用下，不良芯粒40的P極41和N極43被激光加工打黑，以方便終端客戶對其進行識別。

上述不良芯粒標記裝置100及使用該不良芯粒標記裝置100的不良芯粒標記方法，能夠?qū)Σ涣夹玖?0進行激光打標，使得不良芯粒40容易被終端客戶識別和辨認，解決了傳統(tǒng)的晶圓片制程領域圓片中不良芯粒40無法識別的問題，提高了圓片的利用效率。可以避免后續(xù)工序中對不良芯粒40進行點測，分選等工藝，從而提高了生產(chǎn)效率。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權(quán)利要求為準。