1.一種不良芯粒標(biāo)記裝置，其特征在于，包括：
載臺，所述載臺用于承載多個芯粒；
激光打標(biāo)機構(gòu)，正對于所述載臺，所述激光打標(biāo)機構(gòu)包括激光發(fā)生器、振鏡及聚焦鏡；
其中，多個所述芯?？山?jīng)過全自動光學(xué)檢測以確定不良芯粒的位置，所述激光發(fā)生器能夠發(fā)出激光，所述激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過所述振鏡的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至所述不良芯粒的位置，并通過所述聚焦鏡的聚焦，以對所述不良芯粒進(jìn)行打標(biāo)。
2.一種不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供權(quán)利要求1所述的不良芯粒標(biāo)記裝置；
獲取經(jīng)過全自動光學(xué)檢測的所述不良芯粒的位置信息；
所述激光發(fā)生器發(fā)出激光，所述激光發(fā)生器發(fā)出的激光經(jīng)過所述振鏡的調(diào)節(jié)將激光聚焦點移至所述不良芯粒的位置，并通過所述聚焦鏡的聚焦，以對所述不良芯粒進(jìn)行打標(biāo)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，在所述獲取經(jīng)過全自動光學(xué)檢測的所述不良芯粒的位置信息的步驟之前，還包括步驟：
通過全自動光學(xué)檢測多個所述芯粒，以確定所述不良芯粒，并確定所述不良芯粒的位置信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，在所述獲取經(jīng)過全自動光學(xué)檢測的所述不良芯粒的位置信息的步驟之前，還包括步驟：
再次對多個所述芯粒進(jìn)行掃描以確定所述不良芯粒的位置信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，所述不良芯粒的位置信息為所述不良芯粒的坐標(biāo)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，所述激光發(fā)生器發(fā)出激光為紫外激光，波長為355nm，單點能量范圍是1～100uj。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，對所述不良芯粒進(jìn)行打標(biāo)的方式為對所述不良芯粒的電極進(jìn)行打標(biāo)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的不良芯粒標(biāo)記方法，其特征在于，多個所述芯粒均貼合于藍(lán)膜上，并通過所述藍(lán)膜放置于所述載臺上。