1.一種提高摻雜類金剛膜層質(zhì)量的方法，其特征在于，在工件上等離子體化學(xué)氣相沉積摻雜類金剛膜層之前，在所述工件周圍設(shè)置屏蔽裝置，所述屏蔽裝置具有開口，且所述開口正對(duì)等離子體出口；在等離子體化學(xué)氣相沉積摻雜類金剛膜層過中，所述屏蔽裝置不隨所述工件旋轉(zhuǎn)，但與所述工件等電位。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽裝置開口的開口角度可調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽裝置開口的開口角度為60°～180°。