本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種鉻鉬靶材的制造方法。

背景技術(shù)：

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)與氣體都發(fā)生電離，再利用電場的加速作用，使被蒸發(fā)物質(zhì)及其反應(yīng)產(chǎn)物沉積在工件上的技術(shù)。PVD技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造業(yè)、太陽能行業(yè)、液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)制造業(yè)等多種行業(yè)的核心技術(shù)。

難熔金屬鉻鉬合金硬度高、性能穩(wěn)定，是良好的耐磨材料和導(dǎo)熱材料。鉻鉬合金能夠經(jīng)受高溫，且在高溫下仍舊性能穩(wěn)定，同時還具有優(yōu)良的抗化學(xué)腐蝕能力，因此鉻鉬合金在汽車活塞環(huán)、鈦合金表面、磁存儲材料等領(lǐng)域常作為耐磨層的材料。具體地，在汽車活塞環(huán)、鈦合金等表面進行鍍膜，形成鉻鉬材質(zhì)的耐磨層。

然而，現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)的鉻鉬靶材，無法滿足高端制造業(yè)對于靶材質(zhì)量的要求。因此實現(xiàn)高質(zhì)量鉻鉬靶材的制造工藝是相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域工作人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種鉻鉬靶材的制造方法，以獲得高質(zhì)量的鉻鉬靶材。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種鉻鉬靶材的制造方法，包括：

提供鉻粉和鉬粉；

將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合，形成混合粉末；

采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料；

將所述鉻鉬靶材坯料制成鉻鉬靶材。

可選的，提供鉻粉和鉬粉的步驟包括：所述鉬粉粒度在2μm～3μm之間；所述鉻粉粒度為小于45μm。

可選的，形成混合粉末的步驟包括：采用干混工藝將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合，形成混合粉末。

可選的，在所述干混工藝中采用鉬球作為研磨介質(zhì)球。

可選的，所述干混工藝中所述研磨介質(zhì)球和混合粉末的球料質(zhì)量比為3:10～5:10。

可選的，所述干混工藝的混合時間為不小于24小時。

可選的，形成混合粉末的步驟之后，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的步驟之前，所述制造方法還包括：將混合粉末放入模具中；將混合粉末在模具內(nèi)壓實以形成生坯。

可選的，將混合粉末放入模具中的步驟包括：所述模具為石墨模具。

可選的，將混合粉末放入模具中的步驟包括：所述混合粉末的表面平面度小于2mm。

可選的，將混合粉末在模具內(nèi)壓實以形成生坯的步驟包括：人工用壓柱將混合粉末在模具內(nèi)壓實以形成生坯。

可選的，將混合粉末在模具內(nèi)壓實以形成生坯的步驟包括：壓實后所形成的生坯的表面平面度小于1mm。

可選的，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的步驟包括：抽真空至真空度在100Pa以下；對所述生坯升溫至間歇溫度并進行保溫；繼續(xù)升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓，以獲得鉻鉬靶材坯料。

可選的，對所述生坯升溫至間歇溫度并進行保溫的步驟包括：升溫速度為8～12℃/min，所述間歇溫度為1000℃～1100℃。

可選的，對所述生坯升溫至間歇溫度并進行保溫的步驟包括：溫度維持 在1000℃～1100℃，保溫時間為1到2小時。

可選的，繼續(xù)升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓的步驟包括：升溫速度為3～7℃/min，加壓速度為2t/min～3t/min，保壓壓強為20MPa～30MPa。

可選的，繼續(xù)升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓的步驟包括：維持保溫溫度和保壓壓強，保溫保壓的時間為1到3小時。

可選的，繼續(xù)升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓，以獲得鉻鉬靶材坯料的步驟還包括：使所述鉻鉬靶材坯料冷卻，待溫度降至200℃后，獲得鉻鉬靶材坯料。

可選的，使所述鉻鉬靶材坯料冷卻的步驟之后，獲得鉻鉬靶材坯料的步驟之前，所述制造方法還包括：充入惰性氣體至相對壓強為-0.06MPa～-0.08MPa。

可選的，所述惰性氣體為氬氣。

可選的，將所述鉻鉬靶材坯料制成鉻鉬靶材的步驟包括：對所述鉻鉬靶材坯料進行機械加工，以使所述鉻鉬靶材符合設(shè)計規(guī)格。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明通過采用真空熱壓工藝，將經(jīng)過混合的鉻粉和鉬粉制成鉻鉬靶材，而且1300℃～1400℃的保溫溫度有利于鉻原子和鉬原子的擴散，因此能夠有效的降低所制成鉻鉬靶材內(nèi)部的空隙率，提高靶材的致密度和強度。所以本發(fā)明的制造方法能夠獲得致密度大于或等于99％的高致密度鉻鉬靶材，并且所獲得的鉻鉬靶材微觀結(jié)構(gòu)均勻，能夠滿足磁控濺射對靶材純度和密度的要求。

可選的，本發(fā)明制造方法在采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的過程中，可以在間歇溫度進行保溫，以使模具中靶材生坯的溫度更加均勻，避免了最終獲得的靶材因制造過程中的溫度不均而出現(xiàn)分層現(xiàn)象，能夠進一步提高靶材微觀結(jié)構(gòu)的均勻性，提高靶材的質(zhì)量。

可選的，本發(fā)明制造方法在混合鉻粉和鉬粉的過程中，采用鉬球作為混粉工藝的研磨介質(zhì)球。由于本發(fā)明所需要使用的一種原材料即為鉬粉，所以采用鉬球作為研磨介質(zhì)球不會對材料造成雜質(zhì)污染。因此利用鉬球作為研磨介質(zhì)球制備得到的所述混合粉末成分純凈，所以本發(fā)明的制造方法能夠獲得高純度的鉻鉬靶材。

附圖說明

圖1是本發(fā)明鉻鉬靶材的制造方法一實施例的流程圖；

圖2是圖1中步驟S300采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料步驟的流程圖；

圖3是圖2中步驟S330采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料步驟的流程圖。

具體實施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)中存在難以制造高質(zhì)量鉻鉬靶材的問題。現(xiàn)結(jié)合鉻鉬靶材生產(chǎn)、使用情況分析問題的原因：

由于濺射技術(shù)中所采用的鉻鉬靶材一般要求材料純度大于等于99.9％，相對致密度較高(需要大于或等于99％)，且還要求微觀結(jié)構(gòu)均勻、無裂紋缺陷等。而現(xiàn)有技術(shù)制造的鉻鉬靶材密度低，無法滿足制造業(yè)對靶材質(zhì)量的要求。

為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種鉻鉬靶材的制造方法，包括如下步驟：

提供鉻粉和鉬粉；將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合，形成混合粉末；采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料；將所述鉻鉬靶材坯料制成鉻鉬靶材。

本發(fā)明通過采用真空熱壓工藝，將經(jīng)過混合的鉻粉和鉬粉制成鉻鉬靶材，而且1300℃～1400℃的保溫溫度有利于鉻原子和鉬原子的擴散，因此能夠有效的降低所制成鉻鉬靶材內(nèi)部的空隙率，提高靶材的致密度和強度。所以本發(fā)明的制造方法能夠獲得致密度大于或等于99％的高致密度鉻鉬靶材，并且所獲得的鉻鉬靶材微觀結(jié)構(gòu)均勻，能夠滿足磁控濺射對靶材純度和密度的要求。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。

參考圖1，示出了本發(fā)明鉻鉬靶材的制造方法一實施例的流程圖。

首先執(zhí)行步驟S100，提供鉻粉和鉬粉。

為了提高最終形成鉻鉬靶材的質(zhì)量，選取純度以及其他性能適宜的高純度鉻粉和鉬粉作為原料。可選的，本實施例中，所述鉻粉為純度大于或等于3N(鉻含量不低于99.9％)的高純度鉻粉，粒度小于45μm；所述鉬粉為純度大于或等于3N5(鉬含量不低于99.95％)的高純度鉬粉，粒度在2μm～3μm之間。選擇上述粒度范圍的鉻粉和鉬粉是為了方便后續(xù)加工能夠盡快形成所需粒度的混合粉末，以保證最終制取的鉻鉬靶材晶粒細(xì)小。

之后，執(zhí)行步驟S200，將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合，形成混合粉末。

按一定質(zhì)量比例將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合。所述質(zhì)量比根據(jù)最終需要制取的鉻鉬靶材成分而定。本實施例中，所述鉻粉和所述鉬粉的質(zhì)量比為(5±0.05):4。

具體的，將所述鉻粉和所述鉬粉進行混合形成混合粉末的步驟包括：采用干混工藝將所述鉻粉和所述鉬粉進行機械混合，形成混合粉末。本實施例中，采用混粉機對所述鉻粉和所述鉬粉進行機械混合。

采用混粉機干混通常將需要混合的材料加入混粉機中，通過混粉機中的研磨介質(zhì)球?qū)⒎哿蠑嚢韬脱心ィ瑥亩旌显谝黄?，形成成分均勻的混合粉末?/p>

干混過程中，研磨介質(zhì)球的材質(zhì)和球料質(zhì)量比(即研磨介質(zhì)球與混合粉末的質(zhì)量比)對混合效果具有相當(dāng)?shù)挠绊憽１緦嵤├胁捎勉f球作為研磨介質(zhì)球。這是因為，鉬材料密度大、硬度高，所以鉬球能夠有效對粉末進行研磨混合。此外鉬的耐磨性較好，不易磨損，而且本發(fā)明所需要使用的混合粉末中，其中一種材料即為鉬粉，所以即使有微量的鉬從鉬球上研磨到混合粉末中，也不會對粉末造成雜質(zhì)污染。

如果干混過程中加入的研磨介質(zhì)球太少，會導(dǎo)致混合不均勻；如果加入的研磨介質(zhì)球太多，會導(dǎo)致混合時溫度過高。因此本實施例中，所述球料質(zhì) 量比為3:10～5:10，采用這樣的球料質(zhì)量比，研磨介質(zhì)球可以對鉻粉和鉬粉進行充分的攪拌、研磨和混合。

為了使鉻粉和鉬粉能夠得到充分的研磨和混合，以保證粉末混合均勻，本實施例中，所述鉻粉和鉬粉進行干混工藝的混合時間為不少于24小時。

獲得混合粉末之后，執(zhí)行步驟S300，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料。

結(jié)合參考圖2，示出了圖1中步驟S300，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料步驟的流程圖。

具體的，形成混合粉末的步驟之后，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的步驟之前，所述制造方法還包括：

執(zhí)行步驟S310，將混合粉末放入模具中。

首先將前述過程制得的混合粉末封裝于模具中，模具的尺寸根據(jù)最終制取的鉻鉬靶材的尺寸選擇。本實施例中，采用的模具為石墨模具。

需要說明的是，本實施例中采用石墨模具的做法僅為一示例。還可以采用碳-碳復(fù)合材料形成所述模具，碳-碳復(fù)合材料是以碳為基體，以碳纖維、石墨纖維或它們的織物為增強體構(gòu)成的復(fù)合物。碳-碳復(fù)合材料形成的模具具有強度高、變形小、熔點高等優(yōu)點，且在加熱條件下碳-碳復(fù)合材料的模具不易被氧化。除此之外，在本發(fā)明其他實施例中，只要符合強度高、變形小、熔點高，且在加熱條件下不易被氧化要求的其他材料也可以用以形成模具，本發(fā)明對此不做限制。

將所述混合粉末裝入所述石墨模具中，并使所述混合粉末表面的平面度在2mm以下，即裝入混合粉末時，注意攤平所述混合粉末，使混合粉末在所述模具中平整鋪實，之后通過模具的封蓋蓋住所述混合粉末。

之后，執(zhí)行步驟S320，將混合粉末在模具內(nèi)壓實以形成生坯。

對盛有混合粉末的石墨模具進行壓實處理，以形成生坯。

具體的，由于在后續(xù)還需要對盛有粉末的模具進行真空熱壓處理，本步 驟中的壓實處理僅起到過渡作用?？紤]到模具的耐壓能力，本實施例中，采用人工用壓柱施壓的方法將混合粉末在模具中壓實形成生坯。在壓力作用下，所述混合粉末被壓實，壓實后所形成生坯表面的平面度小于1mm。

在形成生坯后，執(zhí)行步驟S330，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料。

采用真空熱壓工藝一方面可以避免所形成的鉻鉬靶材的晶粒結(jié)構(gòu)發(fā)生較大偏移，從而可以提高最終制取的鉻鉬靶材的工藝性能和機械性能；另一方面能夠消除所述生坯內(nèi)部的空隙，以形成高致密度的鉻鉬靶材，并使所形成的鉻鉬靶材內(nèi)部結(jié)構(gòu)更加均勻。

具體的，本實施例中，采用真空熱壓爐對所述生坯進行真空熱壓處理。

結(jié)合參考圖3，示出了圖2中步驟S330，采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料步驟的流程圖。

采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的步驟包括：

首先執(zhí)行步驟S331，抽真空至真空度在100Pa以下。

壓實模具內(nèi)的混合粉末形成生坯之后，將盛裝有所述生坯的模具放置于真空熱壓爐內(nèi)。之后，對真空熱壓爐進行抽真空處理，使真空熱壓爐內(nèi)真空度在100Pa以下。

接著執(zhí)行步驟S332，對所述生坯升溫至間歇溫度并進行保溫。

當(dāng)抽真空處理完成以后，開始以一定的速率使所述生坯升溫至間歇溫度。具體的，升溫速度為8～12℃/min，升溫達到的間歇溫度為1000℃～1100℃。本實施例中，所述升溫速度為10℃/min，升溫達到的間歇溫度為1000℃。

需要說明的是，在盛裝有所述生坯的模具放置于真空熱壓爐內(nèi)時，所述真空熱壓爐的壓柱接觸模具，但不加壓。但是在升溫過程中，由于熱脹冷縮效應(yīng)，模具內(nèi)的混合粉末開始膨脹，使真空熱壓爐壓柱與模具間的壓力逐漸增大。本實施例中，在升溫到間歇溫度的過程中，壓柱和模具間的壓力會逐漸增大至10t(噸)～15t。此時，進行卸壓，卸壓至5t～8t，即將真空熱壓爐的 壓柱后退，使真空熱壓爐壓柱與模具間的壓力減小至5t～8t。

在升溫至間歇溫度后，進行保溫。

為了使模具內(nèi)所述生坯的溫度更加均勻，避免最終制取的鉻鉬靶材性能不均勻而出現(xiàn)分層現(xiàn)象，在升溫至間歇溫度后，維持溫度在1000℃～1100℃，進行保溫，保溫時間為1到2小時。本實施例中，維持溫度在1000℃，保溫時間為1.5小時。

之后執(zhí)行步驟S333，繼續(xù)升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓，以獲得鉻鉬靶材坯料。

具體的，在步驟S332的保溫之后，繼續(xù)以一定速率升溫至1300℃～1400℃的保溫溫度。升溫過程中，利用真空熱壓爐壓柱緩慢對模具進行加壓，直至模具中所述生坯承受到的壓強達到保壓壓強。

需要說明的是，由于生坯內(nèi)的原子遷移僅僅在高溫情況下才以減小空隙的體擴散為主，而在升溫過程中，生坯內(nèi)原子遷移以表面擴散為主，而原子的表面擴散會改變生坯內(nèi)顆粒間空隙的形狀，會影響最終制取的鉻鉬靶材的性能。但是如果升溫速率過快，真空熱壓爐爐溫不易擴散，容易造成真空熱壓爐爐溫不均勻，產(chǎn)生爐溫偏差。因此為了盡快升溫至保溫溫度，使生坯內(nèi)原子遷移以減小空隙的體擴散為主，升溫速度為3～7℃/min。本實施例中，真空熱壓爐的升溫速率為5℃/min。

真空熱壓保溫溫度的升高有利于鉻原子和鉬原子的擴散，降低所制成的鉻鉬靶材內(nèi)部的空隙率，提高靶材的致密度和強度。但是如果保溫溫度過高，不僅浪費能源，而且還會促使所述生坯中的混合粉末發(fā)生重結(jié)晶，而是后續(xù)制得的鉻鉬靶材性能惡化。其中若溫度接近1857℃時，可能導(dǎo)致鉻發(fā)生熔化，而鉬仍為固態(tài)粉末狀，兩者混合在溫度和壓力的作用下易形成糊狀粉末，燒結(jié)完畢后冷卻過程中會形成局部收縮，造成過燒、組織不均勻等缺陷，導(dǎo)致鉻鉬靶材制取失敗。而如果保溫溫度太低，所述生坯難以獲得相對致密的鉻鉬靶材坯料。因此，真空熱壓爐升溫至的保溫溫度為1300℃～1400℃。本實施例中，所述保溫溫度為1400℃。

真空熱壓使得鉻鉬靶材中鉻顆粒和鉬顆粒之間產(chǎn)生較大的塑性形變，從 而使制取的鉻鉬靶材坯料內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積緊密，因此真空熱壓工藝能夠?qū)λ錾鬟M行的致密處理。保壓壓強越大，最終制得的鉻鉬靶材坯料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)越緊密。若保壓壓強不足，使得所述生坯難以產(chǎn)生的塑性形變；但是如果保壓壓強太大，則會造成不必要的能源浪費。因此本實施例中，對模具加壓的速率為2t/min～3t/min，加壓達到的保壓壓強為20MPa～30MPa。

在達到保溫溫度和保壓壓強之后，進行保溫保壓。如果保溫保壓時間過短，所述鉻鉬靶材坯料致密化過程不易準(zhǔn)確控制；如果保溫保壓時間過長，所述鉻鉬靶材坯料會出現(xiàn)重結(jié)晶現(xiàn)象，即晶粒會長大超出后續(xù)所述鉻鉬靶材內(nèi)部晶粒的尺寸，而且保溫保壓時間過長還會耗費不必要的能源。因此，在達到保溫溫度和保壓壓強之后，進行保溫保壓的時間為1到3小時。具體的，本實施例中，進行保溫保壓的時間為2小時。

需要說明的是，在升溫加壓、保溫保壓的過程中，模具生坯內(nèi)的混合粉末產(chǎn)生塑性形變，使得生坯內(nèi)位錯密度大幅增加。隨著保溫保壓時間的延長，鉻顆粒和鉬顆粒之間開始產(chǎn)生原子鍵連和原子重排。鉻原子和鉬原子在表面張力的作用下，通過位錯滑移、攀移、擴散、擴散蠕變等各種機制(以擴散機制為主)發(fā)生遷移，實現(xiàn)原子重排而相互靠近，晶粒生長。鉻顆粒和鉬顆粒之間的空隙逐漸消失，即鉻顆粒和鉬顆粒之間的空隙體積減小，晶界面積增大，最終使得所制取的鉻鉬靶材坯料中空隙率近似于零，實現(xiàn)了所述鉻鉬靶材坯料的致密化，形成致密度大于等于99％的所述鉻鉬靶材坯料。

本發(fā)明技術(shù)方案，通過設(shè)置一定的升溫速度、加壓速率以及靶材保溫溫度和保壓壓力，使靶材坯料形成過程中鉻顆粒和鉬顆粒之間的空隙基本消失，此外經(jīng)過多次保溫使靶材坯料內(nèi)部結(jié)構(gòu)相對均勻，因此能夠形成高致密度、高均勻性、晶粒細(xì)小、加工性能良好的高質(zhì)量靶材坯料。

采用真空熱壓工藝形成所述鉻鉬靶材之后，將真空熱壓爐關(guān)機，以進行卸壓降溫。具體的，升溫至保溫溫度并加壓至保壓壓強并進行保溫保壓的步驟之后，所述制造方法還包括：使所述鉻鉬靶材坯料冷卻，待溫度降至200℃后，獲得鉻鉬靶材坯料。若冷卻溫度高于200℃，則無法將溫度較高的所述鉻鉬靶材坯料從密閉的真空熱壓爐中取出。

需要說明的是，為了防止制得的鉻鉬靶材坯料在卸壓冷卻過程中發(fā)生氧化，本實施例中，在使所述鉻鉬靶材坯料冷卻的步驟之后，獲得鉻鉬靶材坯料的步驟之前，所述制造方法還包括：向真空熱壓爐中填充惰性氣體，至爐內(nèi)相對壓力為-0.06MPA～-0.08MPa。具體的，所述惰性氣體為氬氣。

繼續(xù)參考圖1，最后執(zhí)行步驟S400，將所述鉻鉬靶材坯料制成鉻鉬靶材。

具體的，將所述鉻鉬靶材坯料制成鉻鉬靶材的步驟包括：對冷卻后的所述鉻鉬靶材坯料進行包括磨削、車削或線切割等的機械加工，以使所述鉻鉬靶材符合設(shè)計規(guī)格(達到預(yù)設(shè)的形狀和尺寸)。

綜上，本發(fā)明通過采用真空熱壓工藝，將經(jīng)過混合的鉻粉和鉬粉制成鉻鉬靶材，而且1300℃～1400℃的保溫溫度有利于鉻原子和鉬原子的擴散，此能夠有效的降低所制成鉻鉬靶材內(nèi)部的空隙率，提高靶材的致密度和強度。所以本發(fā)明的制造方法能夠獲得致密度大于或等于99％的高致密度鉻鉬靶材，并且所獲得的鉻鉬靶材微觀結(jié)構(gòu)均勻，能夠滿足磁控濺射對靶材純度和密度的要求。此外，本發(fā)明制造方法在采用保溫溫度為1300℃～1400℃的真空熱壓工藝將所述混合粉末制成鉻鉬靶材坯料的過程中，可以在間歇溫度進行保溫，以使模具中靶材生坯的溫度更加均勻，避免了最終獲得的靶材應(yīng)制造過程中的溫度不均而出現(xiàn)分層現(xiàn)象，能夠進一步提高靶材微觀結(jié)構(gòu)的均勻性，提高靶材的質(zhì)量。進一步，本發(fā)明制造方法在混合鉻粉和鉬粉的過程中，可以采用鉬球作為混粉工藝的研磨介質(zhì)球。由于本發(fā)明所需要使用原材料中，其中一種材料即為鉬粉，所以采用鉬球作為研磨介質(zhì)球不會對材料造成雜質(zhì)污染。因此利用鉬球作為研磨介質(zhì)球制備得到的所述混合粉末成分純凈，所以本發(fā)明的制造方法能夠獲得高純度的鉻鉬靶材。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。