技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種側(cè)抽氣孔式空腔控溫盤，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造技術(shù)領(lǐng)域。包括上盤體、下盤體以及位于上盤體與下盤體之間的設(shè)置穩(wěn)流板將孔溫盤分為上下兩個(gè)腔室，其中上腔室為熱媒循環(huán)空腔，下腔室為穩(wěn)流室，上盤體上設(shè)置多個(gè)熱傳導(dǎo)氣體孔，每個(gè)氣熱傳導(dǎo)氣體孔通過(guò)管件通入至穩(wěn)流室內(nèi)，在上盤體上均勻設(shè)置有抽氣孔通入至穩(wěn)流室內(nèi)，下盤體上設(shè)置熱傳導(dǎo)氣體進(jìn)氣孔通入至穩(wěn)流室內(nèi)。本發(fā)明設(shè)有抽氣孔，將多余的氣體有抽氣孔抽走，不僅能有效的夠控制晶圓的溫度，還能保證晶圓的穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：呂光泉;吳鳳麗;鄭英杰;張建
受保護(hù)的技術(shù)使用者：沈陽(yáng)拓荊科技有限公司
文檔號(hào)碼：201510724579
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.29
技術(shù)公布日：2017.05.10