本發(fā)明涉及一種基板的生產(chǎn)方法,具體涉及一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù):
UV激光切割用于對(duì)柔性線路板和有機(jī)覆蓋膜進(jìn)行精密切割,現(xiàn)有的UV激光切割成單PCS的生產(chǎn)方法具有以下缺點(diǎn):
(1)切割完成后基板散落在機(jī)器臺(tái)面上不易拿取,對(duì)生產(chǎn)品質(zhì)有隱患,生產(chǎn)效率低;
(2)激光能量設(shè)置過高手指容易氧化,能量過低單PCS連接筋不易掉落;連接筋不易掉落產(chǎn)生的廢料對(duì)生產(chǎn)品質(zhì)有影響,后制程擺盤操作時(shí)生產(chǎn)效率低;
(3)基板鏤空區(qū)太多設(shè)備吸力吸不住切割過程中容易產(chǎn)生偏移,增加了人工返檢,生產(chǎn)成本提高且產(chǎn)品品質(zhì)無法保證影響正常交貨。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明針對(duì)上述問題提出了一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,提高設(shè)備利用率,提高了產(chǎn)能和品質(zhì),降低了成本。
具體的技術(shù)方案如下:
一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其方法為:
(1)選取專用的治具板底板;
(2)在治具板底板上鉆第一穿孔和第二穿孔;
(3)在治具板底板上一次控深銑切得到第一銑槽;
(4)在治具板底板上二次控深銑切得到第二銑槽;
(5)在治具板底板上銑外圍得到治具板成品;
(6)將切割基板固定在治具板上,單PCS基板位于第一銑槽和第二銑槽內(nèi);
(7)校正UV激光設(shè)備能量使切割基板定位;
(8)對(duì)切割基板UV激光后得到單PCS基板,取板,擺盤。
上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其中,所述第一穿孔的數(shù)量為兩個(gè),位于第一銑槽內(nèi),第一穿孔為直徑3.5mm的圓孔。
上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其中,所述第二穿孔為直徑2.5mm的圓孔,第二穿孔兩側(cè)半銑穿深度2mm第三銑槽,第二穿孔位于相鄰的兩個(gè)第一銑槽之間。
上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其中,所述第一銑槽深度為0.5mm。
上述一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其中,所述第二銑槽深度為1.5mm。
本發(fā)明的有益效果為:
(1)提高設(shè)備利用率,從而提高產(chǎn)能;
(2)避免品質(zhì)異常的發(fā)生,提高產(chǎn)品的良率,減少人員的返工,降低生產(chǎn)運(yùn)營的成本;
(3)配合輔助設(shè)備使用,單PCS整齊卡在治具槽里,實(shí)現(xiàn)擺盤由手動(dòng)更改為自動(dòng);
(4)第一銑槽和第二銑槽用于固定基板,第一穿孔用于吸住基板加以二次固定,第二穿孔和第三銑槽用于吸走落下的廢料,使單PCS基板分離;
(5)綜上所述,本發(fā)明提高設(shè)備利用率,提高了產(chǎn)能和品質(zhì),降低了成本。
附圖說明
圖1為本發(fā)明治具盤結(jié)構(gòu)圖。
圖2為本發(fā)明治具盤A部放大圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的技術(shù)方案更加清晰明確,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步描述,任何對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案的技術(shù)特征進(jìn)行等價(jià)替換和常規(guī)推理得出的方案均落入本發(fā)明保護(hù)范圍。
附圖標(biāo)記
治具板底板1、第一穿孔2、第二穿孔3、第一銑槽4、第二銑槽5、第三銑槽6。
如圖所示一種UV激光切割成單PCS基板的生產(chǎn)方法,其方法為:
(1)選取專用的治具板底板1;
(2)在治具板底板上鉆第一穿孔2和第二穿孔3;
(3)在治具板底板上一次控深銑切得到第一銑槽4,所述第一銑槽深度為0.5mm;
(4)在治具板底板上二次控深銑切得到第二銑槽5,所述第二銑槽深度為1.5mm;
(5)在治具板底板上銑外圍得到治具板成品,所述第一穿孔的數(shù)量為兩個(gè),位于第一銑槽內(nèi),第一穿孔為直徑3.5mm的圓孔,所述第二穿孔為直徑2.5mm的圓孔,第二穿孔兩側(cè)半銑穿深度2mm第三銑槽6,第二穿孔位于相鄰的兩個(gè)第一銑槽之間;
(6)將切割基板固定在治具板上,單PCS基板位于第一銑槽和第二銑槽內(nèi);
(7)校正UV激光設(shè)備能量使切割基板定位;
(8)對(duì)切割基板UV激光后得到單PCS基板,取板,擺盤。